12 inventos, patentes y modelos de RANCOULE, GILBERT
Rollo que comprende un recubrimiento abrasible.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Mecánica, iluminación, calefacción, armamento y voladura Técnicas industriales diversas y transportes
(04/12/2019). Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Clasificación: C08K3/22, C08K3/34, C08K3/36, C04B41/87, F27D3/02, F16C13/00, C23C4/10, C04B41/50, C03C17/00, C09D1/00, B21B39/00, C23C24/08, F27B9/24, C04B41/00, C04B35/584, B65G39/07, C04B35/565, C04B35/626, C04B35/597, C09D7/61.
Rollo con al menos una capa de un recubrimiento que es abrasible después de 3 horas a 800°C que comprende
a) 83-98% en peso de un agregado que consiste en partículas de Si3N4, SiC o SiAlON o una mezcla de los mismos, y opcionalmente en partículas de Al2TiO5,
b) 2-17% en peso de partículas submicrométricas que tienen un tamaño promedio > 100 nm y < 1000 nm de Al2O3, SiO2, ZrO2, CeO2, Y2O3 o una mezcla de las mismas.
PDF original: ES-2765452_T3.pdf
Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos y método para la fabricación del mismo.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(13/07/2016). Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Clasificación: H01L31/18, C30B11/00, C30B35/00, C30B28/06, C30B29/06, C30B11/14.
Crisol para la producción de lingotes semiconductores cristalinos, comprendiendo dicho crisol un volumen interno definido por una parte inferior (1a) cuya superficie superior comprende una parte plana que define un primer plano horizontal (H) y paredes laterales periféricas (1b) cada una comprendiendo una superficie interna que comprende una parte plana vertical, que define un plano vertical (V), y perpendicular al primer plano horizontal (H), uniéndose dichas paredes laterales (1b) a la parte inferior (1a) en el perímetro del último formando un radio de curvatura, R1, de al menos 1 mm, caracterizado por que, la línea de intersección (hv) que forma la intersección entre el primer plano horizontal (H) y los planos verticales (V) definida por las partes planas verticales de cada pared lateral (1b) se sitúa completamente en las paredes laterales (1b), en la parte inferior (1a), o en el volumen interno del crisol.
PDF original: ES-2596255_T3.pdf
Crisol y método para la producción de un lingote de material semiconductor (cuasi) monocristalino.
(10/09/2014) Crisol para la producción de lingotes de material semiconductor cristalino, tal como silicio, comprendiendo dicho crisol paredes laterales periféricas (1 b) y un piso (1 a) estando al menos una porción de dicho piso revestida con una capa superior , caracterizado porque, dicha capa superior tiene un espesor, δ, de al menos 500 μm y porque, a una temperatura de deformación por debajo de 1.400 °C, dicha capa superior se puede deformar en forma plástica o viscosa.
Material refractario aislante.
(04/04/2012) Composición acuosa para la fabricación de un material refractario aislante que comprende desde el 20 hasta el 70% en peso de un componente cerámico, desde el 5 hasta el 40% en peso de microesferas aislantes, desde el 0, 5 hasta el 20% en peso de uno o más aglutinantes, desde el 5 hasta el 20 % en peso de metal o aleación metálica y desde el 5 hasta el 25% en peso de agua.
ARTÍCULO REFRACTARIO Y PROCEDIMIENTO DE PRODUCCIÓN DEL MISMO.
(27/04/2011) Un artículo refractario que comprende una matriz de sílice fusionado que tiene un núcleo y al menos una superficie, en donde una fase de cerámica sinterizada está presente en la porosidad de al menos una porción de al menos una superficie de la matriz, caracterizado porque solo se ha llenado la porosidad superficial con la fase de cerámica hasta una profundidad de entre 200 μm y 1 mm
CRUCIBLE FOR THE TREATMENT OF MOLTEN SILICON.
(28/12/2010) Un crisol para el tratamiento de silicio fundido que comprende un cuerpo básico con una superficie de fondo y paredes laterales que definen un volumen interior, el cuerpo básico comprende: - por lo menos 65% en peso de carburo de silicio; - de 12 a 30% en peso de un constituyente seleccionado de óxido o nitruro de silicio, el cuerpo básico también comprende por lo menos un revestimiento de óxido y/o nitruro de silicio, por lo menos sobre las superficies que definen el volumen interior del crisol
CRISOL MEJORADO PARA LA CRISTALIZACION DE SILICIO.
(26/07/2010) Crisol para la cristalización de silicio que comprende
a) un cuerpo base que comprende una superficie inferior y paredes laterales que definen un volumen interior;
b) una capa de sustrato que comprende entre el 80% y el 100% en peso de nitruro de silicio en la superficie de las paredes laterales que miran hacia el volumen interior;
c) una capa intermedia que comprende entre el 50% y el 100% en peso de sílice sobre la capa de sustrato ; y
d) una capa superficial que comprende entre el 50% y el 100% en peso de nitruro de silicio, hasta el 50% en peso de dióxido de silicio y hasta el 20% en peso de silicio sobre la capa intermedia
CRISOL PARA LA CRISTALIZACION DE SILICIO Y PROCEDIMIENTO PARA ELABORAR EL MISMO.
(30/10/2009) Un crisol para la cristalización de silicio, que comprende a) un cuerpo de base que comprende una superficie inferior y paredes laterales que definen un volumen interior; b) un revestimiento protector a base de nitruro de silicio orientado hacia el volumen interior; caracterizado porque dicho revestimiento protector comprende del 80 al 95% en peso de nitruro de silicio, del 5 al 20% en peso de un aglutinante mineral de baja temperatura, seleccionado del grupo constituido por #- aglutinantes que comprende un compuesto organometálico a base de química de silicio tales como siloxano, tetraetilortosilicato, tetraetoxisilano, polidimetilsilano o una combinación de los mismos; #- aglutinantes a base de sílice que comprende aceite de silicona, siloxano, clorosilano o una combinación de los mismos; y #- aglutinantes que…
CRISOL PARA LA CRISTALIZACION DE SILICIO.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(01/11/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY. Clasificación: C30B15/10.
Crisol para la cristalización de silicio que comprende a) Un cuerpo base que comprende una superficie inferior y unas paredes laterales que definen un volumen interior; b) Una capa intermedia que comprende entre el 50% en peso y el 100% en peso de sílice en la superficie de las paredes laterales que se encuentran frente al volumen interior; y c) Una capa superficial que comprende entre el 50% en peso y el 100% en peso de nitruro de silicio, hasta el 50% en peso de dióxido de silicio y hasta el 20% en peso de silicio sobre la capa intermedia.
REVESTIMIENTO AISLANTE PARA CUERPOS REFRACTARIOS, PROCEDIMIENTO DE REVESTIMIENTO Y ARTICULO ASOCIADO.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia
(16/11/1995). Solicitante/s: VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY. Clasificación: B22D11/10, C04B35/66, C04B41/50, B22D41/08, C04B35/14, C04B35/82.
LA INVENCION TIENE POR OBJETO Y REVESTIMIENTO AISLANTE PARA LA PROTECCION TERMICA DE CUERPOS REFRACTARIOS EN METERIALES CERALICOS QUE SIRVEN PARA EL COLADO CONTINUO DEL ACERO Y DE OTROS METALES. EL REVESTIMIENTO ES UNA SUSPENSION QUE COMPRENDE, PREFERNETEMENTE EN PESO: 30 A 85% DE GRANOS DE SILICE VITROSA, 0 A 10% DE FIBRAS CERAMICAS, 0 A 7% DE LIGANTE, 0 A 4% DE FRITO Y DE 15 A 30% DE AGUA, DESPUES APLICACION DE UN ANTIOXIDANTE EL CUERPO REFRACTARIO (TEMPERARATURA AMBIENTE O PRECALENTADA) EN UNA COMPOSICION DURANTE UN PERIODO REGULADO DE 5 A 60 SEGUNDOS PARA OBTENER UN REVESTIMIENTO DE 1 A 6 MM DE ESPESOR, EL CUERPO REVESTIDO SE SECA. SE PUEDEN UTILIZAR LOS REVESTIMIENTOS PARA EL DERRAMADO EN FRIO DE UNA COLADA CONTINUA SIN EXIGIR PRECALENTADO.
COMPOSICION REFRACTARIA PARA DISTRIBUIDORES DE PLACAS Y SU PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia
(01/01/1993). Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Clasificación: B22D41/08, C04B35/48.
LA COMPOSICION REFRACTARIA DE LA INVENCION ESTA PREPARADA A PARTIR DE UNA MEZCLA QUE CONTIENE, EN PESO, DE 70-81 % DE ALUMINIO, DE 10-20 % DE CIRCONIO-ALUMINIO, QUE CONTIENE, EN PESO, DE 20-40 % DE CIRCONIO Y DE 60-80 % DE ALUMINIO, DE 1-4 % DE SILICIO BAJO FORMA DIVIDIDA, DE 2-7 % DE CARBONO BAJO FORMA DIVIDIDA, Y DE 4-15 % DE CARBONO VOLATIL. APLICACION A LA PREPARACION DE DISTRIBUIDORES DE PLACAS PARA CONTROLAR LAS COLADAS DE METAL LIQUIDO.
TUBITO DE COLADA PARA APERTURA ASISTIDA, DISPOSITIVO QUE LE INCORPORA Y PROCESO DE APLICACION.
Sección de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes
(01/07/1992). Solicitante/s: VESUVIUS FRANCE S.A.. Clasificación: B22D11/10, B22D41/08.
EL INVENTO ES UN PEQUEÑO TUBO DE COLADA PARA APERTURA ASISTIDA. COMPORTA UNA PARTE SUPERIOR AL MENOS PARCIALMENTE PERMEABLE AL GAS Y UN MEDIO PARA LLEVAR UN GAS A DICHA PARTE SUPERIOR. APLICACION EN EL TRANSPORTE CON ALIMENTACION DE COLADA CONTINUA.
