Tubo colector en vacío y procedimiento para la producción de uno de tales tubos colectores en vacío.
(13/11/2013) Tubo colector en vacío para el acoplamiento de la luz solar, que tiene por lo menos dos tubos dispuestosconcéntricamente uno dentro de otro, que forman un espacio cerrado, que ha sido puesto en vacío, estandodispuesta sobre el tubo interno exteriormente una capa de TCO
caracterizado por que
sobre la capa de TCO (TCOi) está dispuesta una capa a base de nanobarritas de ZnO (NR) colocadas libremente enposición vertical, y el tubo (Ri) con la capa de TCO (TCOi) y con las nanobarritas de ZnO (NR) forma el absorbedorselectivo del tubo colector en vacío (VR).
Procedimiento de deposición química de vapor a presión atmosférica para producir una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor.
(09/05/2012) Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un substrato calentado con un precursor que contiene el metal y sulfuro de hidrógeno (H2S) en calidad de precursor gaseoso reactivo y una corriente de gas portador inerte, caracterizado porque, para la fabricación de una capa delgada compacta de sulfuro de indio (In2S3) se transfiere a una fase líquida o gaseosa un precursor que contiene indio (PRIn (g/fl) ), que posee él mismo una alta presión de vapor o forma una aducto volátil con un disolvente, se mezcla dicho precursor en una región de…
DISPOSICION ESTRATIFICADA A BASE DE CAPAS SEMICONDUCTORAS UNIDAS HETEROGENEAMENTE, CON POR LO MENOS UNA CAPA SEPARADORA INTERCALADA, Y PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCION.
(01/11/2008) Disposición estratificada a base de capas semiconductoras unidas heterogéneamente sobre un substrato, con por lo menos una capa separadora intercalada que tiene una estructura previamente establecida de rejillas estratificadas, para la separación mecánica definida de las capas semiconductoras mediando participación de un calcógeno en todas las capas: caracterizada porque el substrato está revestido con una película metálica y la capa separadora está estructurada como capa de dicalcogenuro metálico mediando participación del metal procedente de la película metálica y del calcógeno procedente de por lo menos una capa semiconductora , y tiene una estructura de vasos doblada y continua, con una estructura de rejillas estratificadas (del tipo I) formada perpendicularmente a ésta en la transición hacia la película metálica y con una estructura…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSICION PARA LA PRODUCCION DE DELGADAS CAPAS DE CALCOGENUROS METALICOS.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(01/03/2008). Ver ilustración. Solicitante/s: HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GESELLSCHAFT MIT BESCHRANKTER HAFTUNG. Clasificación: H01L31/18, H01L31/04, C23C8/02, C23C8/06, C01G15/00, H01L21/368, C23C10/22.
Procedimiento para la preparación de delgadas capas de calcogenuros metálicos, por ejemplo para el empleo como capas de absorbentes y respectivamente de amortiguadores en celdas solares en unas etapas de procedimiento seguidamente expuestas a una presión normal, estando establecido de manera diferente el régimen de temperaturas para el transcurso del procedimiento, de un modo correspondiente a la diferente capacidad de reacción de los metales empleados para la formación de los calcogenuros: * aplicación de una solución de un compuesto metálico sobre un substrato para la adsorción de iones metálicos sin que se inicie una reacción química, * substracción de la humedad a partir del substrato con los iones metálicos adsorbidos, * introducción de un gas que contiene un calcogenuro de hidrógeno en la reacción con los iones metálicos adsorbidos, repitiéndose cíclicamente las etapas del procedimiento hasta que se alcance un deseado grosor de capa.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE DELGADOS REVESTIMIENTOS DIFICILMENTE SOLUBLES.
(16/11/2007) Procedimiento para la producción de delgados revestimientos difícilmente solubles, como producto final de una reacción química entre por lo menos un donante de cationes y un donante de aniones como sustancias de partida sobre substratos con una morfología arbitraria a una temperatura del proceso que está manifiestamente por debajo de una activación térmica de la reacción química de las sustancias de partida con etapas de procedimiento que se han de llevar a cabo cíclicamente, dependiendo del grosor de capa que se pretende, caracterizado por #- la aplicación de una mezcla de sustancias sólidas a base de todos los donantes de cationes y de aniones…
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE REVESTIMIENTOS DELGADOS Y DIFICILMENTE SOLUBLES.
(01/04/2003) Procedimiento para la producción de revestimientos delgados y difícilmente solubles sobre substratos (S) con una morfología arbitraria, con las siguientes etapas de procedimiento que se han de realizar de un modo cíclico en dependencia del deseado espesor de capa, para la producción de capas cerámicas u oxídicas (CL/OL): I. aplicación de por lo menos una sustancia de partida (P) apropiada para la constitución de capas sobre la superficie del substrato (S), II. desecación de la capa (PL) de sustancias de partida que se ha formado, en una corriente gaseosa (GS) inerte, o por evaporación, III. gaseo de la capa secada (PLD) de sustancias de partida con un gas reaccionante (RG) húmedo para la transformación en una correspondiente capa (HL) de hidróxido o de complejo,…
