SISTEMA PARA LA FABRICACIÓN DE MULTICAPAS PARA CÉLULAS SOLARES Y PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACIÓN DE ÉSTAS.
(02/02/2015) Sistema para la fabricación de multicapas para células solares y procedimiento para la fabricación de éstas.
Sistema para la fabricación de multicapas para células solares destinado a la fabricación de células solares de CdTe mediante un procedimiento de sublimación en espacio reducido. Comprende una cámara central en el interior de la que se desplazan un dispositivo de calentamiento superior en el que se dispone el material destinado a sustrato de la célula solar, unos dispositivos de calentamiento inferiores en los que se disponen los materiales destinados a fuente de las capas de la célula solar y unos obturadores sobre los dispositivos de calentamiento inferiores para controlar la deposición del material de la fuente en el sustrato.…
APARATO Y MÉTODO PARA LA PRODUCCIÓN DE LINGOTES DE SILICIO POR SOLIDIFICACIÓN DIRECCIONAL.
(26/09/2014) Aparato y método para la producción de lingotes de silicio por solidificación direccional.
Aparato para la producción de lingotes de silicio mediante tecnología de solidificación direccional que permite emplear de forma simultánea el Directional Solidification System y el Heat Exchange Method. Este aparato permite optimizar el control sobre el gradiente de temperaturas durante la etapa de cristalización y aumentar de este modo la calidad del producto final. El aparato dispone una cámara en el interior de la que se dispone al menos de un conjunto central y de un conjunto inferior que están unidos a un sistema de movimiento…
SISTEMA PARA CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE VELOCIDAD DE CRECIMIENTO VARIABLE.
(29/12/2011) Sistema para crecimiento de monocristales semiconductores mediante velocidad de crecimiento variable.La presente invención describe un aparato para la puesta en práctica de un procedimiento de cristalización de monocristales de CZT que comprende los siguientes elementos: cinco elementos calefactores que consisten en cinco hornos independientes entre sí, y dispuestos en vertical; cinco termopares de medida situados cada uno en el centro geométrico de cada uno de los cinco hornos; dos discos metálicos de aluminio ; una ampolla de crecimiento donde se coloca el material de partida a cristalizar; y un soporte formado por un tubo de cuarzo exterior en cuyo interior se encuentra centrado un tubo interior de cuarzo
PROCEDIMIENTO PARA OBTENER MONOCRISTALES CZT MEDIANTE EL METODO BRIDGMAN MODIFICADO.
(17/09/2010) La presente invención describe un procedimiento para la obtención de un monocristal en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT, según el método Bridgman Modificado que utiliza un crisol de nitruro de boro pirolítico y comprende un proceso de crecimiento en vapor que comprende las siguientes etapas: someter el sistema de crecimiento a una temperatura constante superior en 20ºC con respecto a la temperatura del punto de fusión del material de partida; disminución de la temperatura del sistema de crecimiento alcanzada en la etapa anterior hasta alcanzar una temperatura de 1120ºC; y mantener la temperatura alcanzada en la etapa anterior constante hasta el recocido del monocristal. La invención también se refiere a un aparato para llevar a cabo el procedimiento que comprende 3 elementos calefactores que proporcionan un perfil…
APARATO Y PROCEDIMIENTO PARA OBTENER MONOCRISTALES SEMICONDUCTORES MEDIANTE EL METODO BRIDGMAN.
(17/09/2010) La presente invención describe un aparato para la preparación de un monocristal semiconductor en volumen de Cd1-xZnxTe-CZT según el método Bridgman que comprende: un elemento resistivo calefactor ; una ampolla de crecimiento ; un sistema de soporte de la ampolla de crecimiento que comprende a su vez un tubo de platino cuya parte superior está en contacto con la ampolla de crecimiento; un tubo de cuarzo de igual diámetro que la ampolla de crecimiento, en cuyo interior se sitúa el tubo de platino ; un tubo de cuarzo en el interior de tubo de platino y centrado con respecto al mismo. La invención describe…
SISTEMA DE FABRICACION DE MICRODETECTORES DE RADIACION BASADOS EN HGI2.
Secciones de la CIP Electricidad Química y metalurgia
(01/01/1998). Ver ilustración. Solicitante/s: CENTRO ASOCIACION DE MEDICINA Y SEGURIDAD EN EL TRABAJO DE UNESA PARA LA INDUSTRIA ELECTRICA. Clasificación: H01L31/18, C30B23/00, H01L31/036, H01L31/0264, C30B29/12.
SISTEMA DE FABRICACION DE MICRODETECTORES DE RADIACION BASADOS EN HGI2. LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE AL METODO DE CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES DE HGI2 Y EN LAMINAS A SU POSTERIOR PREPARACION EN GEOMETRIA PARA FABRICAR MICRODETECTORES DE RADIACION DE ALTAS PRESTACIONES. ESTOS DETECTORES TIENEN GRAN EFICIENCIA FRENTE A RADIACION X Y GAMMA, PUDIENDO SER UTILIZADOS A TEMPERATURA AMBIENTE CON UNA GRAN SENSIBILIDAD, CARACTERIZADA POR UN LIMITE INFERIOR DE DETECCION DE 2 KEV. SU REDUCIDO TAMAÑO HACE QUE TENGAN UN CAMPO DE APLICABILIDAD POTENCIALMENTE MUY ALTO (MEDICINA NUCLEAR, MONITORAJE DE INSTALACIONES RADIACTIVAS, INVESTIGACION,...).