Lámina de cobre para la producción de grafeno y procedimiento de producción de grafeno usando la misma.
Secciones de la CIP Química y metalurgia Técnicas industriales diversas y transportes
(30/10/2018). Inventor/es: CHIBA,YOSHIHIRO, ONO,TOSHIYUKI. Clasificación: C22F1/18, C22F1/08, C22C9/00, B82Y30/00, B82Y40/00, C01B32/186.
Lámina de cobre para producir grafeno fabricada en Cu que tiene una pureza del 99,95% en masa al 99,995% en masa, que tiene una concentración de oxígeno de 200 ppm en masa o menor y que tiene un brillo a 60 grados (JIS Z8741) en una dirección de laminación y un brillo a 60 grados (JIS Z8741) en una dirección transversal a la dirección de laminación, cada uno, del 400% o superior, en la que el tamaño promedio del grano de cristal es de 100 μm o superior.
PDF original: ES-2687956_T3.pdf
Lámina de cobre para producir grafeno y método de producir grafeno usando la misma.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia
(14/06/2017). Inventor/es: CHIBA,YOSHIHIRO. Clasificación: B21B3/00, C22F1/08, C22F1/00, C22C9/00, B21B1/40, C22C9/02.
Una lámina de cobre para producir grafeno, que tiene brillo de 60 grados del 500% o más en una dirección de laminación y una dirección transversal a la dirección de laminación, y un tamaño de grano cristalino medio de 200 μmás después de calentar a 1000ºC durante 1 hora en una atmósfera que contiene el 20% en volumen o más de hidrógeno y el resto argón, en donde el brillo de 60 grados se midió según JIS-Z8741.
PDF original: ES-2639917_T3.pdf
Lámina de cobre para producción de grafeno y procedimiento de producción de la misma, y procedimiento de producción de grafeno.
Secciones de la CIP Técnicas industriales diversas y transportes Química y metalurgia
(07/06/2017). Inventor/es: CHIBA,YOSHIHIRO. Clasificación: B21B3/00, C22F1/08, C23C16/26, C22C9/00, B21B1/40, C22C9/02, B82Y30/00, C25F3/22.
Una lámina de cobre para producir grafeno que consiste en cobre refinado con contenido de oxígeno de acuerdo con JIS-H3100, o que consiste en cobre libre de oxígeno de acuerdo con JIS-H3100, o que contiene entre el 0,001 % en masa y el 0,15 % en masa de uno o más elementos seleccionados del grupo que consiste en Sn y Ag en el cobre refinado con contenido en oxígeno o el cobre libre de oxígeno,
que tiene un espesor de entre 18 y 50 μm, caracterizada por tener un brillo de 60 grados en una dirección de laminación y un brillo de 60 grados en una dirección transversal a la dirección de laminación del 200 % o más a menos del 500 %,
y por tener una proporción (Ra1/Ra2) entre una rugosidad media aritmética Ra1 en la dirección de laminación y una rugosidad media aritmética Ra2 en la dirección transversal a la dirección de laminación de 0,7 <≥ (Ra1/Ra2) <≥ 1,3.
PDF original: ES-2639493_T3.pdf
Lámina de cobre para fabricar grafeno y método de fabricación de grafeno.
(15/03/2017) Lámina de cobre laminada en frío para producir grafeno, que incluye óxidos y sulfuros que tienen cada uno un diámetro de 0,5 μm o más, que tienen un número total de 15/mm2 o menos medidos usando un microscopio electrónico de barrido,
y/o que incluye óxidos y sulfuros que tienen cada uno un diámetro de 0,5 μm o más, que tienen un número total de 100/mm2 o menos medidos para un área que tiene un área total de 3 mm2 dentro de una profundidad de 10 μm desde una superficie que es una sección transversal paralela a una dirección de laminación usando un microscopio electrónico de barrido,
en la que la lámina de cobre laminada en frío tiene un…
Material metálico para componentes electrónicos y método de producción del mismo, y terminales de conector, conectores y componentes electrónicos que usan el mismo.
(24/02/2016) Un material metálico para componentes electrónicos, que comprende:
un material de base;
una capa inferior formada sobre el material de base, estando constituida la capa inferior por uno o dos o más seleccionados entre un grupo A de elementos constituyentes, concretamente, el grupo que consiste en Ni, Cr, Mn, Fe, Co y Cu;
una capa intermedia formada sobre la capa inferior, estando constituida la capa intermedia por uno o dos o más seleccionados entre el grupo A de elementos constituyentes y uno o dos seleccionados entre un grupo B de elementos constituyentes, consistiendo el grupo en Sn e In; y
una capa superior formada sobre la capa intermedia, estando constituida…
Disolución electrolítica de cobre que contiene compuesto de amina que tiene un esqueleto específico y compuesto de organoazufre como aditivos, y lámina de cobre electrolítica producida usando la misma.
(04/06/2014) Disolución electrolítica de cobre que contiene, como aditivos:
un compuesto de organoazufre representado por la fórmula general mencionada a continuación u
X-R1-(S)n-R2-YO3Z1
R4-S-R3-SO3Z2
en la que R1, R2 y R3 son cada uno un grupo alquileno que tiene de 1 a 8 átomos de carbono, R4 se selecciona de un grupo que consiste en hidrógeno, **Fórmula**
, X se selecciona de un grupo que consiste en hidrógeno, un grupo ácido sulfónico, un grupo ácido fosfónico y grupos de sal de metal alcalino de ácido sulfónico o ácido fosfónico o grupos de sal de amonio, Y es azufre o fósforo, Z1 y Z2 son cada uno hidrógeno, sodio o potasio, y n es 2 ó 3; y
un compuesto de amina que incluye cualquiera de las fórmulas generales a mencionadas a continuación.
Disolución electrolítica de cobre que contiene compuesto de amina cuaternaria con esqueleto específico y compuesto de organo-azufre como aditivos, y lámina de cobre electrolítica fabricada usando la misma.
(08/01/2014) Disolución electrolítica de cobre que contiene como aditivos un compuesto de organo-azufre y un compuesto de amina cuaternaria con un esqueleto específico que se obtiene mediante una reacción de adición entre un compuesto que tiene uno o más grupos epoxi por molécula y un compuesto de amina, 5 seguido por una cuaternización del nitrógeno, en la que el compuesto de amina cuaternaria con un esqueleto específico es uno de los compuestos expresados por las siguientes fórmulas generales a ,**Fórmula**
(n: un número entero de 1 a 5).