Procedimiento para producir una metalización con capas de metalización de Ni y Au de alternancia múltiple sobre al menos una almohadilla de contacto sobre una oblea semiconductora.
Sección de la CIP Electricidad
(15/07/2020). Inventor/es: SIDOROV,VICTOR, ZHYTNYTSKA,RIMMA, WUERFL,JOACHIM. Clasificación: H01L21/60, H01L23/485.
Procedimiento para la producción de una metalización para al menos una almohadilla de contacto con las siguientes etapas de procedimiento:
- aplicar al menos una almohadilla de contacto a una oblea semiconductora ,
- aplicar una capa de barrera al lado superior de la al menos una almohadilla de contacto ,
- aplicar una metalización al lado superior de la capa de barrera , configurándose la metalización como estructura de capas de dos capas de metalización de alternancia múltiple , configurándose la primera capa de metalización de níquel con un grosor de capa de menos de 100 nm y la segunda capa de metalización con un espesor de capa de entre 30 nm y 50 nm;
caracterizado porque
la capa de barrera y la metalización se aplican por medio de deposición física en fase de vapor, la segunda capa de metalización se configura de oro y la suma de los grosores de capa de las primeras capas de metalización es de más de 1 μm.
PDF original: ES-2818349_T3.pdf
Detector de radiación y procedimiento para producir el mismo.
(01/07/2020) Detector de radiación que comprende:
a) una estructura de antena ; y
b) una estructura de transistor de efecto de campo, FET con una región de fuente , una región de compuerta y una región de drenaje ,
c) estando dispuestas estas regiones sobre un sustrato y formando estructuras de electrodo eléctricamente conductoras independientes entre sí a través de metalización;
caracterizado porque
d) la estructura de electrodo de compuerta envuelve completamente la estructura de electrodo de fuente o la estructura de electrodo de drenaje en un primer plano (E1);
e) la estructura de electrodo envuelta …
Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (beta-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida dentro de un crisol metálico controlando la presión parcial de O2.
(26/06/2019) Procedimiento para el crecimiento de monocristales de la fase beta de óxido de galio (b-Ga2O3) a partir de la masa fundida contenida en un crisol metálico, que comprende las etapas de:
- proporcionar en una cámara de crecimiento un sistema térmico u horno de crecimiento que comprende el crisol metálico que contiene el material de partida de Ga2O3 , un aislamiento térmico que rodea al crisol metálico y un calentador dispuesto alrededor del crisol metálico ;
- proporcionar o crear un germen cristalino dentro del horno de crecimiento ;
- introducir por lo menos en el horno de crecimiento una atmósfera de crecimiento que contiene oxígeno;
- calentar el crisol metálico mediante el calentador , que a su vez calienta el…
Diodo de contacto-P y de emisión de luz para la gama espectral ultravioleta.
(05/07/2017) Contacto dopado con p para uso en un diodo emisor de luz para la gama espectral ultravioleta, que comprende una capa de contacto p que contiene o consiste en p-AlGaN que tiene una primera superficie (A) para poner en contacto una zona de radiación y una segunda superficie (B) que comprende, en el lado opuesto a la primera superficie (A):
a) un recubrimiento que contacta directamente entre el 75% y el 96% de la segunda superficie (B) de la capa de contacto p y que contiene o consiste en un material que tiene una reflectividad máxima de al menos el 60% en el intervalo UV con una longitud de onda de 200 nm a 400 nm; y
b) una pluralidad de Inyectores p que están dispuestos directamente sobre la segunda superficie (B) de la capa de contacto p ,
en el que los Inyectores p comprenden, además de una capa de metal de inyector p que permite…
Procedimiento y dispositivo para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor.
(27/11/2013) Procedimiento para la fabricación de monocristales a partir de material semiconductor con las propiedades delmaterial de un monocristal extaído por zonas, en el que el monocristal es generado en un cristal de vacunación apartir de la colada, que se encuentra como mar de colada sobre un montón que está constituido por materialsemiconductor granulado, que es extraído hacia arriba a través de un inductor plano (llamado inductor de Pancace),atravesado por una corriente HF, que presenta un arrollamiento y una ranura como alimentación de corriente, através del orificio central de este inductor plano, caracterizado por que el material semiconductor granulado seencuentra en un…
Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico.
Sección de la CIP Química y metalurgia
(03/05/2013). Ver ilustración. Inventor/es: RUDOLPH, PETER, BÜLLESFELD,FRANK, SAHR,UWE, MILLER,WOLFRAM, REHSE,UWE, DROPKA,NATASCHA. Clasificación: C30B11/00, C30B15/30.
Proceso para la solidificación de un material fundido no metálico , que se encuentra en un crisol , en el que, por medio de varios inductores , se generan campos magnéticos, para lo cual los inductores son alimentados con un primer conjunto de corrientes alternas ( 11a, 11b, 11c, 11d) desfasadas y con una primera frecuencia (f1), de manera que mediante la superposición de campos magnéticos se genere un campo de ondas progresivas (W1) en el material fundido , y éste sea alimentado con al menos un segundo conjunto de corrientes alternas (12a, 12b, 12c, 12d) desfasadas con una segunda frecuencia (f2), caracterizado porque mediante la superposición del campo magnético generado con la segunda frecuencia (f2), se genera un segundo campo de ondas progresivas (W2) en el material fundido , que se mueve en dirección contraria al campo de ondas progresivas (W1), por lo que los dos campos de ondas progresivas generados (W1, W2) recorren el material fundido en una dirección (Y) esencialmente vertical.
PDF original: ES-2402446_T3.pdf
Dispositivo y procedimiento para la fabricación de cristales a partir de masas fundidas conductoras de electricidad.
(18/04/2012) Dispositivo para la fabricación de cristales a partir de masas fundidas conductoras de electricidad, que presenta al menos un crisol con un fondo de crisol (3b), que está dispuesto en una cámara de crecimiento y contiene una masa fundida , un dispositivo calefactor que envuelve el crisol y está realizado como disposición de bobinas múltiples a partir de bobinas , , dispuestas una sobre otra y sirve para la generación simultánea de un campo magnético móvil, estando unidas por electricidad las bobinas con al menos un dispositivo suministrador de energía dispuesto fuera de la cámara de crecimiento por medio de…
Dispositivo para fabricar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras.
(28/03/2012) Dispositivo para cultivar cristales a partir de masas fundidas eléctricamente conductoras que presenta al menos un crisol que contiene una masa fundida , dispuesto en una cámara de cultivo , un dispositivo de calentamiento que rodea al crisol , que está realizado como disposición de múltiples bobinas de bobinas (1a, 1b, 1c) dispuestas una sobre otra, presentando las bobinas (1a, 1b, 1c) espiras de bobina continuas o escalonadas y estando colocadas en las bobinas (1a, 1 b, 1c) barras de alimentación de corriente (2a, 2b, 2c, 2m) que están conectadas eléctricamente con un dispositivo de alimentación de energía dispuesto fuera de la cámara de cultivo , caracterizado por…
INSTALACIÓN HIDROPÓNICA PARA LA PRODUCCIÓN DE VERDURAS Y PESCADOS.
(21/02/2011) Sistema hidropónico con ciclo hidrológico cerrado comprendiendo al menos una unidad de acuicultivo y al menos una unidad hidropónica , donde la unidad de acuicultivo presenta al menos un desagüe , caracterizado por el hecho de que el desagüe está conectado funcionalmente a través de una válvula de un sentido con la unidad hidropónica de tal manera que se puede introducir agua de la unidad de acuicultivo a la unidad hidropónica , y la unidad hidropónica presenta al menos un dispositivo de captura con refrigeración , donde el al menos un dispositivo de captura con refrigeración está conectado funcionalmente con la unidad de acuicultivo de tal manera que el agua conseguida de por lo menos un dispositivo de captura con refrigeración se puede transportar a la unidad de acuicultivo
PROCEDIMIENTO DE MICROESTRUCTURACION DIRECTA DE MATERIALES.
Secciones de la CIP Física Química y metalurgia Técnicas industriales diversas y transportes
(16/03/2006). Ver ilustración. Inventor/es: BOYLE, MARK, ROSENFELD, AKARDI, HERTEL, INGOLF, STOIAN, RAZWAN, KORN, GEORG, THOSS, ANDREAS. Clasificación: G02B6/12, C03C23/00, C04B35/52, B23K26/00, B23K26/40, B23K26/06, C04B41/00.
Procedimiento de microestructuración directa de materiales por medio de al menos un impulso individual ultracorto o una secuencia de impulsos con aportación de energía definida al material, ajustándose la energía y la duración del impulso en función del material a mecanizar, caracterizado porque se dirigen sucesivamente al menos dos impulsos de láser o trenes de impulsos conformados en el tiempo hacia la superficie del material a mecanizar y se ajusta la distancia de dos impulsos o trenes de impulsos consecutivos para que sea más pequeña o igual que picosegundos, con lo que el impulso siguiente incide en el material a mecanizar mientras dura todavía la variación producida en el primer impulso.
