(01/03/2017) Aparato generador de plasma para fabricar dispositivos con patrones que comprende: - una cámara de reactor de plasma; - un conjunto de alimentación de gas para introducir un gas de entrada en la cámara del reactor de plasma a una presión elegida (P); - un primer conjunto de electrodos y un segundo conjunto de electrodos colocados en la cámara de reactor de plasma, estando el primer conjunto de electrodos dispuesto para separarse del segundo conjunto de electrodos por un volumen entre electrodos, y - una fuente de alimentación eléctrica para generar una diferencia de tensión entre el primer conjunto de electrodos y el segundo conjunto de electrodos ; en el que - el primer conjunto de electrodos comprende…

(05/06/2014) Procedimiento para la preparación de una capa o multicapa barrera y/o dieléctrica sobre un sustrato y dispositivo para su realización. La presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de capas barrera y/o dieléctricas sobre un sustrato caracterizado por que comprende las siguientes etapas: (a) limpieza de sustratos, (b) colocación del sustrato en un portamuestras e introducción del mismo en el interior de una cámara de vacío, (c) dosificación en dicha cámara de vacío de un gas inerte y un gas reactivo, (d) inyección en la cámara de vacío de un precursor volátil que tenga al menos un catión del compuesto a depositar, (e) activación de una fuente de radiofrecuencia y activación de al menos un magnetrón, (f) descomposición del precursor volátil por plasma, produciéndose…

(11/09/2013) Aparato de CVD por plasma, que comprende; una primera y una segunda cámara de vacío conectadas a través de una válvula decompuerta, estando equipada cada cámara de vacío con una abertura (31, 31', 41) de suministrode gas y una abertura de escape, una disposición de electrodos en la que una pluralidad de electrodos (33, 33', 33", 43) acoplados de manerainductiva con una parte (34, 34') de alimentación de potencia y una parte puesta a tierra estándispuestos en paralelo entre sí formando un plano, estando dispuestas dichas disposiciones de electrodosen N capas (donde N es el número natural 2 o superior) en dicha primera cámara de vacío (o dichasegunda…

(08/11/2011) Un procedimiento de generación de plasma para generar plasma de alta frecuencia de forma uniforme sobre un área de gran superficie en un aparato de deposición de vapor químico de plasma en el cual se genera el plasma suministrando potencia de alta frecuencia a un electrodo de descarga, que comprende las etapas de: aplicar en un primer ciclo suministro de potencia de alta frecuencia a unas secciones de suministro de potencia primera y segunda que están instaladas en ambos extremos de un electrodo de descarga, en el que cada una de las potencias de alta frecuencia para dicha primera y dicha segunda secciones de suministro de potencia tienen la misma frecuencia; y aplicar en un segundo ciclo suministro de potencia de alta frecuencia a dicha primera…

(29/06/2011) Procedimiento para la separación química en fase gaseosa asistida por plasma para el recubrimiento o bien el decapado del material en la pared interior de un cuerpo hueco , en especial de un material no metálico, con una superficie transversal, una extensión longitudinal y al menos una abertura , que presenta los siguientes pasos: - Introducción del cuerpo hueco que hay que recubrir sobre su lado interior en una cámara de vacío con un lado interior puesto a tierra, habiéndose dispuesto en el interior de la cámara de vacío un electrodo de alta frecuencia de gran área. - Posicionamiento del cuerpo hueco en el centro de la cámara de vacío , debiéndose respetar por todos lados una distancia mínima de…

(12/04/2010) Aparato de CVD por plasma que comprende: (a) una cámara de reacción en la que se dispone un electrodo acoplado inductivamente que está plegado en su centro, teniendo el electrodo una parte de alimentación de energía en el primer extremo, una parte giratoria en su centro y una parte de conexión a tierra en el segundo extremo, siendo variable el diámetro de dicho electrodo, y (b) una fuente de energía de alta frecuencia para alimentar una energía de alta frecuencia a dicha parte de alimentación, estando configurada dicha fuente de energía de alta frecuencia para establecer una onda estacionaria de una semilongitud de onda o múltiplo de número natural…