(22/04/2020) Proceso para depositar un revestimiento en un sustrato de vidrio, dicho proceso estando caracterizado porque comprende las siguientes etapas sucesivas: a) pasar dicho sustrato a través de un dispositivo para deposición al vacío por pulverización catódica, b) introducir un gas en dicho dispositivo para deposición al vacío y generar un plasma a partir de dicho gas, c) co-pulverización simultáneamente, en una y la misma cámara del dispositivo para deposición al vacío, - de un primer componente hecho de un material que consiste en un óxido, un nitruro o un oxinitruro de un primer elemento y - de un segundo componente que consiste en la forma…

(05/12/2018) Procedimiento de encapsulación de un acristalamiento de policarbonato que comprende, al menos en alguna de sus caras, un revestimiento duro antiabrasión a base de silicona, comprendiendo dicho procedimiento las siguientes etapas sucesivas: a) tratar una región de la cara del acristalamiento que porta el revestimiento duro a base de silicona por plasma atmosférico con una boquilla de plasma que tiene una potencia comprendida entre 100 voltamperios y 1.000 voltamperios, siendo la distancia entre el extremo de la boquilla de plasma y la superficie del acristalamiento como máximo igual a 7 mm, b) aplicar, sobre dicha región tratada por plasma atmosférico, una composición de imprimación que comprende uno o varios promotores de adhesión seleccionados entre los…

(06/12/2017) Dispositivo de recubrimiento por plasma para el recubrimiento de un sustrato con partículas contenidas en un recipiente de partículas , que comprende un dispositivo dosificador para el dosificado de las partículas almacenadas en el recipiente de partículas , al menos un conducto o línea de transporte y una cámara de proceso totalmente cerrada , que se caracteriza por que una línea de succión está conectada a la cámara de proceso , donde una bomba de succión está asociada a la línea de succión y una válvula de control del flujo o de estrangulación está dispuesta corriente arriba de la bomba de succión )…

(19/04/2017) Un procedimiento para tratar termoquímicamente una pieza , comprendiendo el procedimiento las etapas de: - proveer una máscara que comprende un cuerpo con un asiento , al menos una junta de estanqueidad deformable situada en el asiento , y un casquillo de retención que se mueve con respecto al cuerpo , entre una posición apretada en la que el casquillo de retención presiona la junta de estanqueidad y una posición aflojada, teniendo el cuerpo una cavidad a la que puede accederse a través de un pasaje delimitado en la junta de estanqueidad cuando el casquillo de retención está en la posición aflojada. - colocar una primera parte de la pieza en la cavidad mientras el casquillo de retención está en…

(28/09/2015) Sistema y método para el tratamiento de partículas sólidas en un ambiente de especies activadas por plasma. La presente invención está dirigida a un sistema para el tratamiento de partículas sólidas en un ambiente de especies activadas por plasma, que comprende una cámara de vacío, un contenedor mallado provisto de una entrada de partículas sólidas, situado en el interior de la cámara de vacío, y un mecanismo percutor situado también en el interior de la cámara de vacío en una posición adecuada para permitir su contacto con el contenedor mallado durante un movimiento de percusión. Se presenta también un método para el tratamiento por plasma de partículas sólidas en un sistema como el descrito…

(17/05/2012) Un sistema para la deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía adecuado para el crecimiento epitaxial de capas semiconductoras uniformes sobre sustratos de 300 mm de tamaño, comprendiendo el sistema: (a) una fuente de plasma de área amplia; (b) una cámara de deposición; y (c) un sistema de distribución de gas, en el que la fuente de plasma comprende un recinto , al menos dos cátodos termoiónicos adaptados para ser operados independientemente el uno del otro e incluidos en una cámara catódica, y un cabezal de ducha que tiene varios orificios ; y en el que la…

(01/03/2012) Un objeto recubierto, en donde por lo menos una porción de la superficie del objeto comprende un polímero que comprende una unidad polimérica que comprende un grupo amida y en donde por lo menos una porción de una superficie del polímero que comprende una unidad polimérica que comprende un grupo amida tiene un recubrimiento expuesto por deposición química de vapor asistida por plasma sobre ésta, el recubrimiento expuesto por deposición química de vapor asistida por plasma tiene un espesor mayor que 0,1 micrómetros, en donde el polímero que comprende una unidad polimérica que comprende un grupo amida es seleccionado entre el grupo que consiste en poliamidas, poliuretanos, poliureas,…

(06/02/2012) Procedimiento para el tratamiento o recubrimiento de superficies por medio de un chorro de plasma, en el que a través de una descarga entre dos electrodos, en los que se aplica una tensión, y con alimentación de un gas de proceso en un cabezal de plasma se genera un chorro de plasma, que abandona el cabezal de plasma a través de un orificio y circula a un espacio de reacción separado, en el que en el espacio de reacción, con exclusión de la atmósfera que rodea al chorro de plasma generado, se alimenta un gas portador y se mezcla a fondo con el chorro de plasma y en el que como consecuencia se activa el gas de proceso y/o se genera un chorro de partículas, caracterizado porque la corriente de gas portador afluye perpendicularmente a la dirección de la circulación del chorro de plasma…

(31/05/2010) Procedimiento para efectuar el revestimiento de un intercambiador de calor, en particular de un intercambiador de calor de tubo helicoidal , caracterizado porque el intercambiador de calor , que está dispuesto en una cámara de combustión de un calentador de agua se expone a un flujo de plasma generado a partir de un gas de proceso mediante una fuente de plasma que lo atraviesa durante el funcionamiento normal preferentemente en el sentido de los gases de escape, al que se añaden SiO2, Al2O3, compuestos de Si, compuestos de Ti o sus mezclas en estado líquido o gaseoso

(03/05/2010) Un procedimiento para llevar a cabo reacciones químicas, que comprende alimentar el gas de reacción desde la fuente de gas de reacción a la cámara de reacción de vacío, formar una corriente supersónica de gas de reacción en ella, y activar dicha corriente supersónica de gas de reacción actuando sobre ella con un haz de electrones para generar plasma de haz de electrones, caracterizado porque dicha corriente supersónica de gas de reacción se forma de tal manera que se crea una zona de presión negativa en su porción central a la entrada de la cámara de reacción de vacío, teniendo dicha zona una densidad menor que la de las zonas adyacentes a ella, y la acción sobre la corriente supersónica de gas…