CIP-2021 : H01L 29/73 : Transistores bipolares de unión.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/73 · · · · · Transistores bipolares de unión.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE CON TENSION DE RUPTURA INCREMENTADA.
(01/02/2003) TRANSISTOR BIPOLAR DE SILICIO SOBRE AISLANTE, QUE COMPRENDE UN SUSTRATO CON UNA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA DE OXIDO SOBRE DICHA SUPERFICIE PRINCIPAL, UNA CAPA DE SILICIO, CON UN PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, SOBRE LA CAPA DE OXIDO , UNA ZONA DE BASE , CON UN SEGUNDO VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO , UNA ZONA DE EMISOR , CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA ZONA DE BASE , UNA ZONA DE COLECTOR , CON EL PRIMER VALOR DE CONDUCTIVIDAD, QUE SE EXTIENDE POR LA CAPA DE SILICIO A UNA DISTANCIA LATERAL DE LA ZONA DE BASE , UNA ZONA DE TERMINALES…
RESISTENCIA AUTORREGULADORA UNIFORME PARA TRANSISTOR DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIA, TERMICAMENTE EQUILIBRADO.
(16/06/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: ERICSSON INC.. Inventor/es: LEIGHTON, LARRY, JOHANSSON, TED, SKOGLUND, BERTIL.
TRANSISTOR DE POTENCIA DE RF QUE TIENE CARACTERISTICAS DE EQUILIBRIO TERMICO MEJORADAS E INCLUYE UN PRIMER ELECTRODO EMISOR Y UN ELECTRODO BASE FORMADO SOBRE UN DADO DE SILICIO, CADA UNO DE LOS CUALES TIENEN UNA SERIE DE DEDOS DE ELECTRODOS PARALELOS. UN SEGUNDO ELECTRODO EMISOR ESTA FORMADO SOBRE EL ELECTRODO BASE Y ESTA CONECTADO ELECTRICAMENTE AL PRIMER ELECTRODO EMISOR . LAS RESISTENCIAS DE CARGA ESTAN FORMADAS EN UNA FORMA ESPACIADA BASICAMENTE UNIFORME A CADA LADO DEL DADO DE SILICIO, EN SERIE CON AL MENOS UNO DE LOS DEDOS DE ELECTRODOS DEL PRIMER ELECTRODO EMISOR Y EN SERIE CON AL MENOS ALGUNOS DE LOS DEDOS DE ELECTRODO DEL SEGUNDO ELECTRODO EMISOR.
(01/04/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: MENDEZ-VIGO BARASONA, JAVIER.
INVERSOR CONMUTABLE QUE SE ACTIVA CUANDO LA BASE EMISOR PUEDA COMPUTAR, ES DECIR, CUANDO LA SUMA DE LAS CORRIENTES SON IGUALES A LA CORRIENTE DE CORTE, SIENDO UN MERO MECANISMO DE COMPUTO, EN EL QUE AMBAS CORRIENTES SE CONTROLAN ENTRE SI, ES DECIR, CORRIENTE COLECTOR EMISOR MAS CORRIENTE BASE EMISOR IGUAL A LA CORRIENTE DE CORTE. EL INVERSOR ESTA ACTIVADO, CUANDO LA SALIDA ES UNO, ES DECIR, BASE EMISOR MAS (6') IGUAL UNO, Y EL INVERSOR ESTA DESACTIVADO O CERRADO EN EL CASO QUE COLECTOR EMISOR MAS BASE EMISOR SEA IGUAL A CERO.
TRANSISTOR INECUACIONAL O PSEUDONEURONAL.
(01/04/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: MENDEZ-VIGO BARAZONA,JAVIER. Inventor/es: MENDEZ-VIGO BARAZONA, JAVIER.
TRANSISTOR INECUACIONAL O PSEUDONEURONAL, CONSTITUIDO POR UN CUERPO DE PLANTA Y ESTRUCTURA ALARGADA, SOBRE EL CUAL SE MONTA UN CHIP , DE FINOS HILOS CONECTADOS ENTRE SI FORMANDO UN PAQUETE , LOS CUALES FORMAN UNA BASE DE CONEXIONES PROLONGADAS HASTA LAS PATILLAS . LOS ELEMENTOS INTERNOS SON EL CHIP DE MEMORIA Y EL CHIP DE ENTRADA Y SALIDA DE DATOS . LOS ELEMENTOS EXTERNOS SON LA FUENTE DE ALIMENTACION , UNA PUERTA LOGICA Y UN DRENADOR REGULADOR , ENCARGADOS DE LAS ENTRADAS Y SALIDAS DEL PROCESO. EL PROCESO ES REALIZADO POR LA COMBINACION DE LOS FLUJOS O ENTRADAS DE DATOS , Y , DE LOS CUALES FLUYEN PORTADORES DE CORRIENTE HACIA EL EMISOR , DESDE DONDE SON PROYECTADOS LOS DATOS HASTA EL COLECTOR , AUNQUE SIEMPRE ENTRE AMBOS COMO EJE SEMICONDUCTOR LA BASE EMISOR REGULADORA DEL PROCESO. SIMULANDO UNA O MAS PUERTAS LOGICAS CON UN UNICO TRANSISTOR, POR LAS ENTRADAS DE DOS O MAS DATOS EN UN UNICO TRANSISTOR.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/04/1997) SE DESCRIBE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO AISLANTE METALICO (MISFET) , CONSTRUIDO COMO UNA HETEROESTRUCTURA DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DE APERTURA DE BANDA ESTRECHA IN1-XALXSB.EL MISFET ESTA FORMADO POR CUATRO CAPAS SEMICONDUCTORAS (112 A 118) SITUADAS EN SERIE COMO SIGUE: UNA PRIMERA CAPA TIPO-P FUERTEMENTE BARNIZADA , UNA SEGUNDA CAPA TIPO-P DE APERTURA DE BANDA RELATIVAMENTE AMPLIA FUERTEMENTE BARNIZADA , UNA TERCERA CAPA TIPO-P LIGERAMENTE BARNIZADA , Y UNA CUARTA CAPA TIPO-N FUERTEMENTE BARNIZADA .EN LA CUARTA CAPA SE SITUAN UNA FUENTE Y UN CONDUCTO ; EN LA TERCERA CAPA SE SITUA UNA APERTURA (116/205); ENTRE LAS CAPAS TERCERA Y CUARTA SE INCLUYE UNA…
CAPA DE SILICIO EPITAXIAL Y METODO PARA DEPOSITARLA.
(01/05/1996). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: MEYERSON, BERNARD S.
SE PROPORCIONA UNA CAPA DE SILICONA DE TIPO-N IMPURIFICADA IN-SITU MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSICION DE VAPOR QUIMICO A BAJA TEMPERATURA Y BAJA PRESION, EMPLEANDO UN GAS CONTENIENDO GERMANIO EN COMBINACION CON EL GAS CONTENIENDO IMPUREZAS DE TIPO-N PARA ASI REALZAR LA INCORPORACION IN-SITU DEL IMPURIFICADOR DE TIPO-N EN LA CAPA DE SILICONA COMO UN IMPURIFICADOR ELECTRONIALMENTE ACTIVO. TAMBIEN SE SUMINISTRA UNA CAPA DE SILICONA INCLUYENDO UNA UNION P-N DONDE LA CAPA CONTIENE UN IMPURIFICADOR TIPO-N Y GERMANIO, Y DISPOSITIVOS TALES COMO TRANSISTORES INCORPORANDO UNA CAPA DE SILICONA IMPURIFICADA-N IN-SITU.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION Y PROCEDIMIENTO DE FABRICACION.
(01/02/1995). Solicitante/s: MOTOROLA SEMICONDUCTEURS S.A. Inventor/es: JAUME, DENIS, CHARITAT, GEORGES, PEYRE LAVIGNE, ANDRE.
ESTE INVENTO SE REFIERE A UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION QUE COMPRENDE: UN SUBSTRATO 44; UNA ZONA EPITAXIAL 46 SOBRE DICHO SUBSTRATO QUE INCLUYE UNA ZONA DE ELECTRODOS DOPADA, 48 Y UNA ZONA DE AISLAMIENTO DOPADA, 50, ESTANDO SEPARADAS DICHA ZONA DE ELECTRODOS DOPADA Y DICHA ZONA DOPADA DE AISLAMIENTO POR UN PRIMER TRECHO 54; UNA CAPA DE AISLAMIENTO 56 SOBRE PARTE DE DICHA ZONA EPITAXIAL ENTRE DICHA ZONA DE AISLAMIENTO DOPADA Y DICHA ZONA DE ELECTRODOS DOPADA, CUBRIENDO DICHA CAPA DE AISLAMIENTO UNA PARTE DEL EXTREMO DE DICHA ZONA DOPADA DE ELECTRODOS; UNA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA 60 SOBRE DICHA CAPA DE AISLAMIENTO; Y UNA CAPA DE METALIZACION 68, 74, CARACTERIZANDOSE DICHO DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION POR: UNA SEGUNDA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA 40 SOBRE DICHA PRIMERA CAPA SEMICONDUCTORA POLICRISTALINA. TAMBIEN SE DESCRIBE UN PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1962). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.
(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN TRANSISTOR.
(01/04/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Método de fabricación de un transistor, particularmente para fines de conmutación, que comprende un cuerpo semiconductor en el cual están previstas una zona colectora, una zona de base y una zona emisora sobre las cuales están provistos contactos de colector, de base y de emisor, respectivamente, estando provisto el referido cuerpo de una o más impurezas que acortan la vida de los portadores de carga, caracterizado por el hecho de que por lo menos aquella parte de la zona de base que está ubicada entre la zona colectora y la zona emisora es formada simultáneamente por la fusión de un material de contacto emisor y la difusión de una impureza inversora del tipo de conductividad del cuerpo semiconductor en el área en consideración, por lo menos en el área por debajo de dicho material de contacto donde el mismo constituye una zona de base difundida, usándose un material de contacto que substancialmente está libre de las referidas impurezas que acortan la vida de los portadores de carga.
APARATO REPETIDOR SEMICONDUCTOR.
(01/03/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Aparato repetidor semiconductivo que comprende un dispositivo compuesto de un cuerpo de material semiconductivo, con un empalme PN plano por lo menos a través del mismo, el cual define al menos dos regiones contiguas de tipos de conductividad recíprocamente opuestos, y electrodos de baja resistencia aplicados en esas dos regiones o zonas; caracterizado porque de los mencionados electrodos de baja resistencia, el primero y el segundo están dispuestos, separados uno de otro, en una de las zonas, y el tercero y el cuarto lo están en la otra zona, y porque se dispone un generador de potencial para polarizar el empalme en la dirección inversa.
