CIP-2021 : C30B 28/10 : por retirado a partir de un baño fundido.

CIP-2021CC30C30BC30B 28/00C30B 28/10[2] › por retirado a partir de un baño fundido.

C QUIMICA; METALURGIA.

C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.

C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.

C30B 28/00 Producción de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.

C30B 28/10 · · por retirado a partir de un baño fundido.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Aparato de fabricación de un sustrato de silicio para células solares usando colada continua para facilitar el control de la temperatura y procedimiento de fabricación de un sustrato de silicio usando el mismo.

(18/12/2013) Un aparato de fabricación de un sustrato de silicio usando colada continua, que comprende: una unidad de crisol configurada para recibir silicio en bruto y que tiene un puerto de descarga que penetra enuna pared lateral de la misma y está dispuesta en una dirección horizontal; una unidad calefactora que se proporciona en una pared exterior y en una superficie inferior externa de la unidadde crisol y que calienta la unidad de crisol para fundir el silicio en bruto en la unidad de crisol y formar siliciofundido; una unidad de colada que cuela el silicio fundido, descargado por medio del puerto de descarga de la unidad decrisol, hasta formar un sustrato…

Método y reactor de crisol para producir silicio o un metal reactivo.

(21/06/2013) Un método para producir silicio o un metal reactivo, que comprende: introducir una alimentación que contiene silicio o una alimentación que contiene metal reactivo en una cámara dereacción, donde la cámara de reacción incluye una pared de la cámara de reacción que tiene (i) una superficieinterior orientada hacia un espacio de reacción y (ii) una superficie exterior opuesta; generar una primera energía térmica dentro del espacio de reacción suficiente para generar un producto de siliciolíquido o un producto de metal reactivo líquido; generar una segunda energía térmica exterior a la pared de la cámara de reacción, de manera que un flujo decalor desde la segunda energía térmica impacta inicialmente con la superficie exterior de la pared de la cámarade reacción; y establecer…

DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR UNA CAPA DE SILICIO POLICRISTALINO SOBRE UN SOPORTE.

(31/08/2010) Dispositivo para depositar una capa a base de silicio policristalino sobre un soporte móvil, alargado, sensiblemente plano, y que comprende dos caras longitudinales y dos bordes laterales longitudinales , que comprende: - un crisol que contiene un baño de silicio fundido, estando destinado dicho soporte a sumergirse al menos parcialmente en el baño y a atravesar de forma sensiblemente vertical, en el sentido de la longitud, la superficie de equilibrio del baño, - al menos un elemento de control (5, 5'', 15, 15'') de los bordes, manteniéndose cada elemento de control de los bordes de manera sensiblemente vertical en la proximidad de uno de los dos bordes laterales longitudinales , comprendiendo cada elemento de control de los bordes unas paredes (51 a 53'', 151 a 153'') que delimitan una abertura longitudinal…

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