(28/11/2018) Dispositivo para atemperar un cuerpo multicapa , que presenta una primera capa y al menos una segunda capa , mediante absorción de una cantidad de energía por el cuerpo multicapa con una absorción de una primera cantidad parcial de la cantidad de energía por la primera capa y una absorción de una segunda cantidad parcial de la cantidad de energía por la segunda capa , que presenta - al menos una fuente de energía de la cantidad de energía, en donde - existen una primera y al menos una segunda fuentes de energía, - al menos una de las fuentes de energía presenta una emisión de una determinada…

(22/04/2015) Procedimiento de preparación de una película fina absorbente para células fotovoltaicas de tipo A-B-C2 o A2- (Dx,E1-x)-C4 con 0≤x≤1, A es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 11, B es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 13, C es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 16, D es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 12 y E es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 14, procedimiento que comprende: • una primera etapa de deposición electroquímica de una película fina de una mezcla de óxidos y/o de hidróxidos que comprende, para una película de…

(14/08/2013) Una heteroestructura de dispositivo semiconductor compuesto que forma un dispositivo detector híbrido que comprende un primer material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de menor energía del espectro electromagnético, y un segundo material detector semiconductor de cristal en masa adecuado para la detección de fotones de una parte de mayor energía del espectro electromagnético dispuesto sobre una superficie del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el segundo material detector semiconductor de cristal en masa un material del grupo II-VI que comprende Cd1-(a+b)MnaZnbTe cristalino, donde a y/o b pueden ser cero, distinto del primer material semiconductor de cristal en masa, siendo el primer material detector semiconductor de cristal en masa un material para la detección…

(22/08/2012) Un dispositivo fotovoltaico de película delgada obtenido mediante: a) proporcionar una capa primera de un semiconductor de calcopirita de un tipo de dopaje primero; b) depositar una capa segunda de un óxido de cinc intrínseco mediante deposición química en fase vapor dela capa primera, y c) depositar una capa tercera de un semiconductor de óxido de cinc, de un tipo de dopaje segundo opuesto altipo de dopaje primero, mediante deposición por pulverización catódica sobre la capa segunda.

(16/01/2012) Sustrato (1, 1') con función de cristalera que comprende una cara principal destinada a ser asociada a una capa a base de un material absorbente, que tiene en al menos una parte de la superficie de la cara principal al menos un electrodo conductor de la electricidad y reflectante en el campo de las longitudes de onda que se extienden desde el ultravioleta hasta el infrarrojo cercano, siendo dicho electrodo a base de molibdeno, estando dicho electrodo formado por un apilamiento de n (n ≥ 2) capas que definen entre ellas unas zonas de interfases, comprendiendo el electrodo entre 2 y 16 capas, preferiblemente entre 4 y 12 capas, y más preferiblemente cerca de 8 capas, caracterizado porque cada una de las capas que forman el electrodo tiene un material idéntico.

(01/05/2000) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO Y UN DISPOSITIVO PARA LA ELABORACION DE CELULA SOLAR DE BANDA CIS. EL OBJETIVO DE LA PRESENTE INVENCION ES DESCRIBIR UNA SOLUCION DE PRODUCCION Y LA CONSTRUCCION NECESARIA DE RECUBRIMIENTO REQUERIDO PARA LA ELABORACION ECONOMICA DE CELULAS SOLARES CIS CON ADHERENCIA ASEGURADA A LAS BANDAS DE COBRE. ESTE OBJETIVO SE CONSIGUE DE ACUERDO CON LA INVENCION COMO SIGUE: EN UNA PRIMERA ETAPA, LA BANDA DE COBRE PREVIAMENTE LIMPIA ES RECUBIERTA GALVANICAMENTE DE FORMA CONTINUA SOBRE UNA CARA CON INDIO; EN UNA SEGUNDA ETAPA LA BANDA DE COBRE RECUBIERTA CON INDIO ES CALENTADA MUY RAPIDAMENTE EN UN PROCESO DE CONTACTO CON UN CUERPO DE GRAFITO CALENTADO Y PUESTA EN CONTACTO SOBRE UNA CARA CON UNA RANURA PEQUEÑA GAS SOPORTE CONTENIENDO AZUFRE O SELENIO CALENTADO; EN UNA TERCERA ETAPA, EL RECUBRIMIENTO SUPERFICIAL DE SULFURO…