CIP-2021 : H01L 21/3105 : Postratamiento.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/3105 · · · · · · Postratamiento.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Tratamiento superficial de silicio.
(12/03/2019) Un método de formación de un patrón de conductor sobre un sustrato semiconductor de silicio que tiene una capa anti-reflectante de nitruro de silicio sobre el mismo, comprendiendo el método las etapas de:
(a) modificar la energía superficial de la capa anti-reflectante por medio de contacto de la capa anti-reflectante con una composición que comprende un tensioactivo que contiene flúor, donde el tensioactivo que contiene flúor está seleccionado entre el grupo que consiste en ácido perfluoroalquil sulfónico y sales del mismo, fosfatos de perfluoroalquilo, aminas de perfluoroalquilo, óxidos de perfluoroalquilo y sulfonatos de perfluoroalquilo;
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COMPOSICION PARA LA PULIMENTACION MECANICA-QUIMICA DE CAPAS DE UN MATERIAL AISLANTE A BASE DE UN POLIMERO CON UNA BAJA CONSTANTE DIELECTRICA.
(01/03/2005). Solicitante/s: CLARIANT FINANCE (BVI) LIMITED. Inventor/es: JACQUINOT, ERIC, LETOURNEAU, PASCAL, RIVOIRE, MAURICE.
Una composición para la pulimentación mecánica- química de una capa de un material aislante a base de un polímero con una baja constante dieléctrica, caracterizada dicha composición de pulimentación por comprender una solución acuosa ácida de sílice coloidal cationizada que contiene partículas de sílice coloidal individualizadas no enlazadas entre sí por enlaces siloxano.
COMPOSICION ABRASIVA PARA LA INDUSTRIA ELECTRONICA.
(16/09/2003). Solicitante/s: CLARIANT (FRANCE) S.A.. Inventor/es: JACQUINOT, ERIC, LETOURNEAU, PASCAL, RIVOIRE, MAURICE.
Una composición abrasiva para la industria de los circuitos integrados electrónicos que comprende una suspensión ácida acuosa de partículas de sílice coloidal individualizadas no unidas entre sí por lazos de siloxano y un tensioactivo abrasivo, siendo este abrasivo para el pulido químico mecánico en la industria de los circuitos integrados, que comprende un tejido impregnado por dicha composición y un proceso para el pulido mecánico químico.
NUEVO PROCEDIMIENTO PARA EL PULIDO MECANICO-QUIMICO DE CAPAS DE MATERIALES AISLANTES A BASE DE DERIVADOS DEL SILICIO O DE SILICIO.
(16/06/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: CLARIANT (FRANCE) S.A.. Inventor/es: JACQUINOT, ERIC, RIVOIRE, MAURICE.
METODO DE LIMPIEZA MECANICO - QUIMICA DE UNA CAPA DE MATERIAL AISLANTE A BASE DE SILICIO O DE UN DERIVADO DEL SILICIO EN EL CUAL SE PROCEDE A UNA ABRASION DE LA CAPA DE MATERIAL AISLANTE FROTANDOLA CON AYUDA DE UN TEJIDO QUE APLICA UN ABRASIVO FORMADO POR UNA SUSPENSION ACUOSA ACIDA DE SILICE COLOIDAL QUE CONTIENE PARTICULAS DE SILICE COLOIDAL INDIVIDUALIZADAS, NO UNIDAS ENTRE ELLAS POR ENLACES SILOXANO, Y AGUA COMO MEDIO DE SUSPENSION Y NUEVOS ABRASIVOS A BASE DE TALES SUSPENSIONES.
PROCESO DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR, EN PARTICULAR PARA EL TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE.
(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: POINGT, FRANCIS, LIEVIN, JEAN-LOUIS, GAUMONT-GOARIN, ELISABETH.
PROCESO DE TRATAMIENTO LOCALIZADO EN UN SALIENTE, EN PARTICULAR DE LITOGRABADO SOBRE SUSTRATO SEMICONDUCTOR. SEGUN ESTE PROCESO SE LLEVA UNA RESINA DE PROTECCION UTILIZADA PARA EL LITOGRABADO A FLUIR BAJO EL EFECTO DE SU TENSION SUPERFICIAL PARA AUMENTAR SU ESPESOR ALREDEDOR DE UN SALIENTE SOBRE LA QUE SE DEBE FORMAR UNA VENTANA . LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE LOS LASERES SEMICONDUCTORES.
SEMICONDUCTOR CON AISLACION DE FOSO RELLENADO POR FLUJO.
(01/06/1998) SE DESCRIBE UN FOSO QUE PROVEE UNA AISLACION ELECTRICA ENTRE TRANSISTORES EN UN SUBSTRATO DE CIRCUITO INTEGRADO. SE RECUBRE EL FOSO CON UNA BARRERA DE DIFUSION, TIPICAMENTE UN OXIDO TERMICO SEGUIDO DE UNA CAPA ALIVIADORA DE LAS TENSIONES TERMICAS, FORMADA TIPICAMENTE POR TEOS. LUEGO SE DEPOSITA UN MATERIAL DE RELLENO, TIPICAMENTE BPTEOS, PARA RELLENAR EL FOSO Y CUBRIR LA SUPERFICIE SUPERIOR DE LA PLACA DE CONTACTO. SE CALIENTE EL METERIAL DE RELLENO PARA QUE FLUYA. LUEGO SE SOMETE LA SUPERFICIE EXTERIOR DEL MATERIAL DE RELLENO FLUIDIFICADO A UN ATAQUE QUIMICO SELECTIVO TRASERO QUE HACE QUE LA SUPERIFICIE SUPERIOR DEL FOSO RELLENO SOBRESALGA…
FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO, QUE INCLUYE UN METODO DE BAJA TEMPERATURA PARA ELABORAR ESTRUCTURAS DE SILICIURO.
(16/05/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: CHEN, MIN-LIANG, LEUNG, CHUNG WAI, MARTIN, EDWARD P., JR.
EN UN METODO DE FABRICACION DE CIRCUITO INTEGRADO DE SEMICONDUCTOR, USO DE BORO Y FOSFORO CON ADITIVO TEOS (POR EJEMPLO, BPTEOS) DEBIDO A QUE UN PRIMER NIVEL DIELECTRICO PERMITE QUE EL DIELECTRICO CIRCULE A UNA TEMPERATURA MAXIMA DE 800 (POR) C. EN CONSECUENCIA, LA FUENTE TISI2 Y LOS CONTACTOS DE CONSUMO SE UTILICEN EN UN TRANSITOR DE EFECTO DE CAMPO SIN SUFRIR NUCLEACION Y AUMENTO DANDO POR RESULTADO AUMENTO DE TAMAÑO DEL GRANO, ASI RESISTENCIA AUMENTADA. UNA CAPA DE TEOS SE PUEDE DEPOSITAR ANTES QUE LA CAPA DE BPTEOS PARA IMPEDIR QUE LAS ESQUINAS VIVAS EN LA VALVULA DE COMPUERTA OCASIONEN POCA CONSISTENCIA Y POSIBLE ROTURA DE LA CAPA BPTEOS.
UN METODO DE PRODUCCION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/12/1977). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
