CIP-2021 : H01L 29/423 : que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/423 · · · que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Estructura de transistor de película delgada que tiene canal tridimensional en forma de aleta y método de fabricación.
(01/07/2020) Un método de preparación de una estructura de transistor de película delgada con un canal tridimensional en forma de aleta, que es a lo largo de la dirección de la longitud del canal, grueso en un medio y delgado en ambos lados, en el que un proceso de preparación es específicamente como sigue:
(a) depositar y grabar un electrodo de compuerta inferior sobre un sustrato ;
(b) depositar una capa dieléctrica inferior en una parte superior de una estructura obtenida del paso (a), y depositar secuencialmente una película semiconductora sobre la capa dieléctrica inferior;
(c) grabar la película semiconductora para obtener un canal en forma de aleta;
(d) depositar respectivamente un electrodo…
Dispositivo semiconductor de puerta aislada de potencia de conmutación rápida.
(27/04/2016). Solicitante/s: AMBIXTRA (PTY) LTD. Inventor/es: VISSER, BAREND, DE JAGER,OCKER CORNELIS.
Un dispositivo de puerta aislada que comprende una fuente conectada a un terminal de fuente de una puerta conectado a un terminal de puerta y medios de capacitancia de entrada que proporcionan la capacidad de entrada (CG) entre el terminal de puerta y el terminal de fuente, los medios de capacidad de entrada comprendiendo o bien un condensador en serie entre la puerta y el terminal de puerta o una capa de aislamiento que tiene un espesor suficiente (dins) entre la puerta y un canal del dispositivo de tal manera que cuando el dispositivo es conmutado entre un estado apagado y un estado encendido, una relación de (Cfiss/Ciiss) entre un valor final de la capacitancia de entrada (Cfiss) cuando el dispositivo está encendido y un valor inicial de la capacitancia de entrada (Ciiss) cuando el dispositivo está apagado es de 1 < Cfiss/Ciiss <2,0.
PDF original: ES-2578678_T3.pdf
Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada.
(24/02/2016) Un conductor de alta frecuencia , que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad,
en el que la relación de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivisión del material de base, perpendicularmente a la dirección de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que están distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad así como conectados entre sí eléctrica y mecánicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparación con una conformación del material de base en la que se había suprimido esta subdivisión
caracterizado por que
por lo…
ACOPLADOR DE ANTENA Y SOPORTE PARA TERMMINALES DE RADIOTELEFONIA MOVIL.
(16/04/2007) Soporte para una terminal de radiotelefonía móvil , donde el soporte con una interfase para la conexión de una antena externa , en especial una antena para un vehículo automotor, y con una estructura de acoplamiento para el acoplamiento electromagnético de señales HF entre el soporte y la antena de una terminal de radiotelefonía móvil que se encuentra en el soporte y donde la estructura de acoplamiento se dispuso de modo tal en el soporte , que estando colocada la terminal de radiotelefonía móvil , la estructura de acoplamiento se ubica por debajo de la terminal de radiotelefonía móvil próximo a la terminal…
FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: TOTEM SEMICONDUCTOR LTD. Inventor/es: EVANS, JONATHAN LESLIE.
UN METODO PARA FORMAR UN FOSO DOPADO COMO PARTE DE LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR TAL COMO UN DISPOSITIVO DE POTENCIA CON PUERTA DE FOSO, TRANSISTOR LOGICO O CELDA DE MEMORIA. SE FORMA UN FOSO EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR USANDO UNA MASCARA . EL FOSO ESTA PARCIALMENTE RELLENO CON UN MATERIAL DE ELECTRODO Y SE DOPAN LAS PAREDES DEL FOSO CON LA MASCARA TODAVIA PUESTA.
IMPLANTACION DE TRANSISTORES DE POTENCIA DE RADIOFRECUENCIAS.
(16/03/2002). Solicitante/s: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Inventor/es: LEIGHTON, LARRY, JOHANSSON, TED, HAMBERG, IVAR.
SE PROPORCIONA UNA INSTALACION PARA TRANSISTORES DE POTENCIA RF QUE REDUCE LA INDUCTANCIA COMUN DEL CONDUCTOR ELECTRICO Y LOS FALLOS DE FUNCIONAMIENTO ASOCIADOS. UNA CELULA TRANSISTORA RF SE ROTA 90 (GRADOS) CON RESPECTO A LA CELULA TRANSISTORA CONVENCIONAL DE MODO QUE UNOS ADAPTADORES DE CONEXION SE SITUEN DE FORMA MAS PROXIMA AL BORDE DE UNA HILERA DE ESTIRAR ALAMBRE DE SILICIO, REDUCIENDO LA LONGITUD DEL CONDUCTOR DE CONEXION Y POR LO TANTO MEJORANDO EL FUNCIONAMIENTO A FRECUENCIAS ELEVADAS. LA SITUACION DEL ADAPTADOR DE CONEXION Y LA DISTRIBUCION DE LAS DIFERENTES PIEZAS DE LA INSTALACION DEL TRANSISTOR REDUCEN AUN MAS LA INDUCTANCIA COMUN DE LOS CONDUCTORES ELECTRICOS.
TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION QUE UTILIZA ELECTRODOS DE ZONA TERMINAL DE CONEXION DE TERMINACION DE CAMPO.
(01/06/2001). Solicitante/s: RAYTHEON COMPANY. Inventor/es: HOOPER, WILLIAM W., CASE, MICHAEL G., NGUYEN, CHANH N.
UN TRANSISTOR BIPOLAR DE ALTA TENSION (10'') Y UN METODO DE FABRICACION SE REVELA QUE COMPRENDE UN ELECTRODO DE BLINDAJE (O ELECTRODO DE TERMINACION DE CAMPO) LOCALIZADO ENTRE LOS ATENUADORES DE ADHERENCIA Y EL MATERIAL SEMICONDUCTOR SBYACENTE. EL ELECTRODO DE BLINDAJE ESTA INSERTADO ENTRE DOS CAPAS DIELECTRICAS AISLANTES . LA ALTA TENSION APLICADA AL ATENUADOR DE ADHERENCIA ESTABLECE UN CAMPO ELECTRICO ENTRE EL ATENUADOR DE ADHERENCIA Y EL ELECTRODO DE BLINDAJE , QUE PREVIENE LA PENETRACION DE CAMPO E INVERSION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBYACENTE. USANDO ESTA ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA, UNA CORRIENTE DE FUGA BAJA Y UNA TENSION DE RUPTURA ALTA SE MANTIENE EN EL TRANSISTOR (10''). LA PRESENTE ESTRUCTURA DE TERMINACION DE CAMPO SOLAPADA SUMINISTRA UNA TERMINACION DE CAMPO EFECTIVA INFERIOR AL ATENUADOR DE ADHERENCIA , Y SU DISEÑO DE SOLAPAMIENTO, SUMINISTRA PARA UN TRANSISTOR MAS COMPACTO (10").
