CIP-2021 : C30B 25/14 : Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
C30B 25/14 · · Medios de introducción y evacuación de gases; Modificación de la corriente de gases reactivos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Aparato de deposición química de vapor asistida por plasma de microondas.
(27/09/2017). Solicitante/s: IIA Technologies Pte. Ltd. Inventor/es: MISRA,DEVI SHANKER.
Un aparato para cultivar diamantes, comprendiendo el aparato:
una o más cámaras , estando cada cámara en conexión fluida con una o más otras cámaras , comprendiendo cada cámara uno o más conjuntos de plataforma de sustrato dentro de la cámara para soportar una plataforma de sustrato ,
en donde el conjunto de plataforma de sustrato comprende una placa , dicha plataforma de sustrato y un reflector periférico ; estando soportados la plataforma de sustrato y el reflector periférico en la parte superior de la placa ,
caracterizado por que
las cámaras están dispuestas en serie con tubos de flujo de gas entre cada cámara, o las cámaras están dispuestas en una red de manera que cada cámara está conectada a una cámara adyacente, para permitir el flujo de gas entre las cámaras.
PDF original: ES-2652129_T3.pdf
Procedimientos y aparatos para reactores de deposición.
(18/05/2016) Un procedimiento que comprende:
guiar vapor precursor a lo largo de al menos un conducto de alimentación al interior de una cámara de reacción de un reactor de deposición; y
depositar material sobre las superficies de un lote de sustratos colocados verticalmente en la cámara de reacción mediante el establecimiento de un flujo vertical del vapor precursor en la cámara de reacción y hacer que entre en una dirección vertical entre los citados sustratos colocados verticalmente, de manera que el vapor precursor fluya desde el lado superior de un espacio de reacción al lado inferior del espacio de reacción esencialmente en la misma dirección vertical para lela a lo largo de cada una de las citadas superficies;
en el que el citado vapor precursor es alimentado a través de una tapa de la cámara de reacción al interior de un volumen de expansión y…
Aparato y método de crecimiento cristalino.
(08/07/2015) Un aparato para el crecimiento cristalino, de manera que el aparato comprende:
una cámara de aporte , configurada para contener un material de aporte ;
una cámara de crecimiento ;
un paso para el transporte de vapor desde la cámara de aporte hasta la cámara de crecimiento ;
un soporte , dispuesto dentro de la cámara de crecimiento y configurado para soportar un cristal seminal ; y
un espacio de separación , definido entre la cámara de crecimiento y el soporte ;
de tal modo que el coeficiente de dilatación térmica del soporte es mayor que el coeficiente de dilatación térmica de la cámara de crecimiento, y de forma que los materiales y dimensiones del soporte y de la cámara de crecimiento se han seleccionado…
PURIFICADOR DE GAS BASADO EN GETTER, SU UTILIZACION EN UN SISTEMA DE FABRICACION DE SEMICONDUCTORES Y METODO PARA LA FABRICACION DE UN DISPOSITIVO DE CIRCUITO INTEGRADO Y METODO DE PROTECCION DE UNA COLUMNA GETTER.
(16/12/2005). Solicitante/s: SAES PURE GAS INC. Inventor/es: LORIMER, D\'ARCY, H., APPLEGARTH, CHARLES, H.
Purificador de gas basado en getter, que comprende: - una columna getter que tiene un recipiente metálico con una entrada , una salida y un tabique de retención que se extiende entre dicha entrada y dicha salida , poseyendo dicho recipiente material getter dispuesto en su interior; - una primera válvula de aislamiento en comunicación de fluido con dicha entrada de dicho recipiente ; - una válvula de ventilación en comunicación de flujo con dicha entrada del recipiente ; - una segunda válvula de aislamiento en comunicación de fluido con dicha salida del recipiente ; - un primer sensor de temperatura dispuesto en la parte superior de dicho material getter.
CAMARA DE REACCION PARA UN REACTOR EPITAXIAL.
(01/06/2004) Cámara de reacción perfeccionada para un reactor epitaxial que comprende una campana fabricada de un material aislante y transparente, tal como cuarzo, un elemento de susceptibilidad provisto de cavidades (34a-n) con forma de disco para recibir plaquetas (36a-n) de material a tratar, y una placa aislante y químicamente resistente dispuesta sobre la misma, caracterizada porque emplea: un difusor formado por la tapa de un elemento de cúpula central conectada a una cámara de distribución anular simétrica provista de una pluralidad de tubos (106a-f) de igual longitud que conectan dicha cámara anular de la tapa con una zona de cúpula de la campana situada justo debajo de un cuello que conecta una pestaña superior con la cúpula , garantizando dicha pluralidad de tubos…
SISTEMA DE PROCESO SIN AIRE.
(16/05/1998). Solicitante/s: PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.. Inventor/es: NOWOTARSKI, MARK STEPHEN, BRESTOVANSKY, DENNIS FRANCIS, PLANTE, WALTER.
UN APARATO Y UN METODO PARA PROCESAR UNA PIEZA DE TRABAJO EN UN AMBIENTE SIN AIRE DEL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PREPARACION TIENE UNA ABERTURA PARA LA ENTRADA DE LA PIEZA DE TRABAJO Y UN DIFUSOR ORIENTADO PARA EMITIR A TRAVES DE LA ABERTURA DEL RECIPIENTE UN FLUJO LAMINAR EN FORMA DE CORTINA DEL GAS SELECCIONADO QUE ENTRA, PURGA EL RECIPIENTE Y EVITA LA INFILTRACION DE AIRE. SE TRANSPORTA LA PIEZA DE TRABAJO SOBRE SU TRANSPORTADOR AL RECIPIENTE DE PREPARACION EN DONDE SE PURGA EL AIRE Y SE SUBSTITUYE POR EL GAS SELECCIONADO. UN RECIPIENTE DE PROCESO TIENE UN DIFUSOR Y UNA ABERTURA DE ENTRADA PARA PIEZAS DE TRABAJO SIMILARES. SE HACE QUE COINCIDAN LAS ABERTURAS DEL RECIPIENTE DE PREPARACION Y DE PROCESO Y SE INTRODUCE EL TRANSPORTADOR EN EL RECIPIENTE DE PROCESO PARA EL PROCESO DE LA PIEZA DE TRABAJO EN EL AMBIENTE DEL GAS SELECCIONADO SUMINISTRADO POR EL DIFUSOR DEL RECIPIENTE DE PROCESO.
SOPORTE PARA UNA PIEZA EN FORMA DE DISCO Y CAMARA PARA UN PROCESO DE VACIO.
(01/07/1993). Solicitante/s: BALZERS AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: WAGNER, RUDOLF, HIRSCHER, HANS, DR.
EL INVENTO SE REFIERE A UN SOPORTE: FORMADO POR SALIDAS DE GAS DISTRIBUIDAS POR SU SUPERFICIE Y ORIFICIOS DE RETORNO DE GAS: UTILIZADO PARA LA TRANSMISION DE CALOR POR UNA PIEZA, TRABAJANDO A VACIO Y CARACTERIZADO PORQUE; SE FORMA ENTRE EL SOPORTE Y LA PIEZA UNA CAPA DINAMICA CON GAS; EL GAS DE CONDUCCION DE CALOR ACTUA ENTRE EL SOPORTE Y LA PIEZA Y LA SALIDA DE GAS DESEMBOCA EN UN ESPACI DE DISTRIBUCION CONFORMADO COMO RANURA.
FUENTE DE REACTIVO PARA EMISION DE RAYO MOLECULAR.
(01/12/1991). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: TUPPEN, CHRISTOPHER GEORGE, ANDREWS, DAVID ARTHUR.
UN CONJUNTO FUENTE ADAPTADO PARA SUMINISTRAR UNO O MAS COMPUESTOS ORGANOMETALICOS EN UNA CAMARA DE REACCION MBE DONDE EL CONJUNTO FUENTE COMPRENDE UN COLECTOR MEZCLADOR QUE TIENE UNA O MAS CONEXIONES DE ENTRADA PARA SUMINISTRAR LOS COMPUESTOS ORGANOMETALICOS. CADA CONEXION DE ENTRADA INCLUYE UNA PROPORCION DE FLUJO DE VAPOR DEL COMPUESTO ORGANOMETALICO BAJO GRADIENTE DE PRESION PREDETERMINADO Y UNA VALVULA PARA/NO PASA PARA SELECCIONAR EL ESTADO DE FUNCIONAMIENTO DE LA FUENTE. PREFERENTEMENTE EL COLECTOR MEZCLADOR ACTUA COMO UN COLIMADOR QUE EVITA LA NECESIDAD DE MONTAR UN SUSTRATO ROTATIVO.