CIP-2021 › H › H01 › H01L › H01L 21/00 › H01L 21/3065[7] › Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.
Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
- Los grupos H01L 21/70 tienen prioridad sobre los grupos H01L 21/02 - H01L 21/67 .
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/3065 · · · · · · · Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.
(08/01/2020). Solicitante/s: Global Orthopaedic Technology Pty Limited. Inventor/es: JUODKAZIS,SAULIUS, IVANOVA,ELENA.
Una superficie biocida sintética que comprende un conjunto de nanopuntas desordenadas que son letales para las células de dicha superficie, donde al menos algunas de dichas nanopuntas están ramificadas.
PDF original: ES-2778173_T3.pdf
(01/05/2019). Solicitante/s: Memsstar Limited. Inventor/es: O\'HARA,Anthony.
Un método de ataque químico de silicio (Si) en una cámara de proceso para producir una o más microestructuras, comprendiendo el método las etapas de: (a) producir un vapor de material de ataque químico que comprende difluoruro de xenón (XeF2) a partir de una fuente de material de ataque químico; (b) transportar vapor de material de ataque químico a la cámara de proceso suministrando un gas portador a la fuente de material de ataque químico, transportando a continuación el gas portador el vapor de material de ataque químico a la cámara de proceso; y (c) introducir un gas secundario que consiste en hidrógeno en la cámara de proceso, en donde el gas secundario reacciona con subproductos de ataque químico de silicio (Si).
PDF original: ES-2732128_T3.pdf
(21/05/2014) Un procedimiento de formación de superficie irregular usando un procedimiento de grabado con plasma, que forma un patrón (14a) de superficie irregular sobre un sustrato, que es un sustrato provisto de una capa de resina sobre una base , y que usa una película de sal de metal parcialmente oxidada que tiene una superficie (12a) irregular como una capa (12') protectora cuando se lleva a cabo el procedimiento de grabado con plasma, en el que el procedimiento comprende los procedimientos primero a tercero siguientes: en el primer procedimiento, se forma una película de sal de metal sobre el sustrato mediante el revestimiento de un material líquido que contiene una sal de metal, en el segundo procedimiento,…
(10/02/2012) Un aparato de procesamiento con plasma que comprende dentro de una cámara sellable : un cuerpo estructural interno que está dispuesto para estar separado de una superficie de pared interna a la cámara y que forma un espacio interno para alojar un sustrato que sirve como objeto de procesamiento; una sección de soporte del sustrato que está adaptada para alojar el sustrato dentro del espacio interno; medios de suministro de gas reactivo para suministrar un gas reactivo al espacio interno; un cátodo y un ánodo que están soportados por el cuerpo estructural interno y dispuestos en ambos lados del sustrato dentro del espacio interno y que están adaptados para generar en uso una descarga de…
(01/05/2004) La invención se refiere a un procedimiento para eliminar conjuntamente el material aislante innecesario y la película protectora de las paredes laterales después del ataque químico en un proceso con protección de paredes laterales, haciendo posible simplificar el proceso para la preparación de semiconductores, etc. El procedimiento, de acuerdo con la presente invención, comprende eliminar el material aislante innecesario que queda después del ataque en un procedimiento de protección de paredes laterales con una marca aislante presente en el sustrato semiconductor como una máscara, y una película protectora de las paredes laterales depositada en las paredes laterales de la marca, dicho procedimiento comprende los pasos de aplicar una hoja adhesiva sensible a la presión…
(16/11/2002) LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO PARA PRODUCIR UN PROCESO DE FIBRA OPTICA CON AL MENOS DOS GUIAS DE LUZ EN UN PLANO Y UN ELEMENTO DE CONMUTACION OPTICA MOVIL FORMADO POR UN DISCO CHIP EN EMPAREDADO . EN UNA PRIMERA OPERACION, LA CAPA DE RECUBRIMIENTO SE ENMASCARA DE MANERA QUE, DESPUES DE ESTA CAPA, PREFERENTEMENTE LAS ZONAS PARCIALMENTE MOVILES , EXPUESTAS TRANSVERSALMENTE, SOBRE TODO DEL ELEMENTO DE CONMUTACION , TENGAN UNA ANCHURA ESTRECHA, Y QUE UNAS AREAS PARCIALES DE CONMUTACION FIJADAS AL SUBSTRATO BASE TENGAN UNA SEGUNDA ANCHURA MAYOR QUE LA PRIMERA. EN UNA SEGUNDA OPERACION, LAS AREAS ABIERTAS DE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO ENMASCARADA SE ATACAN EN UN PROCESO DE MORDENTADO EN SECO CON UN ATAQUE…