CIP-2021 : H01L 31/107 : funcionando la barrera de potencial en régimen de avalancha, p. ej. fotodiodo de avalancha.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
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CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Fotodiodo de avalancha con acomplamiento de guía de ondas y método de fabricación del mismo.
(21/05/2019) Un fotodiodo de avalancha, que comprende:
un sustrato aislante de germanio, GeOI, en donde:
una capa de absorción de germanio-intrínseco, I-Ge, se dispone sobre el sustrato GeOI para la absorción de una señal óptica y la generación de portadoras foto-generadas;
una segunda capa de silicio-germanio tipo-p, SiGe, se dispone sobre la capa de absorción de I-Ge , y una primera capa de SiGe tipo-p se dispone sobre la segunda capa de SiGe tipo-p , en donde un contenido de germanio, Ge, en la primera capa de SiGe tipo-p y en la segunda capa de SiGe tipo-p es inferior o igual al 20%;
una primera capa de dióxido de silicio, SiO2 se dispone adicionalmente sobre el sustrato…
Dispositivo para la medición óptica de la distancia.
(02/11/2016) Dispositivo de medición para la medición óptica de la distancia, particularmente, dispositivo de medición manual, que comprende:
un dispositivo de emisión para emitir una radiación de medición óptica a un objeto de destino ;
un dispositivo de análisis que comprende al menos un dispositivo de determinación de la distancia diseñado para determinar un tiempo de vuelo de la radiación de medición entre una emisión desde el dispositivo de emisión y una detección de la radiación de medición que vuelve del objeto de destino y determinar a partir de ello una distancia, un dispositivo de recepción con una superficie de detección para detectar la radiación de medición óptica que vuelve del objeto de destino , en donde la superficie de detección comprende una pluralidad de píxeles …
APARATO RECEPTOR LÁSER BASADO EN FOTODIODO DE AVALANCHA TERMORREGULADO CON CONTROL EMBEBIDO.
(28/08/2012) Aparato receptor láser basado en fotodiodo de avalancha termorregulado con control embebido, para la recepción de haces láser modulados en formato binario, con un fotodiodo de avalancha que se encuentra sometido a tres lazos de control regulados por un microcontrolador :
- un lazo de control térmico encargado de mantener estable la temperatura del fotodiodo de avalancha ;
- un lazo de control de sensibilidad del fotodiodo encargado de mantener estable la fotosensibilidad del fotodiodo de avalancha ;
- un lazo de control de ganancia RMS encargado de controlar la ganancia y mantener la estabilidad de la señal proveniente del fotodiodo de avalancha .
Aplicable para comunicaciones ópticas por láser.
APARATO RECEPTOR LÁSER BASADO EN FOTODIODO DE AVALANCHA TERMORREGULADO CON CONTROL EMBEBIDO.
(09/08/2012). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE MALAGA. Inventor/es: ROMERO SANCHEZ,JORGE, FERNANDEZ RAMOS,RAQUEL, MARTIN CANALES,JOSE FRANCISCO, RIOS GÓMEZ,FRANCISCO JAVIER, MARTÍN MARTÍN,FRANCISCO JAVIER.
Aparato receptor láser basado en fotodiodo de avalancha termorregulado con control embebido, para la recepción de haces láser modulados en formato binario, con un fotodiodo de avalancha que se encuentra sometido a tres lazos de control regulados por un microcontrolador : un lazo de control térmico encargado de mantener estable la temperatura del fotodiodo de avalancha ; un lazo de control de sensibilidad del fotodiodo encargado de mantener estable la fotosensibilidad del fotodiodo de avalancha ; un lazo de control de ganancia RMS encargado de controlar la ganancia y mantener la estabilidad de la señal proveniente del fotodiodo de avalancha . Aplicable para comunicaciones ópticas por láser.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.
(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITY OF SURREY. Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED, QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.
PERFECCIONAMIENTOS EN DETECTORES DE IONIZACION ACUMULATIVA.
(16/04/1981). Solicitante/s: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
FOTODETECTORES DE IONIZACION ACUMULATIVA. COMPRENDE UNA PLURALIDAD DE CAPAS SEMICONDUCTORAS DE TIPO DE CONDUCTIVIDAD ALTERNATIVAMENTE OPUESTO. LAS HETEROUNIONES EN LAS ETAPAS AMPLIFICADORAS, ESTAN FORMADAS POR LAS CAPAS P Y N (10 Y 11; 12 Y 13; 14 Y 15) Y LAS HETEROUNIONES (1.4 Y 1.5) FORMADAS ENTRE LAS CAPAS N Y P (11 Y 12; 13 Y 14). AL APLICAR TENSION A LOS ELECTRODOS , FABRICADOS SOBRE LAS CAPAS P , SE PROPORCIONA POLARIDAD DIRECTA A LAS HETEROUNIONES Y POLARIDAD INVERSA A LAS HETEROUNIONES Y SIRVEN PARA SEPARAR LAS LAGUNAS ACUMULADAS EN LAS TRAMPAS DEL DISPOSITIVO ; ESTA SEPARACION DE LAGUNAS AYUDA TAMBIEN A MEJORAR EL TIEMPO DE RESPUESTA DEL DISPOSITIVO.
