CIP-2021 : H01S 5/10 : Estructura o forma del resonador óptico.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO.
H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00).
H01S 5/10 · Estructura o forma del resonador óptico.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo láser de frecuencia sintonizable.
(29/05/2019) Un dispositivo láser de frecuencia sintonizable que comprende una cavidad de láser formada a partir de múltiples componentes ópticos,
los múltiples componentes ópticos que comprenden una fuente láser para generar un haz de luz, un elemento de sintonización espectral y uno o más componentes ópticos adicionales para dirigir el haz de luz al elemento de sintonización espectral,
en donde al menos uno de los múltiples componentes ópticos es móvil en un primer grado de libertad y dicho movimiento de dicho al menos un componente óptico móvil en el primer grado de libertad altera simultáneamente…
Dispositivo de láser con haz provisto de un momento angular orbital controlado.
(28/02/2018) Un dispositivo de láser , para generar una onda óptica de fase de forma helicoidal que comprende:
- una región de ganancia , situada entre un primer extremo definido por un primer espejo y un segundo extremo definido por una región de salida,
- un segundo espejo , dispuesto para formar con el primer espejo una cavidad óptica que incluye la región de ganancia y un espacio entre la región de salida y el segundo espejo ,
- un medio para bombear la región de ganancia para generar la onda óptica, y
- por lo menos un medio para conformar los perfiles de la intensidad de la luz y/o la fase de la onda óptica, y dispuesto para seleccionar, por lo menos, un modo transversal rotatorio - simétrico de la onda óptica, siendo elegido dicho modo transversal rotatorio - simétrico de entre…
Láser pulsado anclado en modos con absorbente saturable.
(09/01/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE ALCALA.. Inventor/es: GONZÁLEZ HERRÁEZ,Miguel, VILLAFRANCA VELASCO,Aitor, JIMÉNEZ RODRIGUEZ,Marco, MONTEAGUDO LERMA,Laura, NARANJO VEGA,Fernando B, MONROY FERNÁNDEZ,Eva M.
Láser pulsado anclado en modos cuyo resonador óptico comprende un absorbente saturable basado en nitruros de grupo III. El uso de este tipo de materiales como absorbente saturable permite alcanzar una elevada estabilidad y energía de emisión sin aumentar la complejidad del sistema.
PDF original: ES-2649046_A1.pdf
(08/06/2016) Una fuente óptica que comprende:
I) una sección de cavidad de láser dispuesta entre un primer reflector óptico y un segundo reflector óptico, la sección de cavidad de láser comprende:
A. una sección de ganancia óptica; y,
B. una sección de control de fase óptica en comunicación óptica con la sección de ganancia, y configurada para poder cambiar la frecuencia de modo longitudinal de la fuente óptica;
y,
II) un filtro óptico externo y en comunicación óptica con la sección de la cavidad del láser; en el que: al menos uno de los primeros o segundos reflectores ópticos es un reflector óptico parcial; y, el filtro óptico está configurado para recibir luz láser desde uno de dichos al menos…
Dispositivo láser de emisión de ondas terahercios.
(25/04/2012) Dispositivo láser de emisión de onda en una gama de frecuencia comprendida entre 0,5 THz y THz queincluye una heteroestructura semiconductora , siendo dicha heteroestructura de forma cilíndrica de seccióncircular, e incluyendo:
- una primera capa de material semiconductor ópticamente no lineal que incluye medios emisores ,
- una segunda capa y una tercera capa de material semiconductor que presenta cada una un índiceóptico más bajo que el índice del material utilizado para dicha primera capa y situadas sobre una parte yotra de dicha primera capa ;
- al menos una capa metálica situada en un extremo de dicha heteroestructura ,
caracterizada porque estos medios emisores son aptos para emitir en al menos dos modos de galería ópticos quepertenecen al infrarrojo cercano, estando dichos al menos dos modos de galería confinados en…
SEMICONDUCTOR LASER COMPRIMIENDO UNA PLURALIDAD DE REGIONES ACTIVAS OPTICAMENTE.
(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Inventor/es: MARSH, JOHN HAIG, KIM, SHIN-SUNG.
Un dispositivo láser semiconductor de área amplia que comprende una pluralidad de regiones ópticamente activas ; y una pluralidad de regiones ópticamente pasivas ordenadas sustancialmente en relación lineal a lo largo del eje óptico del láser, incluyendo cada región ópticamente activa una estructura de pozo de quantum , estando separadas unas de otras regiones ópticamente activas adyacentes mediante una respectiva región ópticamente pasiva de pozo de quantum entremezclado , formando cada región ópticamente pasiva una región de difracción que actúa como un filtro de modo espacial para producir selectivamente una sola salida de modo transversal mediante pérdidas de difracción a modos de orden superior.
(16/02/2004). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.. Inventor/es: SHIGEHARA, MASAKAZU, INOUE, AKIRA.
EL APARATO DE FUENTE DE LUZ LASER DE IMPULSO EN EL APARATO OTDR DE LA PRESENTE INVENCION COMPRENDE UN GUIAONDA OPTICO QUE RECIBE Y GUIA LA LUZ EMITIDA DESDE LA PRIMERA CARA TERMINAL EMISORA DE LUZ, EN DONDE EL GUIAONDA OPTICO COMPRENDE UN AREA REFLECTORA QUE REFLEJA SELECTIVAMENTE UNA PARTE DE LA LUZ EMITIDA DESDE UNA CARA TERMINAL EMISORA DE LUZ DE UN DISPOSITIVO EMISOR DE LUZ SEMICONDUCTOR, UN NUCLEO DE AREA REFLACTORA COMPRENDE UNA PRIMERA REJILLA DE DIFRACCION QUE ESTA DISPUESTA EN UN PRIMER AREA Y CUYO INDICE DE REFRACCION CAMBIA PERIODICAMENTE A LO LARGO DE UNA DIRECCION DEL EJE OPTICO, LA PRIMERA REJILLA DE DIFRACCION REFLEJA SELECTIVAMENTE, LA LUZ EMITIDA DESDE LA CARA TERMINAL EMISORA DE LUZ DEL DISPOSITIVO EMISOR DE LUZ SEMICONDUCTOR, UNA PARTE DE LA LUZ DENTRO DE UNA PRIMERA GAMA DE LONGITUDES DE ONDA. Y LA REJILLA DE DIFRACCION ES UNO DE LOS DISPOSITIVOS QUE CONSTITUYEN UN RESONADOR LASER.
Dispositivo óptico de semiconductores.
(16/09/2001) Un método para fabricar un dispositivo óptico de semiconductores, que comprende: formar una guía de ondas pasiva a partir de una pluralidad de capas alternadas de material de guía pasiva y de material de revestimiento sobre un substrato ; formar de una región activa sobre la guía de ondas pasiva ; eliminar por ataque químico el material de la región activa para formar una cara externa en diagonal de la misma, en una primera región extrema del dispositivo; recrecer el material semi-aislante para sustituir el material eliminado mediante ataque químico de la región activa ; eliminar por ataque químico el material de la región activa y el material semi-aislante…
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/03/2001). Solicitante/s: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Inventor/es: LEALMAN, IAN, FRANCIS, ROBERTSON, MICHAEL, JAMES.
UN DISPOSITIVO OPTICO SEMICONDUCTOR, POR EJEMPLO UN LASER, TIENE UNA GUIA DE ONDAS OPTICA COMPUESTA, QUE COMPRENDE UNA GUIA DE ONDAS ACTIVA, CONICA, MQW , EN CONTACTO OPTICO CON UNA GUIA DE ONDAS PASIVA, SUBSTANCIALMENTE PLANA . EL MODO OPTICO FUNDAMENTAL SOPORTADO POR LA GUIA DE ONDAS COMPUESTA VARIA A LO LARGO DE LA LONGITUD DE LA GUIA DE ONDAS COMPUESTA DE MANERA QUE, EN UN LASER, EL MODO DEL LASER SE AGRANDA Y ENCAJA MEJOR CON UNA FIBRA OPTICA DE MODO SIMPLE. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA HACER LOS DISPOSITIVOS OPTICOS SEMICONDUCTORES.
LASER DE EMISION SUPERFICIAL DE CAVIDAD VERTICAL, DE GRAN LONGITUD DE ONDA, CON BOMBA OPTICA INTEGRADA VERTICALMENTE.
(16/01/2001). Solicitante/s: OPTICAL CONCEPTS, INC. Inventor/es: JAYARAMAN, VIJAYSEKHAR.
UN VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA DE ACUERDO A LA PRESENTE INVENCION ESTA OPTICAMENTE ACOPLADO Y OPTICAMENTE BOMBEADO POR UNA LONGITUD DE ONDA MAS CORTA, UN VCSEL ELECTRICAMENTE BOMBEADO . UNA RADIACION DE LONGITUD DE ONDA CORTA EMITIDA DESDE LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL VCSEL SUBYACENTE ES TRANSMITIDA A TRAVES DEL ESPEJO MENOR DEL VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA. LA RADIACION DE LONGITUD DE ONDA LARGA ES EMITIDA PREFERIBLEMENTE DESDE LA SUPERFICIE SUPERIOR DEL VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA. LOS DOS VCSEL DE LONGITUD DE ONDA LARGA. LOS DOS VCSELS ESTAN PREFERIBLEMENTE UNIDOS JUNTOS USANDO UN ADHESIVO OPTICO TRANSPARENTE, UN PROCESO DE UNION DE LAMINAS, O UN METAL PARA UNIR METALES.
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO LASER.
(01/10/2000). Ver ilustración. Solicitante/s: AGFA-GEVAERT AKTIENGESELLSCHAFT. Inventor/es: KAPPELER, FRANZ.
LA INVENCION SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO PARA EL FUNCIONAMIENTO DE UN DIODO LASER QUE EMITE UN HAZ CUYA INTENSIDAD SE REGULA MEDIANTE UNA SEÑAL DE AJUSTE. DICHO HAZ RECORRE UNA PRIMERA TRAYECTORIA EN DIRECCION A LA SUPERFICIE QUE SE VAYA A ILUMINAR, DE MANERA QUE LOS REFLEJOS PARASITOS PROCEDENTES DE DICHA SUPERFICIE, INESTABLES EN CUANTO A DURACION Y/O SITUACION ESPACIAL, ACTUAN SOBRE EL DIODO LASER . CON AYUDA DE UN ELEMENTO ESTABLE , UNA PARTE DE LA LUZ QUE SALE DEL DIODO LASER SE CONDUCE POR UNA SEGUNDA TRAYECTORIA HASTA LA ZONA ACTIVA DEL DIODO , DE MODO QUE DICHO DIODO SE MANTIENE EN UNA SITUACION DE COLAPSO DE COHERENCIA.
