CIP-2021 : H01L 23/051 : estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich".

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).

H01L 23/051 · · · · estando constituida otra conexión por la cubierta paralela a la base, p. ej. de tipo "sandwich".

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Célula de disco mejorada para múltiples componentes semiconductores puestos en contacto a presión.

(04/01/2017) Celda de disco para la puesta en contacto a presión de múltiples componentes semiconductores mediante medios de sujeción que producen una fuerza de sujeción (F), que presenta: una carcasa ; al menos un primer componente semiconductor del primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa; al menos un segundo componente semiconductor de un tipo de construcción diferente al primer tipo de construcción, alojado dentro de la carcasa; comprendiendo la carcasa al menos una placa de presión metálica que engrana sobre el primer y el segundo componentes semiconductores y que está orientada sustancialmente en ángulo recto con respecto a la fuerza de…

COMPONENTE SEMICONDUCTOR DESCONECTABLE DE ALTA TENSION.

(01/04/1998) EN UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR DE ALTA TENSION DESCONECTABLE, EN PARTICULAR EN FORMA DE UN GTO, CON UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR EN FORMA DE DISCO, QUE ESTA DISPUESTO DE FORMA CONCENTRICA EN UNA CAJA AISLANTE DE MODO ANULAR ENTRE UN CONTACTO DE CATODO EN FORMA DE DISCO IMPULSABLE MEDIANTE PRESION Y UN CONTACTO DE ANODO EN FORMA DE DISCO EVENTUALMENTE IMPULSABLE CON PRESION, SE CONTACTA SOBRE LA CARA DEL CONTACTO DE CATODO A TRAVES DE UN CONTACTO GATE. EL CONTACTO DE CATODO ESTA UNIDO POR MEDIO DE UNA PRIMERA TAPA (11A) CON LO QUE UN EXTREMO DE LA CAJA AISLANTE Y EL CONTACTO DE ANODO A TRAVES DE UNA SEGUNDA TAPA (11B)…