PROCEDIMIENTO PARA LA ESTABILIZACION DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..
Resumen no disponible.
CIP-2021 › H › H01 › H01L[u] › DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
Notas[n] de H01L:
- La presente subclase cubre :
- los dispositivos eléctricos de estado sólido no cubiertos por otra subclase, así como sus detalles y comprende: los dispositivos semiconductores adaptados para la rectificación, la amplificación, la generación de oscilaciones o la conmutación; los dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones; los dispositivos eléctricos de estado sólido que utilizan efectos termoeléctricos, superconductores, piezoeléctricos, electroestrictivos, magnetoestrictivos, galvano-magnéticos o de resistencia negativa y los dispositivos de circuitos integrados;
- las fotorresistencias, las resistencias sensibles al campo magnético, las resistencias sensibles al campo eléctrico, los condensadores con barrera de potencial, las resistencias con barrera de potencial o de superficie, los diodos emisores de luz no coherente y los circuitos de película delgada o gruesa;
- los procedimientos y aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de dichos dispositivos, excepto en los casos en que dichos procedimientos no impliquen más que una sola etapa y se pueden clasificar en otro lugar.
- En la presente subclase, las expresiones siguientes tienen el significado abajo indicado:
Las regiones en o sobre el cuerpo del dispositivo (distintos del cuerpo de estado sólido, en sí mismo) que eléctricamente ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido, están consideradas como "electrodos" tanto si tienen como si no tienen conexiones eléctricas externas. Un electrodo puede incluir varias partes, y el término incluye las regiones metálicas que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido a través de una región aislante (p. ej. acoplamiento capacitivo), así como las distribuciones de acoplamiento inductivo con el cuerpo. La región dieléctrica en un dispositivo capacitivo se considerará como una parte del electrodo. En los dispositivos con varias partes, únicamente las que ejercen una influencia sobre el cuerpo de estado sólido en virtud de su forma, dimensiones, o de su disposición, o del material del que están formadas, están consideradas como parte del electrodo. Los otros elementos están considerados como "disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido" o bien como "interconexiones entre los componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común", es decir, los hilos de conexión;
- "oblea" significa una rodaja sustrato de material semiconductor o cristalino que puede ser modificado mediante la difusión de impurezas (dopado), implantación iónica o epitaxia y cuya superficie activa puede ser procesada para obtener matrices ("arrays") de componentes discretos o de circuitos integrados;
- "cuerpo de estado sólido" significa el cuerpo de un material en el interior del cual, o en su superficie, se producen los efectos físicos característicos del dispositivo. En los dispositivos termoeléctricos, esto incluye todos los materiales atravesados por corriente.
- "dispositivo" significa un elemento de circuito eléctrico; en el caso de que un elemento de circuito eléctrico sea uno de una pluralidad de elementos formados en o sobre un sustrato común, se designa por la expresión "componente";
- "dispositivo completo" es un dispositivo en su estado completamente ensamblado que puede o no necesitar un tratamiento ulterior, p. ej. electro-formación, antes de estar preparado para su empleo, pero que no requiere la adición de unidades estructurales adicionales;
- "parte" incluye a todos los elementos estructurales que se incluyen en un dispositivo completo;
- "contenedor" es un recinto que forma parte de un dispositivo completo, y se compone esencialmente de una construcción sólida en el interior de la cual el cuerpo del dispositivo está colocado o bien está formada alrededor del cuerpo, sin constituir una capa en contacto íntimo con éste. Un recinto consistente en una o varias capas formadas sobre el cuerpo y en contacto íntimo con él se designa por la expresión "encapsulado";
- "circuito integrado" es un dispositivo en que todos los componentes, p. ej. diodos, resistencias, están realizados sobre o en un sustrato común, y constituyen el dispositivo incluyendo las interconexiones entre los componentes;
- "ensamblado" de un dispositivo es el montaje del dispositivo a partir de sus componentes estructurales; comprende el llenado de los contenedores.
- En la presente subclase se clasificarán tanto el procedimiento o el aparato para la fabricación o el tratamiento de un dispositivo, como dicho dispositivo en sí mismo, siempre que ambos están descritos de manera suficiente para ser de interés.
- Es importante tener en cuenta la Nota (3) después del título de la sección C, dicha Nota indica a qué versión de la tabla periódica de elementos químicos se refiere la CIP.En esta subclase, el Sistema Periódico utilizado es el sistema de grupo 8 se indica mediante números romanos en la Tabla Periódica en virtud del mismo.
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
Notas[n] de H01L 23/00:
- El presente grupo no cubre :
- los detalles de cuerpos semiconductores o de electrodos de dispositivos previstos en el grupo H01L 29/00, que quedan cubiertos por dicho grupo;
- los detalles particulares de esos dispositivos previstos en un solo grupo principal de los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00, que quedan cubiertos por dichos grupos.
H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
Notas[n] de H01L 27/00:
- En este grupo, a excepción de los grupos H01L 27/115 - H01L 27/11597, se aplica la regla del último lugar, es decir a cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el último lugar apropiado.
- Cuando se clasifica en este grupo, la materia relacionada con memorias de solo lectura programables eléctricamente EPROM se clasifica en el grupo H01L 27/115, con independencia de la regla del último lugar.
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
Notas[n] de H01L 29/00:
- En el presente grupo principal, la clasificación se efectúa a la vez en H01L 29/02, H01L 29/40 y en H01L 29/66 en la medida en que ambos conjuntos de grupos sean adecuados.
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 33/00 Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles (H01L 51/50 tiene prioridad; dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores formados en o sobre un sustrato común y que incluyen componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, especialmente adaptados para la emisión de luz H01L 27/15; láseres de semiconductor H01S 5/00).
Notas[n] de H01L 33/00:
- Este grupo cubre los diodos de emisión de luz [LEDs] o diodos superluminiscentes [SLDs], incluyendo LEDs o SLDs que emiten luz infrarroja [IR] o luz ultravioleta [UV].
- En este grupo, se aplica la regla del primer lugar, es decir en cada nivel jerárquico, salvo que se indique lo contrario, la clasificación se realiza en el primer lugar apropiado
H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 37/00 Dispositivos termoeléctricos sin unión de materiales diferentes; Dispositivos termomagnéticos, p. ej. que utilizan el efecto Nernst-Ettinghausen; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00).
H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
Notas[n] de H01L 41/00:
- El presente grupo no cubre las adaptaciones para fines particulares, que son cubiertas por los lugares apropiados.
- Es importante tener en cuenta los siguientes lugares apropiados:
- B06B para las adaptaciones para producir o transmitir vibraciones mecánicas
- G01 para transductores que sirven como elementos sensores para la medida
- G04C, G04F para transductores adaptados a la utilización en piezas de relojería
- G10K para las adaptaciones para producir o transmitir el sonido
- H02N para la disposición de elementos en máquinas eléctricas
- H03H 9/00 para redes que comprenden elementos electromecánicos o electroacústicos, p. ej. circuitos resonantes
- H04R para altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores análogos
H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 45/00 Dispositivos de estado sólido adaptados para la rectificación, amplificación, producción de oscilaciones o la conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie, p. ej. triodos dieléctricos; Dispositivos con efecto Ovshinsky; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad H01L 39/00; dispositivos piezoeléctricos H01L 41/00; dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen H01L 47/00).
H01L 47/00 Dispositivos de resistencia negativa con efecto de volumen, p. ej. dispositivos de efecto Gunn; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 49/00 Dispositivos de estado sólido no cubiertos por los grupos H01L 27/00 - H01L 47/00 y H01L 51/00 y no cubiertos por otra subclase; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
H01L 51/00 Dispositivos de estado sólido que utilizan materiales orgánicos como parte activa, o que utilizan como parte activa una combinación de materiales orgánicos con otros materiales; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dichos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes formados en o sobre un sustrato común H01L 27/28; dispositivos termoeléctricos que utilizan material orgánico H01L 35/00, H01L 37/00; elementos piezoeléctricos, magnetoestrictivos o electroestrictivos que utilizan material orgánico H01L 41/00).
(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..
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(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..
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(01/11/1976). Solicitante/s: MOTOROLA, INC..
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(16/07/1976) Disposición de semiconductor, caracterizada porque incluye un vástago conductor, un dispositivo semiconductor montado en dicho vástago, de modo que una primera zona de contacto del dispositivo esté conectada térmica y eléctricamente con el mismo, un conductor eléctrico que incluye una porción ensanchada de cabeza que está conectada térmica y eléctricamente con una segunda zona de contacto del dispositivo, un cuerpo configurado para definir un alojamiento en el que está introducido dicho vástago, de modo que el dispositivo quede alojado en el espacio definido entre el vástago y las paredes del alojamiento, extendiéndose el conductor eléctrico a través de una abertura de una de dichas paredes, medios de hermetización, para impedir la entrada de materia extraña a través de dicha abertura…
(16/07/1976) Disposición de rectificación por semiconductores, en la que un cuerpo de material aislante substancialmente plano y una pieza metálica de contacto en forma de placa están apilados de manera coincidente sobre una placa soporte metálica en un taladro central que sirve para su colocación en fila sobre un husillo, con una escotadura correspondiente en dicha placa soporte, y en la que se encuentra dispuesta por lo menos una tableta semiconductora fijada sobre la placa soporte y unida con la pieza de contacto dentro de una abertura excéntrica respecto al taladro central que atraviesa axialmente el cuerpo de material aislante que se encuentra entre la pieza de contacto y la placa soporte, caracterizada porque la placa soporte está prevista simultáneamente como la placa de refrigeración con una gran extensión de superficie, porque la pieza…
(01/07/1976) Elemento de armadura metálica destinado a ser utilizado en la fabricación de una pluralidad de dispositivos semiconductores y para el encapsulado en plástico de dichos dispositivos en un molde de plástico provisto de una pluralidad de, cavidades de moldeo, incluyendo dicho elemento de armadura unos medios de montaje separables en el elemento de armadura, una pluralidad de dispositivos metálicos individuales en grupos predeterminado, estando cada dispositivos metálico de un grupo predeterminado separado de cada uno de los demás dispositivos metálicos de dicho grupo y estando sujeto por una extremidad con el dispositivo de montaje separable, estando un dispositivo metálico de cada…
(16/03/1976). Solicitante/s: SEMIKRON; GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU UND E..
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(01/01/1976). Solicitante/s: RCA CORPORATION.
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(01/08/1975). Solicitante/s: RCA CORP..
Un dispositivo semiconductor caracterizado que consiste de: un substrato, una formación de componentes semiconductores sobre el substrato, cada uno de los componentes estando asociado eléctricamente con la formación por medio de primero, segundo y tercero conectores, el segundo y tercero conectores estando conectados en serie y los segundos conectores siendo de un material que tiene un coeficiente de calidad de fusible inferior, y una resistividad eléctrica más elevada que el material de los terceros conectores, los segundos conectores teniendo un área de sección transversal más pequeña que los primeros conectores y algunos conectores seleccionados de los segundos por conectores estando en circuito abierto.
(16/07/1975) Una disposición de cristal piezoeléctrico que comprende un marco no conductor eléctrico que tiene una abertura a su través, que presenta una cámara dentro de dicho marco que tiene una periferia interior eléctricamente aislada y extremidades opuestas inicialmente abiertas; un elemento de cristal piezoeléctrico dentro de dicha cámara que tiene un borde periférico exterior y un par de caras opuestas limitadas por dicho borde, estando dispuesto dicho elemento dentro de dicha cámara con dicho borde adyacente a dicha periferia de dicho marco y dichas caras enfrentadas respectivamente a las correspondientes de dichas extremidades…
(16/02/1975). Solicitante/s: SEMIKRON; GESELLSCHAFT FUR GLEICHRICHTERBAU UND E..
Componente rectificador semiconductor controlable, con un cuerpo semiconductor monocristalino de cuatro zonas en forma de capas de tipos de conductividad alternativamente opuestos entre si, estando una de sus zonas exteriores prevista como zona del emisor, presentando sus dos zonas exteriores sendos electrodos de contacto para la corriente de carga y la zona de base contigua a la zona del emisor un electrodo de contacto para la corriente de mando, caracterizado porque la zona del emisor, salvo un sector (4a) del borde no contactado, el cual termina con la superficie de la zona de base adyacente, está dispuesto de manera ahondada respecto a dicha superficie, y porque entre el sector (4a) del borde de la zona del emisor y la zona de base adyacente se encuentra un paso p-n substancialmente paralelo respecto a la superficie.