CIP-2021 : H01L 29/866 : Diodos Zener.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
H01L 29/866 · · · · Diodos Zener.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
DIODO DE RUPTURA POR AVALANCHA SIN DESVIACION.
(01/01/2000). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: DAVIES, NEIL.
UN DIODO DE AVALANCHA CONSISTE EN UNA ARTESA P-DOTADA, CONTENIENDO UNA PRIMERA REGION P-DOTADA. UNA SEGUNDA REGION N-DOTADA ESTA COLOCADA DE FORMA PROXIMA A LA ARTESA . LA SEGUNDA REGION DESCANSA SOBRE UNA CAPA P-DOTADA. LA ARTESA Y LA CAPA ESTAN SEPARADAS POR MEDIO DE UN INTERVALO DEFINIDO DE FORMA PRECISA. LA DISPOSICION COMPLETA SE MONTA EN UN P-SUBSTRATO. UNA CAPA AISLANTE SE APLICA SOBRE EL AREA ENTRE LA ARTESA Y LA CAPA , Y UNA CAPA CONDUCTORA SE APLICA SOBRE LA CAPA AISLANTE. LA CAPA CONDUCTORA Y LA SEGUNDA REGION ESTAN CONECTADAS A LA TENSION POSITIVA Y LA PRIMERA REGION ESTA CONECTADA A UNA TENSION NEGATIVA. ESTA DISPOSICION PREVIENE DE CAIDA DE VOLTAJE A PARTIR DE DESPLAZAMIENTO. ADICIONALMENTE SE REDUCE LA RESISTENCIA DURANTE LA ROTURA DE TENSION A TRAVES DEL INTERVALO DEFINIDO ENTRE LA ARTESA Y LA CAPA.
UNION P-N NEUTRALIZADA EN SEMICONDUCTOR DE MESETA.
(16/09/1998) PROCESO PARA FORMAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR QUE COMIENZA DIFUNDIENDO UNA CAPA N, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE ALTA, EN UNA PLAQUITA P, CON UNA CONCENTRACION RELATIVAMENTE BAJA. A CONTINUACION, LA PLAQUITA SE ATACA QUIMICAMENTE PARA OBTENER VARIOS SEMICONDUCTORES DE MESETA, CADA UNA DE LAS CUALES TIENE UNA UNION P-N QUE INTERSECTA UNA PARED LATERAL DE LA ESTRUCTURA DE MESETA. ENTONCES, SE DESARROLLA UNA CAPA DE OXIDO EN LAS PAREDES LATERALES DE LAS MESETAS, NEUTRALIZANDO DICHA CAPA DE OXIDO EL DISPOSITIVO. LA FASE DE OXIDACION HACE QUE LA UNION P-N SE CURVE HACIA LA CAPA P PROXIMA A LA APA DE OXIDO. TRAS ESTO, LA UNION P-N SE DIFUNDE MAS PROFUNDAMENTE EN LA LACA P, CON UN FRENTE DE DIFUSION QUE TIENDE A CURVAR LA UNION…