CIP-2021 : H01L 21/20 : Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
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Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:
H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L 21/20 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Célula solar, módulo de célula solar y procedimiento de fabricación de célula solar.
(01/07/2020) Una célula solar que comprende un primer sustrato de silicio de tipo conductor , una segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor colocada en un primer lado de la superficie principal del sustrato de silicio , y una primera capa de silicio amorfo de tipo conductor colocada en un segundo lado de la superficie principal del sustrato de silicio , en la que el sustrato de silicio tiene una región de bajo dopaje que ha sido dopada para ser un primer tipo conductor, una primera región de alto dopaje del lado de la superficie principal que es proporcionada entre la región de bajo dopaje y la segunda capa de silicio amorfo de tipo conductor y tiene…
PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR CAPAS DE ÓXIDO DE COBRE (I) SOBRE UN SUSTRATO DE ÓXIDO METÁLICO.
(28/09/2018). Solicitante/s: OXOLUTIA, S.L. Inventor/es: CALLEJA LÁZARO,Alberto, TAMAYO BUISAN,Ruben.
Procedimiento para preparar capas de óxido de cobre (I) sobre un sustrato de óxido metálico.
La presente invención se refiere a un procedimiento para preparar capas de óxido de cobre (I) sobre un sustrato de óxido metálico, en el que se emplean soluciones orgánicas de una sal de cobre (II) como precursor, y se lleva a cabo un tratamiento térmico en presencia de un gas inerte y oxígeno. También se refiere a las arquitecturas obtenibles mediante dicho procedimiento, y a la utilización de las mismas en aplicaciones fotovoltaicas.
PDF original: ES-2683913_R1.pdf
PDF original: ES-2683913_A2.pdf
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad.
(15/11/2017). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende:
a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna semiconductora compuesta cultivada en el para proporcionar una superficie de crecimiento de iniciacion epitaxial;
b) cultivar un material semiconductor compuesto en la nanocolumna usando sobrecrecimiento lateral epitaxial y (c) separar del sustrato el material semiconductor compuesto cultivado,
en el que la nanocolumna se cultiva con un solo material dopado o no dopado, o con la combinacion de etapas de no dopado y dopado o etapas de n dopado y p dopado, y
en el que la nanocolumna incluye una region de tipo p proxima a la superficie de crecimiento.
PDF original: ES-2657666_T3.pdf
Método para fabricar un sustrato de SiC con película epitaxial de SiC.
(17/05/2017) Un método de fabricación de una oblea epitaxial de 4H-SiC que comprende una película epitaxial de SiC sobre un sustrato de 4H-SiC monocristalino, donde el método comprende:
a. cargar el sustrato de 4H-SiC monocristalino sobre un susceptor en una celda de reacción de un sistema de CVD de pared caliente;
b. calentar el sistema controlando la temperatura del susceptor en la celda de reacción hasta un intervalo de 1500°C a 1620°C; y
c. ejecutar un ciclo de fabricación para producir la oblea epitaxial de 4H-SiC, donde el ciclo de fabricación comprende suministrar un flujo de gas paralelo a una superficie del sustrato de 4H-SiC monocristalino, de tal manera que la velocidad total del gas se encuentra en un intervalo de 120 a 250 cm/s, y controlar una presión en el interior de la celda de reacción hasta un intervalo de 100…
GRAFENO COVALENTEMENTE MODIFICADO.
(11/08/2016). Solicitante/s: FUNDACIÓN IMDEA NANOCIENCIA. Inventor/es: BLACK MOROCOIMA,Andrés, CALLEJA MITJÁ,Fabián, LERET GARCÍA,Sofía, NAVARRO OCAÑA,Juan Jesús, STRADI,Daniele, BERNARDO GAVITO,Ramón, GARNICA ALONSO,Manuela, GRANADOS RUIZ,Daniel, LÓPEZ VÁZQUEZ DE PARGA,Amadeo, PÉREZ ÁLVAREZ,Emilio, MIRANDA SORIANO,Rodolfo.
La presente invención está dirigida a un sistema en el que las propiedades electrónicas del grafeno pueden ser modificadas de forma controlada. En dicho sistema, el grafeno es químicamente funcionalizado con moléculas alquílicas que se unen covalentemente a los átomos de carbonos del grafeno. El grado de recubrimiento de la capa del grafeno de la presente invención permite regular la apertura de la banda de energía prohibida en el diagrama de bandas de energía del grafeno.
Grafeno covalentemente modificado.
(03/08/2016). Solicitante/s: FUNDACIÓN IMDEA NANOCIENCIA. Inventor/es: BLACK MOROCOIMA,Andrés, CALLEJA MITJÁ,Fabián, LERET GARCÍA,Sofía, NAVARRO OCAÑA,Juan Jesús, STRADI,Daniele, BERNARDO GAVITO,Ramón, GARNICA ALONSO,Manuela, GRANADOS RUIZ,Daniel, LÓPEZ VÁZQUEZ DE PARGA,Amadeo, PÉREZ ÁLVAREZ,Emilio, MIRANDA SORIANO,Rodolfo.
Grafeno covalentemente modificaco.
La presente invención está dirigida a un sistema en el que las propiedades electrónicas del grafeno pueden ser modificadas de forma controlada. En dicho sistema, el grafeno es químicamente funcionalizado con moléculas alquílicas que se unen covalentemente a los átomos de carbonos del grafeno. El grado de recubrimiento de la capa del grafeno de la presente invención permite regular la apertura de la banda de energía prohibida en el diagrama de bandas de energía del grafeno.
PDF original: ES-2578997_B2.pdf
PDF original: ES-2578997_A1.pdf
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE LÁMINAS DELGADAS DE ÓXIDOS EPITAXIALES
MEDIANTE IMPRESIÓN DE CHORRO DE TINTA.
(07/01/2016). Solicitante/s: OXOLUTIA, S.L. Inventor/es: RICART,SUSAGNA, CALLEJA,Alberto, VILARDELL,Marta, VLAD,Valentina Roxana, OBRADORS,Francesc Xavier, PUIG,Teresa, GRANADOS,Javier José Alberto.
Método de fabricación de láminas delgadas de óxidos epitaxiales mediante impresión de chorro de tinta.
La presente invención se refiere a un método de fabricación de láminas delgadas de óxidos metálicos epitaxiales mediante impresión de chorro de tinta.
PDF original: ES-2601487_B1.pdf
PDF original: ES-2601487_A1.pdf
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS SEMICONDUCTORAS SOBRE SUSTRATOS EXTERNOS.
(29/05/2015) Procedimiento para la producción de películas delgadas semiconductoras sobre sustratos externos.
La invención propone un procedimiento con el que puede aumentarse el tamaño promedio de los monocristales, en particular el diámetro de los monocristales, en una película delgada semiconductora aplicada sobre un sustrato externo, en un orden de magnitud con respecto a los procedimientos hasta el momento. El procedimiento se caracteriza porque en una primera etapa se aplica una película semiconductora delgada sobre el sustrato externo. Entonces se calienta el sustrato externo tan intensamente que la película delgada semiconductora…
Deposición química en fase vapor a presión atmosférica.
(05/03/2014) Un procedimiento para revestir un sustrato a presión atmosférica, que comprende las etapas de: mezclar una masa controlada de material semiconductor y una corriente de gas inerte; vaporizar el material semiconductor a presión sustancialmente atmosférica calentando la mezcla de material semiconductor y corriente de gas inerte para crear una mezcla fluida que tiene una temperatura por encima de la temperatura de condensación del material semiconductor; dirigir la mezcla fluida a sustancialmente la presión atmosférica sobre el sustrato que tiene una temperatura por debajo de la temperatura de condensación del material semiconductor; y depositar una capa del material semiconductor sobre una superficie del sustrato.
Método de fabricación de dispositivos semiconductores sobre un sustrato del grupo IV con propiedades de superficie de contacto y colas de difusión controladas.
(27/06/2012) Dispositivo semiconductor que comprende:
una capa de germanio de tipo p ;
una capa de nucleación sobre la capa de germanio de tipo p , incluyendo la capa de nucleación un compuesto binario de los grupos III-V seleccionado del grupo que consiste en AlAs, AlSb, AlN, BAs, BSb, GaN, GaSb, InN, y InAs; y una primera capa de compuesto de los grupos III-V sobre la capa de nucleación, incluyendo la primera capa de compuesto de los grupos III-V al menos uno de GaInP, AlInP, y AlGaInP;
en el que la capa de germanio de tipo p incluye átomos de fósforo que han sido difundidos desde la primera capa de compuesto de los grupos III-V , siendo la concentración de los átomos de fósforo en la capa de germanio de tipo p una función del grosor de la capa de nucleación ;
y en el…
Componente semiconductor y su uso.
(14/06/2012) Componente semiconductor compuesto por
• un sustrato seleccionado de Si, Ge, GaAs, InP, GaSb,
• al menos una estructura de capas de un semiconductor III-V y/o SixGe1-x, que forma una unión pn o np, así como
• al menos una capa de tampón de un semiconductor III-V para la unión de la al menos una estructura de capas con el sustrato ,
• adicionalmente al menos una capa de bloqueo de semiconductores compuestos III-V con una dureza cristalina superior a la de la al menos una estructura de capas , que impide o reduce la formación y/o la continuación de defectos de cristal, caracterizado…
ESTRUCTURA DE CAPAS DE UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR DE NITRURO SOBRE UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO DEL GRUPO IV Y PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACIÓN.
(02/03/2012) Componente semiconductor de nitruro, con una estructura de capas de nitruro del grupo III, que ha sido precipitada de forma epitáctica sobre un substrato con una superficie de substrato del grupo IV de un material de substrato del grupo IV con una estructura cristalina cúbica, en el que la superficie de substrato del grupo IV presenta, sin tener en cuenta una reconstrucción de la superficie, una célula elemental con una simetría C2, pero con ninguna simetría rotacional superior a la simetría C2, y en el que la estructura de capas de nitruro del grupo III presenta de forma directamente adyacente a la superficie de substrato del grupo IV una capa de pre-germinación, ya sea de GaN ó AlN, o bien de Al1-x-yInxGayN ternario o cuaternario, 0 ≤ x, y< 1 y x + y ≤ 1, caracterizado porque la superficie de…
PROCEDIMIENTO DE FORMACIN DE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO O DE NITRURO DE UN ELEMENTO DEL GRUPO III SOBRE UN SUSTRATO ADAPTADO.
(16/05/2006). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.
Producto intermediario para la realización de componentes ópticos, electrónicos u optoeléctricos, que comprende una capa cristalina de carburo de silicio cúbico sobre un sustrato monocristalino, caracterizado porque el sustrato es de silicio-germanio, estando presente el germanio en una proporción atómica comprendida entre 5 y 20%.
SISTEMA PARA CARBURIZACION DE SILICIO.
(01/11/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD DE CADIZ, Y EN SU NOMBRE Y REPRESENTACION EL RECTOR D. GUILLERMO MARTINEZ MASSANET. Inventor/es: ARAUJO GAY,DANIEL, MORALES SANCHEZ,FRANCISCO M., MOLINA RUBIO,SERGIO IGNACIO.
Sistema de carburización de silicio que permite producir, mediante un proceso de carburización, capas de SiC epitaxial, sobre sustratos comerciales como obleas de Si, de SOI, de Si delgado, de Si sobre cuarzo (SIQ), de Si sobre vidrio (SIG) y otros productos de Si crecido epitaxialmente en superficies. El sistema queda integrado por tres partes principales, el reactor de carburización, el sistema de bombeo y el de distribución de gases. El diseño del sistema permite su construcción a un coste notablemente inferior al de los construidos hasta ahora para el mismo fin. El proceso de carburización se lleva a cabo a temperaturas máximas comprendidas entre 1100ºC y 1300ºC haciendo pasar un flujo de una mezcla gaseosa de un hidrocarburo e hidrógeno sobre el sustrato de Si a carburizar, calentado por un horno. El sistema utiliza argón, nitrógeno y vacío, para los ciclos de purga o limpieza.
METODO DE FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR MULTICAPA.
(01/03/2004) SE PRESENTA UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA Y UN METODO PARA FORMAR LA ESTRUCTURA, EN DONDE UN SUBSTRATO O SUPERESTRATO DE SOPORTE SUMINISTRA LA RESISTENCIA MECANICA PARA SOPORTAR LAS REGIONES ACTIVAS, FINAS, SUPERPUESTAS. LA CAPA DIELECTRICA FINA DEPOSITADA SOBRE EL SUBSTRATO O EL SUPERESTRATO SIRVE PARA AISLAR LAS CAPAS DEPOSITADAS DEL SUBSTRATO DESDE PERSPECTIVAS OPTICAS, METALURGICAS Y/O QUIMICAS. ENTONCES SE DEPOSITA UNA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR , LA CAPA DE SENSIBILIZACION PRELIMINAR ES DE SILICIO DE TIPO N CON TRATAMIENTOS APROPIADOS PARA OBTENER EL TAMAÑO GRANDE DE GRANO DESEADO. ESTA CAPA PUEDE CRISTALIZARSE A MEDIDA QUE SE DEPOSITA, O PUEDE SER DEPOSITADA EN FORMA AMORFA Y LUEGO SER CRISTALIZADA CON UN PROCESAMIENTO…
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES ELECTRO-OPTICOS Y METODO PARA FABRICARLOS.
(01/07/2003). Solicitante/s: THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE. Inventor/es: MARTIN, TREVOR, KANE, MICHAEL JOHN.
Un dispositivo semiconductor electroóptico que comprende una guía de ondas semiconductora con una región de núcleo dentro de la cual está situada al menos un área activa (31, 31) caracterizada porque: el núcleo de la guía de ondas fuera del área o las áreas activas (31, 31) no está contaminado por material de área activa difuso; el área o las áreas activas (31, 31) y la guía de ondas son monolíticas; y el área o las áreas activas (31, 31) y la guía de ondas se desarrollan mediante un procedimiento de desarrollo aditivo sin operación intermedia alguna en la que se elimine material.
TRANSISTOR CON EFECTO DE CAMPO.
(01/04/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Inventor/es: TANABE, MITSURU.
EN UN SUSTRATO INP SEMI - AISLANTE ADULTERADO CON HIERRO, UNA PRIMERA CAPA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA SEGUNDA CAPA DE SEPARACION EN UNA ESTRUCTURA RETICULAR SUPERPUESTA DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO Y AL 0,25 GA 0,75 AS NO ADULTERADO, UNA TERCERA CA PA DE SEPARACION DE IN 0,52 AL 0,48 AS NO ADULTERADO, UNA CAPA DE CANAL DE IN 0,53 GA 0,47 AS, UNA CAPA DISTANCIADORA DE IN 0,52 AL 0,48 AS, NO ADULTERADO, UNA CA PA DE ADULTERACION DELTA DE SILICIO Y UNA CAPA SCHOTTKY DE IN SUB,0,52 AL 0,48 AS SON SATISFACTORIAMENTE SUPERPUESTAS. S OBRE LA CAPA SCHOTTKY, SE FORMA UNA CAPA DE RECUBRIMIENTO EN UNA ESTRUCTURA REBAJADA. SOBRE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO, SE FORMAN UN ELECTRODO DE FUENTE Y UN ELECTRODO DE DRENAJE, CON UN ELECTRODO DE PUERTA EN UN AREA REBAJADA DE LA CAPA DE RECUBRIMIENTO.
METODO Y APARATO PARA EL CORTE DE UN SUBSTRATO COMPUESTO POR UTILIZACION DE UN FLUIDO.
(01/03/2003). Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: OHMI, KAZUAKI, YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI, YANAGITA, KAZUTAKA.
PARA SEPARAR UN MIEMBRO COMPUESTO, QUE CONSTA DE UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS UNIDOS (1 Y 2), SIN DESTRUIRLO NI DAÑARLO, UN FLUIDO ES PROYECTADO A CHORRO CONTRA EL MIEMBRO COMPUESTO DESDE UNA BOQUILLA PARA SEPARARLO EN UNA PLURALIDAD DE MIEMBROS (11 Y 12) EN UNA POSICION DIFERENTE DE LA POSICION DE UNION.
PROCESO DE DEPOSICION ACTIVADA POR MICROONDAS CON REGULACION DE LA TEMPERATURA DEL SUSTRATO.
(16/09/2002). Solicitante/s: UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION. Inventor/es: GUHA, SUBHENDU, YANG, CHI, C., XU, XIXIANG.
LAS TEMPERATURAS DEL SUSTRATO SE MANTIENEN A MAS DE 400 (GRADOS) C DURANTE LA DEPOSICION POR DESCARGA LUMINISCENTE ALIMENTADA POR MICROONDAS DE MATERIALES SEMICONDUCTORES DEL GRUPO IV. EL MARGEN DE TEMPERATURAS DEL SUSTRATO PERMITE LA PREPARACION DE MATERIALES QUE TIENEN PROPIEDADES ELECTRICAS MEJORADAS.
PROCEDIMIENTO PARA LA PRODUCCION DE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR.
(16/09/2002). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: SATO, NOBUHIKO, YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI, YAMAGATA, KENJI.
SE PROPORCIONA UN PROCESO PARA LA PRODUCCION DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR EN EL QUE SE PROPORCIONA UN PRIMER SUSTRATO HECHO DE SILICIO QUE TIENE UNA CAPA DE SILICIO POROSO FORMADA SOBRE EL MISMO, HACIENDO POROSO EL SILICIO DEL SUBSTRATO Y UNA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO, RECRECIDA DE MODO EPITAXIAL EN LA CAPA DE SILICIO POROSO, DESPUES SE LAMINA EL PRIMER SUSTRATO SOBRE UN SEGUNDO SUSTRATO EN UN ESTADO EN EL QUE AL MENOS UNA DE LAS CARAS DE LAMINACION DEL PRIMER Y DEL SEGUNDO SUSTRATO TENGA UNA CAPA DE OXIDO DE SILICIO Y LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO SE INTERPONGA ENTRE LOS SUSTRATOS LAMINADOS, Y FINALMENTE SE ELIMINA LA CAPA DE SILICIO POROSO MEDIANTE DECAPADO EN EL QUE LA CAPA DE SILICIO POROSO SE ELIMINA MEDIANTE UNA SOLUCION DE ATAQUE QUE DECAPE LA CAPA DE SILICIO MONOCRISTALINO NO POROSO Y LA CAPA DE OXIDO DE SILICIO A INDICES DE DECAPADO NO SUPERIORES A 10 ANGSTROMS POR MINUTO.
PROCEDIMIENTO PARA LA TRANSFERENCIA DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR UTILIZANDO TECNOLOGIA DE SILICIO SOBRE UN AISLANTE (SOI).
(01/09/2002). Ver ilustración. Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI.
SE DESVELA UN PROCESO NOVEL PARA PRODUCIR UN ARTICULO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE LAS ETAPAS DE PREPARAR UN PRIMER SUSTRATO CONSTITUIDO POR UN SUSTRATO DE SILICIO, UNA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA CONFORMADA SOBRE EL SUSTRATO DE SILICIO, Y UNA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES CONFORMADA EN AL MENOS UNO DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO Y EN LA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA; LA UNION DEL PRIMER SUSTRATO AL SEGUNDO SUSTRATO PARA OBTENER UNA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES CON LA CAPA SEMICONDUCTORA POROSA SITUADA EN SU INTERIOR; LA SEPARACION DE LA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES POR LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES; Y LA RETIRADA DE LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES QUE PERMANECE SOBRE EL SEGUNDO SUSTRATO SEPARADO.
METODO PARA FABRICAR DISPOSITIVOS QUE INCLUYEN UNA ZONA INTERFACIAL SEMICONDUCTOR/DIELECTRICO.
(01/02/2001) ESTE INVENTO ES UN METODO DE MANUFACTURAR DISPOSITIVOS QUE INCLUYEN UNA CONEXION SEMICONDUCTORA/DIELECTRICA (POR EJEMPLO UNA CONEXION ENTRE UNA CAPA SEMICONDUCTORA Y UNA CAPA DIELECTRICA ), EN DONDE AL MENOS UNA MONOCAPA DE DICHA CAPA ELECTRICA SE ENCUENTRA EN ESTADO ORDENADO. CAPAS DE COMPUESTO DIELECTRICO QUE TIENEN UNA EXTRUCTURA DE CONEXION ORDENADA SE PUEDEN PRODUCIR SOBRE MATERIALES SEMICONDUCTORES TENSIONADOS, COMO POR EJEMPLO MEDIANTE EL CRECIMIENTO NATIVO. POR EJEMPLO, UNA RECONSTRUCCION DE 5X5 EN LA CONEXION ENTRE SILICIO Y OXIDO DE SILICIO RESULTA DE LA OXIDACION DE UNA FINA CAPA DE SILICIO QUE SE ENCUENTRA SOBRE UNA CAPA DE GERMANIO-SILICIO RELAJADO.…
METODO PARA LA FABRICACION DE UN CUERPO SEMICONDUCTOR.
(16/10/2000). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI.
UN METODO PARA PREPARAR UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UN PROCESO DE FABRICACION DE UN SUBSTRATO DE SI POROSO Y A CONTINUACION LA FORMACION DE UNA CAPA MONOCRISTALINA DE SI NO POROSA EN EL SUBSTRATO DE SI POROSO; PROCESO DE UNION PRIMARIO DE LA UNION DEL SUBSTRATO DE SI POROSO Y UN SUBSTRATO DE AISLAMIENTO A TRAVES DE LA CAPA MONOCRISTALINA DE SI NO POROSA; PROCESO DE GRABADO PARA GRABAR EL SI POROSO PARA QUITAR EL SI POROSO MEDIANTE GRABADO QUIMICO DESPUES DEL PRIMER PROCESO DE UNION; Y PROCESO DE UNION SECUNDARIO DE REFORZAMIENTO DE LA UNION PRIMARIA TRAS EL PROCESO DE GRABADO.
FABRICACION DE PARTICULAS QUE PRESENTAN UNA DIMENSION UNIFORME DE PUNTOS CUANTICOS.
(01/10/1998). Solicitante/s: ISIS INNOVATION LIMITED. Inventor/es: DOBSON, PETER JAMES, SALATA, OLEG VIKTOROVICH, SMARTS COTTAGE, HULL, PETER JAMES, HUTCHISON, JOHN LAIRD, 56 COVERLEY ROAD.
PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO CRISTALITOS CERO-DIMENSIONALES DE UN METAL O COMPUESTO DE METAL QUE SE FABRICAN MEDIANTE UN METODO QUE PROPORCIONA UNA SOLUCION EN UN SOLVENTE EVAPORABLE EN UNA CONCENTRACION PREDETERMINADA DE UN METAL ELEGIDO, Y QUE FORMA GOTAS DE LA SOLUCION CON UN TAMAÑO PREDETERMINADO SUSTANCIALMENTE UNIFORME. LAS GOTAS SE PONEN ENTONCES EN CONTACTO CON UN REAGENTE DE FASE GASEOSA FORMANDO ASI LAS PARTICULAS DE COMPUESTO DE METAL DESEADAS. EL SOLVENTE PUEDE EXTRAERSE ANTES, DURANTE O DESPUES DEL CONTACTO DE LAS GOTAS CON EL REAGENTE DE FASE GASEOSA. LAS PARTICULAS DE TAMAÑO DESEADO DEL COMPUESTO DE METAL ASI FORMADAS SE DEPOSITAN SOBRE UN SUSTRATO. ESTAS PUEDEN CONTENERSE DENTRO DE UN POLIMERO COMO UNA PELICULA. MEDIANTE EL CONTROL DE LA CONCENTRACION DE LA SOLUCION Y DEL TAMAÑO DE LAS GOTAS, EL TAMAÑO DE LAS PARTICULAS PUEDE CONTROLARSE ESTRECHAMENTE.
PROCESO DE FABRICACION DE UN COMPONENTE SEMICONDUCTOR EN PARTICULAR DE UN LASER DE ARISTA ENTERRADA, Y COMPONENTE FABRICADO PARA ESTE PROCESO.
(16/09/1998). Solicitante/s: ALCATEL ALSTHOM COMPAGNIE GENERALE D'ELECTRICITE. Inventor/es: GOLDSTEIN, LEON, BONNEVIE, DOMINIQUE.
CON ARREGLO A ESTE PROCESO UN REVESTIMIENTO SEMICONDUCTOR DOPADO DEBER SER DEPOSITADO SOBRE UNA SUPERFICIE PERTURBADA (S) DE UNA BASE SEMICONDUCTORA DOPADA POR UN DOPANTE DEL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD QUE EL REVESTIMIENTO. SEGUN LA INVENCION, ANTES DEL DEPOSITO DE UNA CAPA PRINCIPAL DE ESTE REVESTIMIENTO SE DEPOSITA UNA CAPA SOBREDOPADA QUE PRESENTA UNA CONCENTRACION DE DOPANTE SUPERIOR AL DOBLE DE LA CONCENTRACION MEDIA DEL REVESTIMIENTO. LA INVENCION SE APLICA EN PARTICULAR A LA FABRICACION DE UN LASER SEMICONDUCTOR PARA SISTEMA DE TELECOMUNICACION POR FIBRAS OPTICAS.
METODO PARA LA OBTENCION DE UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA Y UNA CONEXION EN UNA CAPA EPITAXIAL, Y ESTRUCTURAS EN LAS QUE SE UTILIZA EL METODO.
(01/12/1992). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: LU, NICKY CHAU-CHUN, MACHESNEY, BRIAN JOHN.
PROCESO PARA COLOCAR UNA CAPA EPITAXIAL EN UN SUBSTRATO DE SILICIO Y SOBRE ISLETAS PREDEFINIDAS CORONADAS POR UN AISLANTE, QUE FORMA UNA VENTANA DE CONTACTO AUTOALINEADA EN LA CAPA EPITAXIAL. SE DESCRIBE LA APLICACION DEL METODO A UNA ESTRUCTURA DE MEMORIA RAM DINAMICA, CON UN TRANSISTOR DE ACCESO EN SILICIO MONOCRISTALINO COLOCADO ENCIMA DE UN CAPACITOR DE CANAL. SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEGUN EL CUAL LA VENTANA DE CONTACTO PARA LA CONEXION FUENTE-CANAL ESTA FORMADA POR CRECIMIENTO LATERAL EPITAXIAL AUTOALINEADO, SEGUIDO DE LA FORMACION DE UNA CONEXION DE CONTACTO UTILIZANDO UN SEGUNDO CRECIMIENTO EPITAXIAL O UN PROCESO (CVD) DE LLENADO Y ZUNCHAMIENTO. EL INVENTO PUEDE APLICARSE TAMBIEN A OTRAS ESTRUCTURAS QUE UTILIZAN LOS PRINCIPIOS DESCRITOS, MAS CONCRETAMENTE A UN INVERSOR CUYO ACCIONADOR VA SOBRE EL RESISTOR DE CARGA, QUE PUEDE UTILIZARSE COMO UN CIRCUITO BASICO PARA CIRCUITOS LOGICOS Y CELDAS DE MEMORIA RAM ESTATICA.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCIR QUE INCLUYE UNA CAPA EPITAXIAL SOBRE UN SUSTRATO MONOCRISTALINO DE RED DESEQUILIBRADA.
(16/12/1988). Ver ilustración. Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH CO.. Inventor/es: LURYI, SERGEY.
SE PUEDEN DESARROLLAR CAPAS EPITAXIALES LIBRES DE DISLOCACION SOBRE LAS SUPERFICIES DE SUSTRATOS MONOCRISTALINOS DE RED CRISTALINA DESEQUILIBRADA , TAL COMO GERMANIO O ARSENURO DE GALIO SOBRE SILICIO, CON LA CONDICION DE QUE LAS SUPERFICIES SE ENCUENTREN ADECUADAMENTE MODELADAS, TAL COMO ALMENADAS O POROSAS (FIGURA 4).
UN METODO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/07/1987). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
MODIFICACIONES EN UN METODO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. CONSISTENTES EN QUE EL CUERPO DE SOPORTE Y EL CUERPO SEMICONDUCTOR MONOCRISTALINO SEAN PUESTOS EN CONTACTO UNO CON OTRO, LA CAPA ELECTRICAMENTE AISLANTE DEL CUERPO SEMICONDUCTOR ES SOMETIDA A UNA OPERACION DE ACTIVACION DE UNION, ESTABLECIENDOSE UNA UNION MUY INTIMA ENTRE LAS SUPERFICIES Y A CONTINUACION EL CUERPO SEMICONDUCTOR ES ADELGAZADO POR ATAQUE QUIMICO HASTA UN VALOR PREDETERMINADO QUE SE HALLA COMPRENDIDO ENTRE 0,05 Y 100 MU, CONSISTIENDO LA OPERACION DE UNION EN PROPORCIONAR UNA CAPA DE VIDRIO CENTRIFUGADO QUIMICO HUMEDO, RETIRAR LOS COMPONENTES ORGANICOS Y DENSIFICAR HASTA LA VITRIFICACION A 800GC.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR MEJORADO,DE APLICACIONES ELECTRONICAS.
(01/06/1986). Solicitante/s: ENERGY CONVERSION DEVICES, INC..
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PARA APLICACIONES ELECTRONICAS. COMPRENDE UN SUSTRATO CONDUCTOR DE LA ELECTRICIDAD CON UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION QUE INCLUYE, CUANDO MENOS, UN DEFECTO CAPAZ DE DEPARAR UN TRAYECTO DE CORRIENTE DE BAJA RESISTENCIA, A TRAVES DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR SUBSECUENTEMENTE DEPOSITADO, O UN CENTRO DE NUCLEACION QUE ACTIVE LA DEPOSICION DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR NO HOMOGENEO; Y UN CUERPO DE PELICULA DELGADA HECHO DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR DEPOSITADO SOBRE DICHO SUSTRATO. ENTRE EL CUERPO Y LA SUPERFICIE DE DEPOSICION SE INTERPONE UNA CAPA NIVELADORA GALVANOPLASTIADA, CONDUCTORA DE LA ELECTRICIDAD, LA CUAL SE HACE PRINCIPALMENTE CON UN MATERIAL SELECCIONADO ENTRE NIQUEL, PLATA, INDIO, ESTAÑO, CADMIO, ZINC, Y MEZCLAS DE LOS MISMOS.
