CIP-2021 : C30B 1/00 : Crecimiento de monocristales a partir del estado sólido (separación unidireccional de materiales eutectoides C30B 3/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
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Notas[g] desde C30B 1/00 hasta C30B 5/00: Crecimiento de monocristales a partir de sólidos o de geles
C30B 1/02 · por tratamiento térmico, p. ej. recocido bajo contracción (C30B 1/12 tiene prioridad).
C30B 1/04 · · Recristalización isotérmica.
C30B 1/06 · · Recristalización en un gradiente de temperatura.
C30B 1/08 · · · Recristalización por zona.
C30B 1/10 · por reacción en estado sólido o difusión multifase.
C30B 1/12 · por tratamiento bajo presión durante el crecimiento.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
CARBURO DE SILICIO SEMIAISLANTE SIN DOMINACION DE VANADIO.
(01/12/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: CARTER, CALVIN, H., JR., BRADY, MARK, TSVETKOV, VALERI F., MUELLER, STEPHAN, HOBGOOD, HUDSON, M.
Monocristal de carburo de silicio semiaislante, que comprende: dopantes donadores, boro y defectos puntuales intrínsecos que actúan como aceptores en dicho monocristal de carburo de silicio; en el que el número de dopantes donadores es superior al número de átomos de boro; y el número de defectos puntuales intrínsecos en dicho cristal de carburo de silicio que actúan para compensar el dopante donador es superior a la diferencia numérica mediante la cual dicho dopante donador predomina sobre dicho boro; y la concentración de elementos de transición es inferior a 1 x 1016; teniendo dicho monocristal de carburo de silicio una resistividad de al menos 5000 ohm-cm a temperatura ambiente.
PRODUCCION DE MONOCRISTALES A GRANEL DE CARBURO DE SILICIO.
(01/11/2003). Solicitante/s: CREE, INC.. Inventor/es: HUNTER, CHARLES, ERIC.
Un método para producir SiC monocristalino a granel, que comprende: vaporizar Si para producir vapor como fuente de Si; introducir el vapor como fuente de Si en un recinto de crecimiento de cristales que contiene una interfase de crecimiento del cristal; proporcionar un gas que contiene CN como una fuente de especies en estado de vapor de carbono en el recinto de crecimiento de cristales; y depositar las especies en estado de vapor de Si y C en la interfase de crecimiento del cristal en condiciones que establecen el crecimiento de SiC monocristalino a granel en ella.
PEROVSKITA DE ABO3 CON ESCALON.
(01/04/2003). Solicitante/s: FORSCHUNGSZENTRUM JILICH GMBH. Inventor/es: SPEIER, WOLFGANG, SZOT, KRISTOF.
Procedimiento para fabricar un substrato de ABO3 con un escalón, en el que se dobla un substrato de ABO3 en la zona de trabajo plástico.
METODO PARA REDUCIR LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UN SILICIURO DE METAL.
(16/11/1999) ES REDUCIDA LA TEMPERATURA DE TRANSFORMACION DE FASE DE UNA CAPA DE SILICIURO DE METAL FORMADO CUBRIENDO UNA CAPA DE SILICIO SOBRE UNA LAMINA CRISTALINA SEMICONDUCTORA. PRIMERO, ES DISPUESTO UN METAL REFRACTARIO PROXIMO A LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO, ES DEPOSITADO UN METAL PRECURSOR EN UNA CAPA QUE CUBRE EL METAL REFRACTARIO, Y LA LAMINA CRISTALINA ES CALENTADA A UNA TEMPERATURA SUFICIENTE PARA FORMAR EL SILICIURO DE METAL DESDE EL METAL PRECURSORIO. EL METAL PRECURSORIO DEBE SER UN METAL REFRACTARIO, Y ES PREFERIBLEMENTE TITANIO, TUNGSTENO, O COBALTO. LA CONCENTRACION DEL METAL REFRACTARIO EN LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE SILICIO ES PREFERIBLEMENTE MENOR QUE 1017 ATOMOS/CM3. EL METAL REFRACTARIO DEBE SER MO, CO, W, TA, NB, RU, O CR, Y MAS PREFERIBLEMENTE MO, O…
METODO PARA PRODUCIR UN MATERIAL DE SUPERALEACCION DE NIQUEL EN CRISTAL COLUMNAR CON ORIENTACION CONTROLADA.
(16/05/1984). Solicitante/s: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION.
PROCEDIMIENTO PARA PRODUCIR UN MATERIAL DE SUPERACION DE NIQUEL EN CRISTAL COLUMNAR CON ORIENTACION CONTROLADA. INCLUYE LAS FASES SIGUIENTES: APORTAR UNA HOJA DE SUPERACION DE NIQUEL ESTRUCTURADA CON UNA CONTEXTURA DE HOJA CON EL EJE CORRESPONDIENDO ESENCIALMENTE A LA DIRECCION DE LAMINADO; PASO DE LA HOJA A TRAVES DE UN GRADIENTE TERMICO CUYO EXTREMO SOBREPASA LA TEMPERATURA DE RECRISTALIZACION DE LA ALEACION PARA EFECTUAR LA RECRISTALIZACION DIRECCIONAL.
