CIP-2021 : H01L 23/525 : con interconexiones modificables.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad).
H01L 23/525 · · · con interconexiones modificables.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR Y SU FABRICACION.
(01/03/2006) Un procedimiento de producción de dispositivos semiconductores para producir un dispositivo semiconductor que está encapsulado y en el que se forma un circuito ajustable sobre un chip semiconductor , teniendo el circuito ajustable un elemento del circuito con propiedades eléctricas que pueden ajustarse a través de un ajuste por láser, comprendiendo el procedimiento de producción las etapas de: encapsulado del chip semiconductor con un material transparente permitiendo la penetración de un haz de láser dentro de un intervalo predeterminado de longitudes de onda con la suficiente energía para cortar…
FUSIBLE DE COBRE CON MAYOR ABSORCION LASER Y METODO DE FABRICACION DEL MISMO.
(01/01/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: DAUBENSPECK, TIMOTHY H., MOTSIFF, WILLIAM T.
Un chip semiconductor que tiene una disposición fusible que comprende un conductor eléctrico que tiene una primera capa de un primer material eléctricamente conductor y una segunda capa de un segundo material eléctricamente conductor, teniendo dicha segunda capa un espesor, una composición y unas propiedades ópticas tales que la combinación de dicha segunda capa con dicha primera capa proporciona características de gran absorción de la energía de la radiación infrarroja incidente emitida desde un láser, minimizando así la cantidad de dicha energía requerida para suprimir, o fundir, la disposición fusible, caracterizado porque, dicha primera capa de dicho primer material está provista de una parte selectiva rebajada y dicha parte selectiva rebajada está llena con dicha segunda capa de dicho segundo material.
ARQUITECTURA DE INTERCONEXIONES PROGRAMABLE.
(16/11/2002) UNA ARQUITECTURA DE CIRCUITO CONFIGURABLE POR EL USUARIO INCLUYE UNA RED BIDIMENSIONAL DE MODULOS DE CIRCUITO FUNCIONALES DISPUESTO DENTRO DE UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR. UNA PRIMERA CAPA INTERCONECTADA DISPUESTA ENCIMA Y AISLADA DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR CONTIENE UNA PLURALIDAD DE CONDUCTORES Y ES UTILIZADA PARA CONEXIONES INTERNAS DENTRO DE LOS MODULOS DE CIRCUITO FUNCIONALES. UNA SEGUNDA CAPA DE INTERCONEXION DISPUESTA ENCIMA Y AISLADA DE LA PRIMERA CAPA INTERCONECTADA CONTIENE UNA PLURALIDAD DE CAMINOS SEGMENTADOS DE CONDUCTORES YENDO EN UNA PRIMERA DIRECCION Y ES USADA PARA INTERCONECTAR ENTRADAS Y SALIDAS DE MODULO DE CIRCUITO FUNCIONAL. UNA TERCERA CAPA DE INTERCONEXION…
CIRCUITO DE FUSIBLE PARA CIRCUITO INTEGRADO.
(16/08/1999). Solicitante/s: GEMPLUS CARD INTERNATIONAL. Inventor/es: KOWALSKI, JACEK.
LA INVENCION SE REFIERE A CIRCUITOS INTEGRADOS, Y MAS EN ESPECIAL A CIRCUITOS DE FUSIBLES. PARA MEJORAR LA FIABILIDAD DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS DE FUSIBLE FISICO, LA INVENCION PROPONE ASOCIAR AL FUSIBLE (F) UNA CELULA DE MEMORIA NO VOLATIL PROGRAMABLE ELECTRICAMENTE (TGF), ESTANDO LA CELULA PROGRAMADA AL MISMO TIEMPO QUE EL FUSIBLE ESTA FUNDIDO. EL ESTADO DEL FUSIBLE SE CONFIRMA POR EL ESTADO DE LA MEMORIA. EN PARTICULAR, EL ESTADO FUNDIDO DEL FUSIBLE PUEDE CONFIRMARSE MEDIANTE EL ESTADO PROGRAMADO DE LA MEMORIA, EN APLICACIONES DONDE LO QUE IMPORTA ES ASEGURARSE DE QUE EL CIRCUITO PUEDE CONTINUAR CONSERVANDO LAS FUNCIONALIDADES DEFINIDAS POR EL ESTADO FUNDIDO DEL FUSIBLE. SI LA ESTRUCTURA FUNDIDA VUELVE A TOMAR POSTERIORMENTE MAS O MENOS LAS CARACTERISTICAS DE LA ESTRUCTURA INTACTA, LA CELULA DE MEMORIA SUPLIRA AL FUSIBLE DEFECTUOSO.
FABRICACION DE CIRCUITOS INTEGRADOS PERSONALIZADOS.
(16/06/1994). Solicitante/s: QUICK TECHNOLOGIES LTD. Inventor/es: ORBACH, ZVI, JANAI, MEIR ISRAEL.
UNA TECNICA PARA LA PRODUCCION DE CIRCUITOS INTEGRADOS ADAPTADOS COMPRENDIENDO LOS PASOS DE PROPORCIONAR UN ESPACIO PARA EL CIRCUITO INTEGRADO TENIENDO AL MENOS UNA PRIMERA Y UNA SEGUNDA CAPA METALICA INCLUYENDO PARTES ADAPTADAS PARA LA ELIMINACION SELECTIVA, PARA PROPORCIONAR LA ADAPTACION DESEADA DEL DICHO ESPACIO PARA EL CIRCUITO INTEGRADO Y DESPUES DE ESO LA GRABACION AL AGUA FUERTE DE AL MENOS DICHA PRIMERA CAPA METALICA (410 O 412) PARA ADAPTAR DICHO ESPACIO PARA EL CIRCUITO INTEGRADO.
