CIP-2021 : H01L 27/22 : con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos,
p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/22 · con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Célula de unión túnel magnética que incluye múltiples dominios magnéticos.
(27/08/2014) Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende:
una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden sustancialmente en perpendicular a una superficie de un sustrato , incluyendo cada una de las múltiple paredes laterales una capa libre para acarrear un dominio magnético único, estando cada uno de los dominios magnéticos únicos adaptado para almacenar un bit de datos, estando la célula MTJ caracterizada por comprender también,
una pared de fondo acoplada a cada una de las múltiples paredes laterales , extendiéndose la pared de fondo sustancialmente en paralelo con la superficie del sustrato…
ORDENACION Y MEJORA DE UN MATERIAL SEMI-CONDUCTOR.
(16/08/1993) LA FABRICACION DE UN MATERIAL SEMI CONDUCTOR, MEJORANDO SU TIEMPO DE ABILIDAD, EN SU CAMPO DE MAGNESIO, Y SOBRE TODO MEJORAR EL ALMACEN DE ELEMENTOS. LA ORDENACION CONSTA DE UNA CONFECCION DE VARIANTES EN UN CAMPO MAGNETICO CONTINUANDO A SU VEZ CON LA INTENSIDAD ELECTRONICA Y EL SISTEMA METAMORFOSICO . EL CAMPO MAGNETICO , CONSTA DE UN ALMACEN ELECTRONICO UNO DE ESTOS CAMPOS ACTUAN CONFORME AL AMPLIFICADOR Y EL CONDUCTOR MORFOSICO . LOS CAMBIOS SE PRODUCEN POR LA INTENSIDAD DE FRECUENCIAS, Y EL ANALOGO DIGITAL. EL AMPLIFICADOR ES MIEMBRO DE CORRECCION QUE TRANSMITE PROPORCIONALMENTE LA CONFECCION DE VRIANTES A LOS FACTORES (1+ N/N) O (1…
ELEMENTO DE NAVE INTEGRABABLE.
(01/07/1991) EL ELEMENTO DE NAVE CONSTA DE UN SUSTRATO DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA , DE UNA CAPA DE SUPERFICIE SUPERIOR , DE UNA CAPA AISLANTE DE DIFUSORES DE CONTACTO (7 A 12), ANILLOS DE AISLAMIENTO QUE CONSTAN TODOS DE MATERIAL SEMICONDUCTOR P O N. EL ELEMENTO DE NAVE QUE COMPRENDE DOS CIERRES SENSORES (..., S2) SE DIVIDE MEDIANTE UNA SUPERFICIE DE CORTE EN DISPOSICIONES QUE ESTAN COLOCADAS EN LA CAPA SEMICONDUCTORA DE FORMA MOVIL O NO MOVIL ALTERNATIVAMENTE INVERTIDAS. ENTRE AL MENOS DOS PUNTOS DE LA SUPERFICIE SUPERIOR E INFERIOR DE LAS DISPOSICIONES Y UN PUNTO EQUIPOTENCIAL DE UNA DISPOSICION VECINA HAY CONEXIONES ELECTRICAS (A2, B2, C2, D2), CON LO QUE EL PUNTO DE LAS SUPERFICIES EXTERIORES DE AMBAS DISPOSICIONES EXTERIORES SE CONECTA CON UNA TOMA SUBTERRANEA…
DISPOSICION CON UN ELEMENTO HALL INTEGRABLE EN UN CIRCUITO INTEGRADO.
(16/07/1987). Solicitante/s: LGZ LANDIS & GYR ZUG AG.
DISPOSITIVO CON UN ELEMENTO HALL COLOCABLE EN UN CIRCUITO INTEGRADO. CONSTA DE: UN GENERADOR DE CORRIENTE ; UN ELEMENTO HALL CON TERMINALES DE CORRIENTE DE SENSOR (C1, C2, S1, S2), UN CIRCUITO DE REGULACION FORMADO POR UN PREPARADOR DE VALOR REAL QUE TIENE UN CONMUTADOR , UN APARATO DE CONTROL , UN AMPLIFICADOR DE TENSION Y UN SEGUIDOR DE TENSION ; UN EMIDOR DE VALOR NOMINAL CON UN CIRCUITO EN SERIE POR UNA RESISTENCIA (RK) Y UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO ; UN EMISOR DE DIFERENCIA DE VALOR NOMINAL CON UN AMPLIFICADOR DIFERENCIAL , UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL , RESISTENCIAS DE ENTRADA (R3, R4, R5, R6) Y UN AMPLIFICADOR OPERACIONAL.
UN PERCEPTOR DE FLUJO MAGNETICO MEJORADO.
(16/06/1977). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION.
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR PERFECCIONADO.
(01/07/1976). Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Resumen no disponible.