CIP-2021 : H01L 27/24 : con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación,
sin barrera de potencial ni de superficie.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
H01L 27/24 · con componentes de estado sólido para la rectificación, amplificación o conmutación, sin barrera de potencial ni de superficie.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Memoria resistiva tridimensional y su fabricación.
(26/02/2020) Una memoria resistiva tridimensional , que comprende:
un pilar de canal , dispuesto sobre un sustrato , en el que el pilar de canal comprende un material semiconductor;
un primer pilar de puerta , dispuesto en el sustrato y en el primer lado del pilar de canal ;
una capa dieléctrica de primera puerta , dispuesta entre el pilar de canal y el pilar de primera puerta ;
una primera estructura apilada y una segunda estructura apilada , dispuestas en el sustrato y respectivamente en los segundos y terceros lados opuestos del pilar de canal , en el que cada una de la primera estructura apilada…
Memoria de acceso aleatorio resistivo.
(24/04/2019) Una memoria de acceso aleatorio resistiva, que comprende:
un sustrato ;
un transistor , dispuesto sobre el sustrato ;
un electrodo inferior, dispuesto sobre el sustrato y conectado eléctricamente a una fuente /drenaje del transistor ;
una pluralidad de electrodos superiores, dispuestos en el electrodo inferior;
al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia, dispuesta entre el electrodo inferior y la pluralidad de electrodos superiores, en la que la al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia está directamente en contacto con el electrodo inferior; caracterizada por una pluralidad de capas limitadoras de corriente, respectivamente dispuestas entre la al menos una capa (105, 105a, 305) de conmutación de resistencia y la pluralidad de…
DISPOSITIVO DE CONDUCCION ELECTRICA VARIABLE.
(16/01/1999). Ver ilustración. Solicitante/s: SOCIEDAD ESPAÑOLA DE CARBUROS METALICOS, S.A.. Inventor/es: FIGUERAS, ALBERT, LLIBRE, JUAN, GARCIA, GEMMA, CASADO, JUAN.
DISPOSITIVO DE CONDUCCION ELECTRICA VARIABLE. COMPRENDE DOS PARTES, UNA PRIMERA PARTE QUE INCLUYE DOS ELECTRODOS, ANODO (1A) Y CATODO (1B), Y UN ELECTROLITO SOLIDO A TRAVES DEL CUAL CIRCULA OXIGENO, Y UNA SEGUNDA PARTE QUE INCLUYE DOS ELECTRODOS (3A Y 3B), Y UN SUPERCONDUCTOR ; COMPRENDIENDO ADEMAS EL DISPOSITIVO MEDIOS PARA CONTROLAR LA CIRCULACION DEL OXIGENO QUE INCLUYEN UNA FUENTE DE ALIMENTACION (5A) Y UN CONMUTADOR . SE REDUCE LA POSIBLE DISTORSION DE LA SEÑAL AL INTEGRAR EN UN SOLO CUERPO EL SENSOR Y EL AMPLIFICADOR. LA INVENCION SE REFIERE TAMBIEN A UN DISPOSITIVO AMPLIFICADOR BASADO EN EL DISPOSITIVO DE CONDUCCION ELECTRICA VARIABLE QUE ADEMAS DE UTILIZARSE COMO AMPLIFICADOR PUEDE TAMBIEN UTILIZARSE COMO INTERRUPTOR.
