CIP-2021 : G11C 11/4076 : Circuitos de sincronización (para la gestión de la regeneración G11C 11/406).

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Notas[n] desde G11C 11/02 hasta G11C 11/54:

G FISICA.

G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.

G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597).

G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad).

G11C 11/4076 · · · · · · · Circuitos de sincronización (para la gestión de la regeneración G11C 11/406).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Dispositivos de memoria y procedimientos de operación de los mismos.

(04/12/2019) Un dispositivo de memoria, siendo el dispositivo de memoria una memoria dinámica de acceso aleatorio, DRAM, y que comprende: una matriz de memoria que incluye un primer grupo de células de memoria y un segundo grupo de células de memoria acopladas a una pluralidad de líneas de bits y una pluralidad de líneas de palabras; una pluralidad de circuitos de los amplificadores de detección acoplados a la pluralidad de líneas de bits, en el que cada circuito del amplificador de detección incluye un amplificador de detección y está configurado para detectar y amplificar una diferencia de tensión entre dos de las líneas de bits acopladas a…

Potencia programable para una interfaz de memoria.

(21/05/2019). Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: DIFFENDERFER,JAN CHRISTIAN, CHENG,YUEHCHUN CLAIRE.

Un procedimiento para el control de retardo en una interfaz de memoria, que comprende: proporcionar una polarización de voltaje a un circuito de retardo, en el que la polarización de voltaje controla un retardo del circuito de retardo; actualizar la polarización de voltaje a una velocidad de actualización; y ajustar la velocidad de actualización basada en una velocidad de datos de una señal que está siendo retardada por el circuito de retardo, en el que dicha velocidad de datos indica la operación de velocidad de datos de la interfaz de memoria.

PDF original: ES-2713443_T3.pdf

Arquitectura de DRAM de alta velocidad con una latencia de acceso uniforme.

(16/07/2014) Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio (DRAM) que comprende: una celda de memoria acoplada a un par de líneas de bit y a una línea de palabra; un dispositivo de habilitación de líneas de palabra acoplado a la línea de palabra para poner en estado activo la línea de palabra; un amplificador de detección acoplado al par de líneas de bit para detectar niveles de voltaje en el par de líneas de bit y restaurar una carga en la celda de memoria; un circuito de ecualización de líneas de bit acoplado al par de líneas de bit para precargar el par de líneas de bit; y caracterizada por que la DRAM incluye un circuito de temporización para recibir una señal de control y controlar el circuito de ecualización de líneas de bit, el dispositivo de habilitación de líneas de palabra, y el amplificador de detección; en la que, en un primer flanco de la…

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