Arquitectura de núcleos en serie de memoria no volátil.
(14/05/2014) Tampón de página de banco de memoria que comprende matriz de memoria acoplada a bitlines (BL) y wordlines (WL), caracterizado: por primeras y segundas secciones del tampón de página (614, 616: 616, 618), porque la primera sección del tampón de página comprende un primer activador y un primer segmento del tampón de página acoplado a los primeros bitlines (CBL_S1_[1:n]; CBL_S2_[1:n]) y líneas de datos (L_DL[1:n]) y configurada para acceder a los primeros bitlines (CBL_S1_[1 :n], CBL_S2_[1:n]), porque la segunda sección del tampón de página comprende un segundo activador y un segundo segmento de tampón de página acoplado a los segundos bitlines…