CIP-2021 : C23C 16/32 : Carburos.
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Notas[t] desde C21 hasta C30: METALURGIA
Notas[g] desde C23C 16/00 hasta C23C 20/00: Deposición química o revestimiento por descomposición; Deposición por contacto
C QUIMICA; METALURGIA.
C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.
C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04).
C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00).
C23C 16/32 · · · Carburos.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Matriz y pistón de aparato de SPS, aparato de SPS que los comprende, y procedimiento de sinterización, densificación o ensamblaje en una atmósfera oxidante que utiliza este aparato.
(23/10/2019). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: LE PETITCORPS,YANN, LARGETEAU,ALAIN, ALLEMAND,ALEXANDRE, U-CHAN CHUNG,SEU, ROGER,JÉRÔME.
Matriz de aparato de sinterización en caliente con campo eléctrico pulsado, caracterizada por que dicha matriz está fabricada de grafito y las superficies exteriores de dicha matriz están recubiertas de una capa de carburo de silicio de un espesor de 1 a 10 μm, estando dicha capa de carburo de silicio además eventualmente recubierta de una o más capas de un carburo que no sea carburo de silicio seleccionado entre carburo de hafnio, carburo de tántalo y carburo de titanio, teniendo dicha o dichas otras capas cada una un espesor de 1 a 10 μm.
PDF original: ES-2765799_T3.pdf
Procedimiento para la precipitación de un revestimiento in situ sobre componentes de un reactor de lecho fluidizado sometidos a carga térmica y química para la producción de polisilicio altamente puro.
(04/09/2019). Solicitante/s: WACKER CHEMIE AG. Inventor/es: PEDRON,SIMON.
Procedimiento para el revestimiento de componentes sometidos a carga térmica y química de un reactor de lecho fluidizado para la producción de granulado de polisilicio altamente puro, en el que el reactor de lecho fluidizado exento de material a granel se lava con una mezcla gaseosa reactiva a una temperatura media de pared de tubo de 600 a 1400°C durante un intervalo de tiempo de 1 h a 8 días y a una presión de 1 a 15 bar (bar abs), y de este modo se dotan las superficies del reactor, que presentan una temperatura de más de 600ºC, de un revestimiento in situ de Si y/o Si3N4, a través de un procedimiento CVD.
PDF original: ES-2750843_T3.pdf
Procedimiento de encapsulación de acristalamientos de policarbonato provistos de un revestimiento antiarañazos.
(05/12/2018) Procedimiento de encapsulación de un acristalamiento de policarbonato que comprende, al menos en alguna de sus caras, un revestimiento duro antiabrasión a base de silicona, comprendiendo dicho procedimiento las siguientes etapas sucesivas:
a) tratar una región de la cara del acristalamiento que porta el revestimiento duro a base de silicona por plasma atmosférico con una boquilla de plasma que tiene una potencia comprendida entre 100 voltamperios y 1.000 voltamperios, siendo la distancia entre el extremo de la boquilla de plasma y la superficie del acristalamiento como máximo igual a 7 mm,
b) aplicar, sobre dicha región tratada por plasma atmosférico, una composición de imprimación que comprende uno o varios promotores de adhesión seleccionados entre los…
Cuerpo revestido con materiales duros.
(15/06/2016). Solicitante/s: KENNAMETAL INC.. Inventor/es: VAN DEN BERG, HENDRIKUS, SOTTKE, VOLKMAR, WESTPHAL, HARTMUT.
Cuerpo revestido con materiales duros con varias capas, cada una aplicada mediante CVD sobre un sustrato, caracterizado porque el sustrato es un metal duro, un cermet o un material cerámico sobre el que está dispuesta una capa de Al2O3 como capa exterior sobre una capa de Ti1-xAlxN y/o Ti1-xAlxC y/o Ti1-xAlxCN con el valor x comprendido entre 0,65 y 0,95, siendo el cuerpo una herramienta cortante para cortes interrumpidos.
PDF original: ES-2628524_T3.pdf
Procedimiento para recubrir una pieza con un recubrimiento de protección contra la oxidación mediante una técnica de deposición química en fase de vapor, y recubrimiento y pieza.
(27/04/2016) Procedimiento para preparar un recubrimiento multicapa de protección contra la oxidación sobre al menos una superficie de al menos una pieza de al menos un material susceptible de oxidarse, en el que se realizan las etapas sucesivas siguientes:
a) se deposita sobre la superficie una capa de un catalizador que permite el crecimiento de fibras cortas de una cerámica que resiste a la oxidación;
b) se hace crecer sobre la superficie, mediante un procedimiento de deposición química en fase de vapor CVD o un procedimiento de infiltración química en fase de vapor CVI, una primera capa constituida por partículas de una cerámica que resiste a la oxidación, comprendiendo dichas partículas…
Cuerpo revestido con materiales duros.
(29/02/2016). Solicitante/s: KENNAMETAL INC.. Inventor/es: VAN DEN BERG, HENDRIKUS, SOTTKE, VOLKMAR, WESTPHAL, HARTMUT.
Cuerpo revestido con materiales duros con varias capas aplicadas mediante CVD, caracterizado porque sobre una capa de Ti1-xAlx-N y/o Ti1-xAlx-C y/o Ti1-xAlx-CN con el valor x comprendido entre 0,65 y 0,95, está dispuesta una capa de AI2O3 como capa exterior, donde cada una de dichas capas se ha aplicado por medio de CVD.
PDF original: ES-2561597_T3.pdf
Aparato para la formación de polímero de forma continua sobre superficies de metal por polimerización por plasma de CC.
(04/03/2013) Un aparato para la formación de polímero de forma continua por polimerización por plasma de CC, quecomprende:
una cámara de transporte que tiene un rodillo de desenrollado para desenrollar un sustrato cuya superficieva a tratarse y para transportar el mismo hasta la otra cámara y un rodillo de devanado para devanar elsustrato con tratamiento de superficie;
una cámara de deposición para polimerizar por plasma la superficie del sustrato por plasma de descarga deCC usando el sustrato como un electrodo e instalando dos electrodos opuestos, opuestos al sustrato;
una unidad de suministro de alta tensión conectada eléctricamente con el sustrato…
PROCEDIMIENTO Y DISPOSITIVO PARA EL RECUBRIMIENTO EN FASE DE VACIO DE UN SUSTRATO.
(16/07/2006). Solicitante/s: ROBERT BOSCH GMBH. Inventor/es: WEBER, THOMAS, BURGER, KURT, VOIGT, JOHANNES, LUCAS, SUSANNE.
La invención se refiere a un procedimiento para revestir un sustrato por depósito químico en fase de vapor activado por plasma. Para regular el bombardeo iónico durante el revestimiento, una tensión (US), producida independientemente del plasma de revestimiento se aplica al sustrato, siendo dicha tensión modificada durante el revestimiento. La tensión de sustrato (US) es, de manera apropiada, una tensión continua bipolar impulsada, que presenta una frecuencia comprendida entre 0,1 kHz y 10 lHz. La invención se refiere también a una estructura multicapa que resiste al desgaste y que reduce la fricción, constituida por capas individuales alternas de material con resistencia mecánica elevada y de carbono o de silicio.
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE UN RECUBRIMIENTO EN UNA HERRAMIENTA DE MECANIZACION CON LEVANTAMIENTO DE VIRUTAS, Y HERRAMIENTA DE MECANIZACION.
(01/03/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: BIHLERIT G.M.B.H. & CO. KG. Inventor/es: VOIGT, KLAUS, KISSELBACH ANDREAS, PITONAK, REINHARD.
Método para la producción de un recubrimiento sobre una parte o partes de la superficie inmediata al borde o bordes de corte de una herramienta de corte con levantamiento de virutas, caracterizado porque la superficie de la herramienta o sustrato a recubrir es rectificada con una profundidad máxima de perfil RY menor de 8 microm en la sección transversal de la superficie, seguido de una etapa de alisado de las puntas salientes del perfil a una profundidad máxima del perfil RM de 1 a 5 microm y que sobre la superficie del sustrato constituida de este modo se aplica con un grosor de 0, 5 a 5 microm una capa de nitruro, carburo, carbonitruro, según sea el caso, con oxígeno por ejemplo, oxicarburo, como mínimo, de dos elementos de los grupos 4, 5 y 6 de la tabla periódica de elementos.
CRECIMIENTO DE CAPAS EPITAXIALES MUY UNIFORMES DE CARBURO DE SILICIO.
(01/04/2003) Método de deposición química en fase de vapor que aumenta la uniformidad del espesor de las capas epitaxiales de carburo de silicio, comprendiendo el método: calentar un reactor a una temperatura de al menos 1500ºC, suficientemente alta para el crecimiento epitaxial de carburo de silicio, pero inferior a la temperatura a la que un gas portador de hidrógeno tendería a mordentar el carburo de silicio; y dirigir el flujo de los gases fuente, incluyendo silano, y los gases portadores, a través del reactor calentado, para formar una capa epitaxial de carburo de silicio en el substrato, estando el flujo de gas dirigido a través …
ELEMENTO PARA JUNTAS, ESPECIALMENTE PARA DISPOSITIVOS DE SELLADO Y REGULACION ASI COMO PROCEDIMIENTO PARA SU FABRICACION.
(01/11/1999). Solicitante/s: FRIEDRICH GROHE AG. Inventor/es: WAGNER, FRIEDRICH, STRELOW,HANS-PETER.
LA INVENCION SE REFIERE A UN ELEMENTO PARA JUNTAS, EN PARTICULAR PARA ORGANOS DE CIERRE Y REGULACION. EL ELEMENTO PARA JUNTAS CONSTA DE UN CUERPO DE CIERRE CON FORMA DE PLACA O DE EMBOLO FORMADO DE UN MATERIAL METALICO O NO METALICO. POR EJEMPLO PUEDE SER UN MATERIAL CERAMICO DE AL{SUB,2}O{SUB,3}. MEDIANTE UN PROCEDIMIENTO DE CVD DE PLASMA SE DEPOSITA EN UNA SUPERFICIE DE TRABAJO DEL CUERPO DE CIERRE UNA CAPA DE SUSTANCIA DURA QUE CONTIENE CARBONO Y SILICIO DE APROXIMADAMENTE 1 A 2 {MI}M CON UNA PARTE DE CAPA ADHESIVA Y UNA PARTE DE CAPA LUBRICANTE, SIENDO MAYOR EL CONTENIDO EN SILICIO EN LA PARTE DE CAPA ADHESIVA QUE EN LA PARTE DE CAPA LUBRICANTE. PARA ELEVAR LA ADHERENCIA DE LA PARTE DE CAPA ADHESIVA SE REALIZA UN RECOCIDO DE ESTA DESPUES DE SU RECUBRIMIENTO. EL RECOCIDO SE LLEVA A CABO O DURANTE 0,5 A 1 MIN A 900.
PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR PELICULAS DE CARBURO DE SILICIO UTILIZANDO UN UNICO COMPUESTO ORGANICO DE SILICIO.
(16/10/1999). Solicitante/s: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Inventor/es: KIM, YUNSOO, BOO, JIN-HYO, YU, KYU-SANG, JUNG, IL NAM, YEON, SEUNG HO.
PROCESO PARA LA PREPARACION DE UNA PELICULA DE CARBURO DE {AL}O {BE}-SILICIO AMORFA QUE SE COMPONE DE UNA FASE DE VAPORIZACION DE AL MENOS UN COMPUESTO DE SILALCANO LINEAL QUE TIENE ATOMOS DE SILICIO Y CARBONO ALTERNADOS, UNA FASE DE CARGA DEL VAPOR DEL COMPUESTO DE SILALCANO LINEAL EN UN SISTEMA ASPIRANTE Y UNA FASE DE EXPOSICION DE LA SUPERFICIE DE UN SUBSTRATO AL VAPOR PARA FORMAR UNA PELICULA DE CARBURO DE SILICIO. UTILIZANDO CUALQUIERA DE ESTOS COMPUESTOS FUENTE POR SI SOLO O EN UNA MEZCLA DE DOS O MAS O JUNTO CON UN GAS PORTADOR HIDROGENO O ARGON, SE PUEDE OBTENER UNA PELICULA DE CARBURO DE {AL}- O {BE}-SILICIO SIN UNA CANTIDAD EXCESIVA DE CARBONO O SILICIO, A TEMPERATURAS INFERIORES A LOS 1000 (GRADOS) C.
COMPUESTOS UTILES COMO PRECURSORES QUIMICOS EN LA DEPOSICION QUIMICA DE VAPOR DE MATERIALES CERAMICOS BASADOS EN EL SILICIO.
(01/04/1998). Solicitante/s: ENICHEM S.P.A.. Inventor/es: CLARK, TERENCE, CRUSE, RICHARD, ROHMAN, STEPHEN, MININNI, ROBERT, SZALAI, VERONIKA.
PARA REDUCIR LAS PROPORCIONES DE FORMACION DE COQUE DURANTE LA PIROLISIS INDUSTRIAL DE LOS HIDROCARBONOS, LA SUPERFICIE INTERIOR DEL REACTOR SE RECUBRE CON UNA CAPA FINA DE MATERIAL CERAMICO, LA CAPA SE DEPOSITA MEDIANTE DESCOMPOSICION TERMICA DE UN PRECURSOR DE SILICONA-NITROGENO QUE NO CONTIENE OXIGENO EN LA FASE DE VAPOR, EN UNA ATMOSFERA DE UN GAS INERTE O REDUCTOR PARA MINIMIZAR LA FORMACION DE OXIDOS CERAMICOS.
