CIP-2021 : C30B 25/18 : caracterizado por el sustrato.
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C QUIMICA; METALURGIA.
C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.
C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS.
C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor.
C30B 25/18 · · caracterizado por el sustrato.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Preparación de material semiconductor de cristal individual usando una plantilla nanoestructural.
(03/07/2019). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un procedimiento para crear nanoestructuras de semiconductor, el cual comprende los pasos de:
(a) proporcionar un material de plantilla que comprende una capa de material semiconductor y un sustrato;
(b) crear una máscara encima del material de plantilla;
y
(c) usar la máscara para formar al menos una nanoestructura en el material de plantilla; las nanoestructuras se forman mediante decapado del material de plantilla, donde el paso (b) incluye depositar una capa de material dieléctrico sobre el material de plantilla, y donde una capa de metal se aplica sobre la capa de material dieléctrico.
PDF original: ES-2744818_T3.pdf
Diamantes monocristalinos de grado de dispositivo electrónico y método de producción de los mismos.
(22/05/2019) Un método que utiliza un proceso de deposición de vapor químico por plasma de microondas (MPCVD) para producir diamante monocristalino de grado de dispositivo electrónico, que comprende:
(a) seleccionar un sustrato o una semilla de diamante que tengan una orientación predeterminada;
(b) limpiar y grabar fases que no son de diamante y otros daños superficiales inducidos por el sustrato o la semilla de diamante , con lo que esta etapa se realiza una o más veces, y en donde esta etapa comprende eliminar las fases que no son de diamante del sustrato limpiándolo en un baño de ácido hirviendo que tiene una temperatura…
Sustratos de vitrocerámica para el crecimiento del grafeno.
(27/03/2019). Solicitante/s: CORNING INCORPORATED. Inventor/es: BORRELLI,NICHOLAS FRANCIS, FEKETY,CURTIS ROBERT, LIU,XINYUAN, SONG,ZHEN.
Un sustrato para el crecimiento del grafeno, que comprende:
un cuerpo vitrocerámico. y
islas metálicas plurales dispuestas sobre una superficie del cuerpo vitrocerámico.
PDF original: ES-2719959_T3.pdf
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad.
(15/11/2017). Solicitante/s: Nanogan Limited. Inventor/es: WANG,WANG NANG.
Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende:
a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna semiconductora compuesta cultivada en el para proporcionar una superficie de crecimiento de iniciacion epitaxial;
b) cultivar un material semiconductor compuesto en la nanocolumna usando sobrecrecimiento lateral epitaxial y (c) separar del sustrato el material semiconductor compuesto cultivado,
en el que la nanocolumna se cultiva con un solo material dopado o no dopado, o con la combinacion de etapas de no dopado y dopado o etapas de n dopado y p dopado, y
en el que la nanocolumna incluye una region de tipo p proxima a la superficie de crecimiento.
PDF original: ES-2657666_T3.pdf
Aparato y métodos para preparación de varillas de silicio de alta pureza usando medios de núcleo mixtos.
(06/07/2016) Un metodo para preparar una varilla de silicio policristalino usando un medio de nucleo mixto, que comprende:
(a) instalar un primer medio de nucleo formado por un material resistivo junto con un segundo medio de nucleo formado por un material de silicio en un espacio interno de un reactor de deposicion;
(b) calentar electricamente el primer medio de nucleo y calentar previamente el segundo medio de nucleo con el primer medio de nucleo que se calienta electricamente;
(c) calentar electricamente el segundo medio de nucleo calentado previamente; y
(d) suministrar un gas de reaccion en el espacio interno en un estado en el que el primer medio de nucleo y el segundo medio de nucleo se calientan electricamente…
Procedimiento y dispositivo para la producción de varillas finas de silicio.
(14/10/2013) Procedimiento para la producción de varillas finas de silicio, que comprende las siguientes etapas: a) habilitaciónde una varilla de silicio; b) corte secuencial de tablas de un grosor determinado a partir de la varilla por medio de undispositivo de aserrado, en donde la varilla es girada axialmente entre dos cortes consecutivos en cada caso en 90º oen 180º de manera que de cuatro cortes consecutivos tienen lugar por pares en cada caso dos de los cuatro cortes encaras radialmente enfrentadas de la varilla o en donde el corte de las tablas tiene lugar simultáneamente al mismotiempo en caras radialmente enfrentadas de la varilla; c) aserrado de las tablas cortadas para formar varillas finas conuna sección transversal rectangular
PROCEDIMIENTO DE FORMACIN DE UNA CAPA DE CARBURO DE SILICIO O DE NITRURO DE UN ELEMENTO DEL GRUPO III SOBRE UN SUSTRATO ADAPTADO.
(16/05/2006). Solicitante/s: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS). Inventor/es: LEYCURAS, ANDRE.
Producto intermediario para la realización de componentes ópticos, electrónicos u optoeléctricos, que comprende una capa cristalina de carburo de silicio cúbico sobre un sustrato monocristalino, caracterizado porque el sustrato es de silicio-germanio, estando presente el germanio en una proporción atómica comprendida entre 5 y 20%.
(16/11/1994). Solicitante/s: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.. Inventor/es: YOSHIDA, KATSUHITO, TSUJI, KAZUSWO.
MATERIAL COMPUESTO UTIL COMO DIODO CAPAZ DE OPERAR A ALTAS TEMPERATURAS COMO, POR EJEMPLO, DE 500 A 600 C O UN MECANISMO OPTICO SEMICONDUCTOR CAPAZ DE EMITIR RAYOS ULTRAVIOLETAS. CONTIENE UN CRISTAL DE DIAMANTE CON AISLAMIENTO ELECTRICO Y UN CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO, FORMADO EN UNA CARA DEL CRISTAL DE DIAMANTE COMO UN SUSTRATO, DE TAL MANERA QUE EN EL CRISTAL CUBICO BORO NITROGENADO TIENE EL MISMO INDICE DE PLANO QUE EL SUSTRATO.
METODO PARA FORMAR UN CRISTAL Y ARTICULO CRISTALINO OBTENIDO POR DICHO METODO.
(01/03/1994). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, NARUSE, YASUHIRO.
LA INVENCION DESCRIBE UN METODO PARA FORMAR UN CRISTAL QUE COMPRENDE APLICAR UN TRATAMIENTO FORMADOR DE CRISTAL SOBRE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE LIBRE SOBRE LA CUAL ESTAN DISPUESTAS ADYACENTES UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDS) CON UNA PEQUEÑA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDS) Y UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDL) QUE TIENE UN AREA SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA PARA QUE CREZCA EL CRISTAL SOLAMENTE A PARTIR DE UN UNICO NUCLEO, Y QUE TIENE UNA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDL) MAYOR QUE LA DE LA SUPERFICIE (SNDS), DANDO ASI LUGAR AL CRECIMIENTO DE UN MONOCRISTAL A PARTIR DE DICHO UNICO NUCLEO.