(14/10/2013) Procedimiento para la producción de varillas finas de silicio, que comprende las siguientes etapas: a) habilitaciónde una varilla de silicio; b) corte secuencial de tablas de un grosor determinado a partir de la varilla por medio de undispositivo de aserrado, en donde la varilla es girada axialmente entre dos cortes consecutivos en cada caso en 90º oen 180º de manera que de cuatro cortes consecutivos tienen lugar por pares en cada caso dos de los cuatro cortes encaras radialmente enfrentadas de la varilla o en donde el corte de las tablas tiene lugar simultáneamente al mismotiempo en caras radialmente enfrentadas de la varilla; c) aserrado de las tablas cortadas para formar varillas finas conuna sección transversal rectangular

(02/04/2012) Procedimiento de solidificación de semiconductor, que incluye al menos las etapas de: - formar un baño de semiconductor fundido a partir de al menos una primera carga de semiconductor que incluye dopantes, - solidificar el semiconductor fundido , y que incluye además, en el transcurso de la solidificación del semiconductor fundido , la realización, en el curso de al menos una parte del procedimiento de solidificación, de una o varias etapas de adición de una o varias cargas suplementarias del semiconductor, que incluyen asimismo dopantes, al baño de semiconductor rebajando la variabilidad del valor del término **Fórmula** del semiconductor fundido del baño con relación a la variabilidad realizada de forma natural por los valores de los coeficientes de…