Membrana SMEM con línea de transmisión integrada.

Conmutador microelectromecanico (SMEM) (1; 1'; 1"; 101; 201; 301;

401) formado sobre un sustrato (2; 2'; 2"; 202; 302; 402), donde el conmutador microelectromecanico (1; 1'; 1"; 101; 201; 301; 401) comprende:

- una primera linea de senal de RF (3; 3'; 3"; 103; 203; 303; 403) y una segunda linea de senal de RF (4; 4'; 4"; 204; 304; 404) formada en el sustrato (2; 2'; 2"; 202; 302; 402);

- una membrana deformable hecha de un material altamente resistivo (5; 5'; 5"; 105; 205; 305; 405), donde la membrana (5; 5'; 5"; 105; 205; 305; 405) se mantiene, en un estado no deformado, separada del sustrato (2; 2'; 2"; 202; 302; 402) mediante medios de anclaje (6; 6'; 6"; 106; 206) asegurados al sustrato (2; 2'; 2"; 202; 302; 402),

- un medio de activacion (7; 7'; 7"; 107; 207; 307; 407) configurado para deformar la membrana (5; 5'; 5"; 105; 205; 305; 405) a partir de su estado no deformado,

- una pista de sustrato (103) formada en el sustrato (2; 2'; 2"; 202; 302; 402), frente a la membrana (5; 5'; 5"; 105; 205; 305; 405),

- una pista de membrana (8; 8'; 8"; 208; 308a, 308b) integrada en la membrana (5; 5'; 5"; 105; 205; 305; 405) y que lleva una zona de contacto conductora (8a; 8a'; 8a"; 208a) opuesta a la pista de sustrato (103) configurada para producir un contacto conductor entre la pista de sustrato (103) y la pista de membrana en un estado deformado de la membrana (8; 8'; 8"; 208' 308a, 308b), donde la primera linea de senal de RF (3; 3'; 3"; 103; 203; 303; 403) y la segunda linea de senal de RF (4; 4'; 4"; 204; 304; 404) estan conectadas por medio de al menos una de entre la pista de membrana (8; 8'; 8"; 208; 308a, 308b) y la pista de sustrato (103), donde el conmutador (1; 1'; 1"; 101; 201; 301; 401) esta en el estado de paso cuando una senal es capaz de circular desde la primera linea de senal de RF (3; 3'; 3"; 103; 203; 303; 403) a la segunda linea de senal de RF (4; 4'; 4"; 204; 304; 404), y en el estado bloqueado cuando una senal no puede circular desde la primera linea de senal de RF (3; 3'; 3"; 103; 203; 303; 403) a la segunda linea de senal de RF (4 ; 4'; 4"; 204; 30 4; 404)

caracterizado por el hecho de que una masa de RF de membrana (9, 10; 9', 10'; 9", 10"; 109, 110; 209, 210; 309a, 309b, 310a, 310b; 409a, 409b, 410a, 410b) esta integrada en la membrana (5; 5'; 5"; 105; 205; 305; 405), donde la masa de RF de membrana (9, 10; 9', 10'; 9", 10"; 109, 110; 209, 210; 309a, 309b, 310a, 310b; 409a, 409b, 410a, 410b) esta conectada electricamente a una masa de RF de sustrato (11, 12, 13, 14; 11' , 13'; 11", 13"; 111, 112, 113, 114 ; 211, 212, 213, 214; 311, 312; 411, 412) por medio de anclajes (6; 6', 6"; 106; 206), donde la masa de RF de membrana (9, 10; 9', 10'; 9", 10"; 109, 110; 209, 210; 309a, 309b, 310a, 310b; 409a, 409b, 410a, 410b) enmarca y esta formada en paralelo a al menos una de entre la pista de membrana (8; 8'; 8"; 208; 308a, 308b) y la pista de sustrato (103), de modo que la masa de RF (9, 10; 9', 10'; 9", 10"; 109, 110; 209, 210; 309a, 309b , 310a, 310b; 409a, 409b, 410a, 410b) sigue el trayecto de la senal de RF, para guiar la propagacion de la senal de RF desde la primera linea de senal de RF (3; 3'; 3"; 103; 203; 3 03; 403) a la segunda linea de senal de RF (4; 4'; 4"; 204; 304; 404) cuando el conmutador esta en el estado de paso.