Dispositivo de circuito rectificador.
Un dispositivo de circuito rectificador adaptado para realizar el corte en un interruptor (104) semiconductor para cortocircuitar y abrir un suministro (1) de energía de CA monofásica a través de un reactor (102) y para suministrar una corriente eléctrica desde un lado de CA a un lado de CC a través del reactor (102),
comprendiendo el dispositivo de circuito rectificador:
un medio (103) para detectar una corriente eléctrica (lac) en el lado de CA;
un medio (110) para detectar una tensión de CC (Vdc); y
un medio (100) de control, caracterizado porque
el medio (100) de control incluye
un medio (202) para formar una forma de onda de corriente eléctrica objetivo que tiene una frecuencia igual a la de una forma de onda de tensión de CA;
un medio (205, 212, 213) para formar una tensión de comando de tensión de salida (Vdc*); un medio (209, 210, 211) para ajustar y controlar el corte en el interruptor (104) semiconductor de tal manera que una forma de onda de corriente eléctrica detectada tiene una forma igual a la de la forma de onda de corriente eléctrica objetivo; y un medio para ajustar una amplitud de la forma de onda de corriente eléctrica objetivo de tal manera que la tensión de CC detectada (Vdc) llegue a ser una tensión deseada de acuerdo con la tensión de comando de tensión de salida (Vdc*) que se genera por el medio (205, 212, 213) para formar la tensión de comando de tensión de salida (Vdc*) en el que
el medio (205, 212, 213) para formar la tensión de comando de tensión de salida incluye un medio (212) de detección de fase/anchura de corte que detecta una fase (θAPAGADO) a la que el interruptor semiconductor cambia de un estado de corte a un estado de detención de corte;
un medio de configuración (213) de desviación que compara entre una fase (θAPAGADO*) deseada y la fase (θAPAGADO) a la que el interruptor semiconductor cambia de un estado de corte a un estado de detención de corte para generar una desviación; y
un medio (205) de operación de compensación del sistema de fase que convierte la desviación en tensión para formar la tensión de comando de tensión de salida (Vdc*) y
que ajusta la tensión de comando de tensión de salida (Vdc*)
de tal manera que una fase (θAPAGADO) a la que el interruptor (104) semiconductor cambia de un estado de corte a un estado de detención de corte llegue a ser una fase (θAPAGADO*) deseada.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/JP2011/003960.
Solicitante: PANASONIC CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 JAPON.
Inventor/es: DOYAMA,YOSHIAKI, YOSHIDA,IZUMI, KYOGOKU,AKIHIRO, KAWASAKI,TOMOHIRO.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H02M1/42 ELECTRICIDAD. › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA. › H02M APARATOS PARA LA TRANSFORMACION DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE ALTERNA, DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE CONTINUA O DE CORRIENTE CONTINUA EN CORRIENTE CONTINUA Y UTILIZADOS CON LAS REDES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA O SISTEMAS DE ALIMENTACION SIMILARES; TRANSFORMACION DE UNA POTENCIA DE ENTRADA EN CORRIENTE CONTINUA O ALTERNA EN UNA POTENCIA DE SALIDA DE CHOQUE; SU CONTROL O REGULACION (transformadores H01F; convertidores dinamoeléctricos H02K 47/00; control de los transformadores, reactancias o bobinas de choque, control o regulación de motores, generadores eléctricos o convertidores dinamoeléctricos H02P). › H02M 1/00 Detalles de aparatos para transformación. › Circuitos o disposiciones para corregir o ajustar el factor de potencia en convertidores o inversores.
- H02M7/12 H02M […] › H02M 7/00 Transformación de una potencia de entrada en corriente alterna en una potencia de salida en corriente continua; Transformación de una potencia de entrada en corriente continua en una potencia de salida en corriente alterna. › utilizando tubos de descarga con electrodo de control o dispositivos semiconductores con electrodo de control.
- H02M7/217 H02M 7/00 […] › utilizando solamente dispositivos semiconductores.
PDF original: ES-2687827_T3.pdf
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