DISPOSITIVO AMPLIFICADOR OPTICO DE SEMICONDUCTOR.
Dispositivo amplificador óptico de semiconductor.#El amplificador óptico de semiconductor que se propone está construido basándose en la fabricación de los láseres de semiconductor y se estructura en múltiples etapas,
comprendiendo al menos dos zonas activas (1, 2) con ganancia, entre las que se dispone una zona pasiva (3) de pérdidas controladas mediante una corriente continua (10) inyectada por el electrodo (6). Por la primera zona activa (1) se introduce una señal eléctrica (5) de modulación con una frecuencia (f1), que se mezcla con la señal óptica de entrada (4) al dispositivo y es amplificada. La zona pasiva (3) atenúa la señal óptica de salida de la primera etapa (11), resultando una segunda señal óptica (12) que entra a la segunda zona activa (2) para mezclarse con la señal eléctrica (5) a una segunda frecuencia (f2). Finalmente se obtiene la señal óptica de salida (13) con frecuencias suma (f1+f2), resta (f1-f2) o doble de cada frecuencia (2f1, 2f2).
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE VALENCIA.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: VALENCIA.
Inventor/es: CAPMANY FRANCOY,JOSE, SALES MAICAS,SALVADOR, PASTOR ABELLAN,DANIEL, ORTEGA TAMARIT,BEATRIZ.
Fecha de Solicitud: 16 de Marzo de 2005.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 24 de Septiembre de 2007.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01S5/50B
- H04B10/16
Clasificación PCT:
- H01S5/50 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 5/00 Láseres de semiconductor (diodos superluminiscentes H01L 33/00). › Estructuras amplificadoras no previstas en los grupos H01S 5/02 - H01S 5/30.
- H04B10/16
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