UN ELEMENTO DE RESISTENCIA ELECTRICA.
UN ELEMENTO DE RESISTENCIA ELECTRICA DEL TIPO DE SILICIURO DE MOLIBDENO QUE CONSTA DE AL MENOS UNA ZONA CALIENTE Y AL MENOS DOS CONDUCTORES INTRODUCTORES,
EN DONDE LA ZONA CALIENTE INCLUYE UN MATERIAL DE SILICIURO HOMOGENEO QUE CONTIENE MOLIBDENO Y UN TUNGSTENO QUE TIENE LA FORMULA QUIMICA MO{SUB,X}W{SUB,1X}SI{SUB ,2} DONDE X ESTA ENTRE 0.5 Y 0.75, CARACTERIZADO POR QUE ENTRE EL 10 Y 40% DEL PESO TOTAL SE REEMPLAZA CON AL MENOS UNO DE LOS COMPUESTOS DE BORURO DE MOLIBDENO O BORURO DE TUNGSTENO; Y QUE DICHOS COMPUESTOS ESTAN PRESENTES EN EL MATERIAL DE SILICIURO EN FORMA DE PARTICULAS.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: KANTHAL AB.
Nacionalidad solicitante: Suecia.
Dirección: BOX 502,734 27 HALLSTAHAMMAR.
Inventor/es: SUNDBERG, MATS.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 2 de Enero de 2003.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01C17/06 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01C RESISTENCIAS. › H01C 17/00 Aparatos o procesos especialmente adaptados a la fabricación de resistencias (guarniciones de cárters o de envolturas H01C 1/02; reducción en polvo del aislante que rodea una resistencia H01C 1/03; fabricación de resistencias dependientes de la temperatura H01C 7/02, H01C 7/04). › adaptados para depositar en capa el material resistivo sobre un elemento de base.
- H01C7/00 H01C […] › Resistencias fijas constituidas por una o varias capas o revestimientos; Resistencias fijas constituidas de un material conductor en polvo o de un material semiconductor en polvo con o sin material aislante (constituidas de material pulverulento o granular H01C 8/00; resistencias con barrera de potencial o barrera de superficie, p. ej. resistencias de efecto de campo, H01L 29/00; dispositivos semiconductores sensibles a las radiaciones electromagnéticas o corpusculares, p. ej. células fotorresistentes, H01L 31/00; resistencia controladas por campo magneticos H01L 43/08; dispositivos de resistencia negativa de volumen H01L 47/00).
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