MASCARAS LITOGRAFICAS DE DESPLAZAMIENTO DE FASE QUE TIENEN CAPAS DE DESPLAZAMIENTO DE FASE DE COMPOSICIONES DIFERENTES.
UNA MASCARA LITOGRAFICA DE DESPLAZAMIENTO DE FASE (500 O 600),
PARA SU USO CONJUNTAMENTE CON RADIACION OPTICA DE LONGITUD DE ONDA LAMBDA, TIENE UN SUSTRATO TRANSPARENTE (10) SOBRE EL CUAL RADIAN ( 2M + 1) PI INFERIOR Y UNA CAPA DE DESPLAZAMIENTO DE FASE RADIAN (2N + 1) PI SUPERIOR CON FIGURAS GEOMETRICAS (12) TENIENDO CADA UNA AL MENOS APROXIMADAMENTE EL MISMO INDICE DE REFRACCION EN LA LONGITUD DE ONDA LAMBDA COMO LA DEL SUSTRATO. UNA CAPA DE CROMO OPACA CON FIGURAS GEOMETRICAS MAS FINAS (13) ESTA SITUADA SOBRE LA CAPA DE DESPLAZAMIENTO DE FASE SUPERIOR CON FIGURAS GEOMETRICAS. LA CAPA DE DESPLAZAMIENTO INFERIOR ES QUIMICAMENTE DIFERENTE TANTO DEL SUSTRATO COMO DE LA CAPA SUPERIOR, CON EL FIN DE PROPORCIONAR BIEN LA DETECCION DE LA PARADA DEL ATAQUE AL ACIDO O LA DETECCION DEL PUNTO FINAL DE ATAQUE AL ACIDO DURANTE LAS TRITURACIONES DE HACES DE IONES SECOS, -COMO IONES DE GALIO PROPOSITO DE REPARAR LA MASCARA. POR EJEMPLO, EL SUSTRATO ES CUARZO (SILICE), LA CAPA DE DESPLAZAMIENTO DE FASE INFERIOR ES FLUORURO DE CALCIO Y LA CAPA DE DESPLAZAMIENTO DE FASE SUPERIOR ES SILICE. LOS RESTOS DEL GALIO PUEDEN ENTONCES SER ELIMINADOS, SI ES NECESARIO DE LAS PARTES EXPUESTAS DES SUSTRATO Y DE LA CAPA INFERIR, POR LA FORMACION DE REGIONES DE INDENTACION (52; 51) MEDIANTE ATAQUES AL ACIDO SUCESIVOS POR EJEMPLO, CON HF Y CHI RESPECTIVAMENTE, DURANTE INTERVALOS DE TIEMPO PREESTABLECIDOS RESPECTIVOS QUE TIENEN UNA RELACION TAL QUE LOS DESPLAZAMIENTOS DE FASE RELATIVOS DEL SUSTRATO Y AMBAS CAPAS DE DESPLAZAMIENTO DE FASE NO SON AFECTADAS POR LOS RESPECTIVOS ATAQUES AL ACIDO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AT&T CORP..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 32 AVENUE OF THE AMERICAS,NEW YORK, NY 10013-2412.
Inventor/es: PIERRAT, CHRISTOPHE.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 28 de Abril de 1999.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G03F1/00 FISICA. › G03 FOTOGRAFIA; CINEMATOGRAFIA; TECNICAS ANALOGAS QUE UTILIZAN ONDAS DISTINTAS DE LAS ONDAS OPTICAS; ELECTROGRAFIA; HOLOGRAFIA. › G03F PRODUCCION POR VIA FOTOMECANICA DE SUPERFICIES TEXTURADAS, p. ej. PARA LA IMPRESION, PARA EL TRATAMIENTO DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; MATERIALES A ESTE EFECTO; ORIGINALES A ESTE EFECTO; APARELLAJE ESPECIALMENTE ADAPTADO A ESTE EFECTO (aparatos de composición fototipográfica B41B; materiales fotosensibles o procesos para la fotografía G03C; electrofotografía, capas sensibles o procesos a este efecto G03G). › Originales para la producción por vía fotomecánica de superficies texturadas, p. ej. mascaras, foto-mascaras o reticulas; Máscara en blanco o películas para ello; Contenedores especialmente adaptados a este efecto; Su preparación.
- G03F1/14
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