LASER SEMICONDUCTOR CON UNA ENTRADA OPTICA DE CONTROL.

EL PRESENTE DISPOSITIVO COMPRENDE UNA CAVIDAD LASER (1) QUE TIENE UNA ZONA DE AMPLIFICACION LASER (2) Y UNA ZONA DE ABSORCION SATURABLE (3).

UN DISPOSITIVO DE ACOPLAMIENTO ASIMETRICO (4) QUE COMPRENDE UNA PRIMERA (6) Y UNA SEGUNDA GUIA DE LUZ QUE TIENE, PARA LA LONGITUD DE ONDA DE EMISION LASER DE LA CAVIDAD, INDICES DE REFRACCION EFECTIVOS DIFERENTES, ESTANDO EL INDICE EFECTIVO DE DICHA PRIMERA GUIA (6) AL MENOS CERCA DEL INDICE EFECTIVO DEL MODO LASER QUE SE PROPAGA EN DICHAS ZONAS DE AMPLIFICACION Y DE ABSORCION, ESTANDO DISPUESTA DICHA SEGUNDA GUIA (5) PARA PODER SER ACOPLADA CON UNA FUENTE DE SEÑALES OPTICAS DE CONTROL. LA INVENCION SE APLICA A LOS DISPOSITIVOS DE LASER QUE SE PUEDEN PONER EN MARCHA OPTICAMENTE Y QUE PUEDEN SERVIR, POR EJEMPLO DE OPERADOR FOTONICO BIESTABLE, DE ELEMENTO REGENERADOR OPTICO Y DE ELEMENTO DE UN REGISTRO DE DECALAJE O DE LINEA DE RETARDO OPTICO DE SALIDAS MULTIPLES.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ALCATEL CIT.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 12 RUE DE LA BAUME,F-75008 PARIS.

Inventor/es: GABRIAGUES, JEAN-MICHEL, LE ROY, GUY.

Fecha de Publicación: 16 de Febrero de 1996.

Fecha Concesión Europea: 3 de Enero de 1996.

Clasificación Internacional de Patentes:

G02F3/02 FISICA. › G02 OPTICA. › G02F DISPOSITIVOS O SISTEMAS CUYO FUNCIONAMIENTO OPTICO SE MODIFICA POR EL CAMBIO DE LAS PROPIEDADES OPTICAS DEL MEDIO QUE CONSTITUYE A ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS Y DESTINADOS AL CONTROL DE LA INTENSIDAD, COLOR, FASE, POLARIZACION O DE LA DIRECCION DE LA LUZ, p. ej. CONMUTACION, APERTURA DE PUERTA, MODULACION O DEMODULACION; TECNICAS NECESARIAS PARA EL FUNCIONAMIENTO DE ESTOS DISPOSITIVOS O SISTEMAS; CAMBIO DE FRECUENCIA; OPTICA NO LINEAL; ELEMENTOS OPTICOS LOGICOS; CONVERTIDORES OPTICOS ANALOGICO/DIGITALES. › G02F 3/00 Elementos ópticos lógicos; Dispositivos biestables ópticos. › Dispositivos biestables ópticos.
G11C19/30 G […] › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 19/00 Memorias digitales en las que la información es movida por escalones, p. ej. registros de desplazamiento. › que utilizan elementos optoelectrónicos, es decir, dispositivos emisores de luz y dispositivos fotoeléctricos acoplados eléctrica u ópticamente.
H01S3/106 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01S DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EL PROCESO DE AMPLIFICACION DE LUZ MEDIANTE EMISION ESTIMULADA DE RADIACIÓN [LASER] PARA AMPLIFICAR O GENERAR LUZ; DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN EMISION ESTIMULADA DE RADIACION ELECTROMAGNETICA EN RANGOS DE ONDA DISTINTOS DEL ÓPTICO. › H01S 3/00 Láseres, es decir, dispositivos que utilizan la emisión estimulada de la radiación electromagnética en el rango de infrarrojos, visible o ultravioleta (láseres de semiconductores H01S 5/00). › por control de un dispositivo situado en la cavidad (H01S 3/13 tiene prioridad).
H01S3/25
H04B10/16

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