MEMORIA SEMICONDUCTORA CON ALTA DENSIDAD DE CELULAS.

SE PROPORCIONA UNA CELULA DE MEMORIA MUY PEQUEÑA QUE UTILIZA SOLO DOS CUADRADOS EN LA SUPERFICIE MAYOR,

E INCLUYE, UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (26) CON UNA SUPERFICIE Y UN FOSO (24) DENTRO; UN CONDENSADOR DE CAPACIDAD DE ALMACENAMIENTO (16), CON UN MODO DE ALMACENAMIENTO (20) SITUADO DENTRO DE LA PARED LATERAL DEL FOSO (24); UN INTERRUPTOR (12) ACOPLADO AL CONDENSADOR DE CAPACIDAD (16), CON UN ELEMENTO TRANSPORTADOR DE CORRIENTE (22) DENTRO DE LA PARED LATERAL CITADA, TENIENDO SU DIRECCION LONGITUDINAL, PARALELA AL EJE LONGITUDINAL DEL FOSO (24); UN ELEMENTO DE CONTROL SITUADO EN LA PARED LATERAL DEL FOSO (24), ENTRE EL CONDENSADOR DE CAPACIDAD (16) Y EL ELEMENTO TRANSPORTADOR DE CORRIENTE Y UNA LINEA CONDUCTORA DE ELECTRICIDAD (28) SITUADA EN LA SUPERFICIE MAYOR DEL SUSTRATO SEMICONDUCTOR (26) EN LA DIRECCION ORTOGONAL AL EJE LONGITUDINAL DEL FOSO (24) Y EN CONTACTO CON EL ELEMENTO DE CONTROL (14) DEL INTERRUPTOR (12). ADEMAS, SE FORMARN DOS DELULAS DE MEMORIA COMPLETAS (10A, 10B) EN CADA INTERSECCION DE LINEAS, CON UNA CELULA FORMADA A CADA LADO DEL FOSO (24) EN CADA INTERSECCION.