INTERRUPTOR FOTOELECTRICO.
UN ELEMENTO EMISOR DE LUZ (3) SE CONSTRUYE MEDIANTE EL MOLDEO DE UN CHIP SEMICONDUCTOR (1) PARA UN DIODO EMISOR DE LUZ EN UNA RESINA (2).
UNA LENTE CONDENSADORA (5) ESTA ASEGURADA A LA RESINA MOLDEADA (2) CON SU EJE OPTICO EN ALINEAMIENTO CON EL EJE OPTICO DEL CHIP SEMICONDUCTOR (1). EL ELEMENTO EMISOR DE LUZ (3) SE UTILIZA PARA PRODUCIR LUZ PROYECTADA EN UN INTERRUPTOR FOTOELECTRICO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: OMRON CORPORATION.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 10, TSUCHIDO-CHO, HANAZONO, UKYO-KU,,KYOTO-SHI, KYOTO 616.
Inventor/es: NAKAMURA, ARATA, MISUMI, FUMIHIKO, SHIMOKAWA, SATORU.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 9 de Agosto de 1995.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G01V9/04
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