EMPAQUETAMIENTO DE CHIP DE CIRCUITO INTEGRADO Y METODO.

CHIP DE CIRCUITO INTEGRADO (IC) QUE ESTA FORMADO MEDIANTE LA EXTENSION DE TODAS LAS DIMENSIONES DE UN CIRCUITO INTEGRADO CONVENCIONAL SOBRE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR,

TIPICAMENTE UNA PRIMERA PLAQUITA DE SILICE, PARA PROPORCIONAR UNA BANDA INTEGRAL DE MATERIAL SEMICONDUCTOR ALREDEDOR DEL MISMO SOBRE LA QUE SE FORMA UNA SERIE DE CHIPS DE CIRCUITO INTEGRADO DE UNA PARTE DE ENTRADA/SALIDA QUE SE EXTIENDE A LO LARGO DE LA BANDA. UN BORDE INFERIOR PERIFERICO DE UNA COFIA DISCONTINUA DEL MISMO MATERIAL CONDUCTOR, POR EJEMPLO SILICE, SE HALLA FIJADA DE FORMA ESTANCA ALREDEDOR DE UNA PERIFERIA INTERIOR DE LA BANDA DE LA SERIE DE CHIPS Y FUERA DEL AREA ACTIVA DEL CIRCUITO INTEGRADO, DE FORMA QUE LA COFIA INTERIORMENTE ESPACIADA CUBRE EL AREA ACTIVA DEL CIRCUITO, EXPONIENDOSE LAS PARTES DE ENTRADA/SALIDA. LAS COFIAS PUEDEN REALIZARSE POR FOTOLITOGRAFIA Y TECNICAS DE MICROGRABADO A PARTIR DE UNA SEGUNDA PLAQUITA SEMICONDUCTORA DEL MISMO TIPO QUE LA PLAQUITA DEL CIRCUITO INTEGRADO. LA METALIZACION SE EXTIENDE SOBRE LA PRIMERA PLAQUITA DESDE LAS PARTES DE CONEXION DEL AREA DEL CIRCUITO ACTIVO HASTA LAS PARTES DE ENTRADA/SALIDA EXPUESTAS Y EXTENDIDAS EXTERIORES A LA COFIA. EL CIRCUITO INTEGRADO PUEDE SER EXAMINADO A FINES DE COMPROBACION ANTES DE REALIZAR EL CUBRIMIENTO. SE EVITA LA UTILIZACION DE BASTIDORES DE PLOMO, PROCESOS DE ENCAPSULACION DE PLASTICO Y ALOJAMIENTOS CERAMICOS, A LA VEZ QUE SE MAXIMIZA EL USO DE MATERIALES COMPATIBLES QUE TIENEN EL MISMO COEFICIENTE DE EXPANSION TERMICA. EN UN DISEÑO, ESTA REALIZADO POR COMPLETO CON SILICE.