MEJORAS EN LA ESTRUCTURACION DE PUENTES RECTIFICADORES.
MEJORAS EN LA ESTRUCTURACION DE PUENTES RECTIFICADORES. LAS MEJORAS CONSISTEN EN ESTRUCTURAR LA CAPSULA DEL PUENTE EN BASE A UN CERCO ELECTROAISLANTE (8) Y A UNA PLACA DISIPADORA (1),
PLACA EN LA QUE EXISTE UNA CAPA EXTERNA Y MAYORITARIA (4) DE NATURALEZA METALICA, UNA FINA CAPA INTERMEDIA (5), DE NATURALEZA ELECTROAISLANTE Y BUENA CONDUCTORA DEL CALOR, Y UNA CAPA INTERNA (6), PREFERENTEMENTE DE COBRE, EN LA QUE SE DEFINEN LAS PISTAS (6'), PARA FIJACION, MEDIANTE SOLDADURA CON ESTAÑO, DE LAS CELULAS RECTIFICADORAS (2) Y SUS CORRESPONDIENTES CONECTORES (7) Y PATILLAS (3) DE CONEXION CON EL EXTERIOR.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: FAGOR ELECTROTECNICA, SDAD. COOP. LTD.
Nacionalidad solicitante: España.
Provincia: GUIPÚZCOA.
Inventor/es: ARETA SALANUEVA, JUAN MANUEL, AZPEITIA URRESTARAZU, ANGEL.
Fecha de Solicitud: 5 de Abril de 1989.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 6 de Noviembre de 1989.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/96
- H01L29/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
Patentes similares o relacionadas:
EMPAQUETAMIENTO DE CHIP DE CIRCUITO INTEGRADO Y METODO, del 16 de Mayo de 1995, de LSI LOGIC CORPORATION: CHIP DE CIRCUITO INTEGRADO (IC) QUE ESTA FORMADO MEDIANTE LA EXTENSION DE TODAS LAS DIMENSIONES DE UN CIRCUITO INTEGRADO CONVENCIONAL SOBRE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR, TIPICAMENTE […]
APARATO DE TRANSFERENCIA DE PASTILLAS, del 1 de Junio de 1986, de LESTER R JOHNSON: Aparato de transferencia de pastillas, que comprende, en combinación: (a) medios de mesa para proporcionar soporte y que tienen una primera y una segunda estación; (b) medios […]
NUEVO SOPORTE DE PLACAS DE CIRCUITO IMPRESO EN CAJAS CONTENEDORAS DE LAS MISMAS, del 16 de Abril de 1986, de ALEJANDRE MENDOZA,MARAVILLA: Nuevo circuito soporte de placas de circuito impreso en cajas contenedoras de las mismas, caracterizado por el hecho de que está constituido […]
Procedimiento de obtención de monocapas de nanopartículas funcionalizadas, monocapas obtenidas y usos de las mismas, del 8 de Abril de 2016, de UNIVERSITAT ROVIRA I VIRGILI: Procedimiento de obtención de monocapas de nanopartículas funcionalizadas, monocapas obtenidas y usos de las mismas. La presente invención […]