DISPOSITIVO SUPERCONDUCTOR MICROPUENTE DE ALTO TC QUE UTILIZA UNA JUNTA SNS BORDE CON BORDE ESCALONADA.

SE PRESENTA UN DISPOSITIVO SUPER CONDUCTOR MICROPUENTE QUE INCLUYE UN SUBSTRATO (26),

HECHO DE UN MATERIAL TAL COMO LAAIO SUB 3 QUE TIENE UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO INFERIOR PLANA (40), UNA SUPERFICIE INCLINADA (42) QUE TIENE UNA INCLINACION HACIA ARRIBA DE ENTRE 20 Y 80 IE DEL SUBSTRATO INFERIOR PLANO (40), Y UNA SUPERFICIE DE SUBSTRATO PLANO SUPERIOR (44) PARALELA A LA SUPERFICIE DE SUBSTRATO PLANO INFERIOR Y SEPARADA DE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO INFERIOR POR LA SUPERFICIE INCLINADA. UNA CAPA DE UN MATERIAL SEMICONDUCTOR (50) ORIENTADA EN EL SENTIDO DEL EJE C, HECHO DE UN MATERIAL TAL COMO YBA SUB 2 CU SUB 3 O SUB 7-X, SE DEPOSITA DE FORMA EPITOAXIAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO INFERIOR PLANO, Y TIENE UN BORDE EN DIRECCION AL EJE A ADYACENTE A LA INTERSECCION CON LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO INFERIOR CON LA SUPERFICIE INCLINADA. EL BORDE EXPUESTO AL EJE A ESTA INCLINADO DESDE LA INTERSECCION. UNA CAPA DE UN MATERIAL SUPERCONDUCTOR (52) ORIENTADO HACIA EL EJE C SE DEPOSITA DE FORMA EPITOAXIAL SOBRE LA SUPERFICIE DEL SUBSTRATO PLANO SUPERIOR, Y PRESENTA UN BORDE EXPUESTO AL EJE A ADYACENTE A LA SUPERFICIE INCLINADA. UN HUECO (62) DESCANSA ENTRE LOS DOS BORDES EXPUESTOS AL EJE A. UNA CAPA DE UN MATERIAL NO SUPERCONDUCTOR (60) TAL COMO LA PLATA, DESCANSA EN EL HUECO ENTRE LOS DOS BORDES EXPUESTOS AL EJE A MEDIANTE LO CUAL SE DEFINE UN MICROPUENTE SUPERCONDUCTOR SNS. LAS CAPAS DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR TIENEN UN DISEÑO PREFERIBLEMENTE ESCOGIDO PARA FORMAR UNA JUNTA JOSEPHSON TAL COMO UN DISPOSITIVO DE INTERFERENCIA DE QUANTUM SUPERCONDUCTOR.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: BIOMAGNETIC TECHNOLOGIES, INC.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 9727 PACIFIC HEIGHTS BLVD.,SAN DIEGO, CA 92121-3719.

Inventor/es: DIIORIO, MARK S., YOSHIZUMI, SHOZO, YANG, KAI-YUEH.

Fecha de Publicación: 1 de Noviembre de 1995.

Fecha Concesión Europea: 16 de Agosto de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

H01L39/22 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 39/00 Dispositivos que utilizan la superconductividad o la hiperconductividad; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; superconductores caracterizados por la técnica de formación o por la composición de las cerámicas C04B 35/00; conductores, cables o líneas de transmisión superconductores o hiperconductores H01B 12/00; bobinas o arrollamientos superconductores H01F; amplificadores que utilizan la superconductividad H03F 19/00). › Dispositivos que tienen una unión de materiales diferentes, p. ej. dispositivos de efecto Josephson.
H01L39/24 H01L 39/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de los dispositivos cubiertos por H01L 39/00 de sus partes constitutivas.

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