TECNICA PARA USAR EN LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES QUE TIENEN CARACTERISTICAS SUBMICRO.
SE OBTIENE RESOLUCION SUBMICRO EN LA FABRICACION DE TRANSISTORES UTILIZANDO TECNICAS DE PARED LATERAL.
EN LA TECNICA DESCRITA SE FORMA UNA ABERTURA CON UN ESPACIADOR DE PARED LATERAL DE NITRURO DE SILICIO EN UNA CAPA (9, 11). SE FORMA OXIDO (15) EN LA ABERTURA Y LUEGO EL ESPACIADOR DE PARED LATERAL SE ELIMINA PARA FORMAR UNA ABERTURA (17) ANULAR, QUE PUEDE SER DE UNA AMPLITUD PEQUEÑA Y CONTROLADA CON PRECISION. LUEGO LA ABERTURA SE USA COMO UNA DEFENSA PARA POSTERIOR MODIFICACION DEL SUBSTRATO POR DIFUSION O IMPLANTACION DE IONES.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 550 MADISON AVENUE, NEW YORK, NY 10022.
Inventor/es: FEYGENSON, ANATOLY.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 29 de Diciembre de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
- H01L21/205 H01L […] › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
- H01L21/28 H01L 21/00 […] › Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.
- H01L21/76 H01L 21/00 […] › Realización de regiones aislantes entre los componentes.
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