SENSOR DE FUERZAS DE TORSION MAGNETICO.

SE PRESENTA UN SENSOR MAGNETICO DE LA FUERZA DE TORSION PARA DETECTAR ELECTRICAMENTE UNA FUERZA DE TORSION APLICADA A UN EJE GIRATORIO EN BASE A UN CAMBIO RESULTANTE EN LA PERMEABILIDAD MAGNETICA DE LA SUPERFICIE DEL EJE.

FINAS MELLAS Y AREAS DE RETENCION PARA RETENER LA FUERZA COMPRESIVA RESIDUAL DEBIDA A LAS FINAS MELLAS SE FORMAN SOBRE LA SUPERFICIE DEL EJE GIRATORIO. DE ACUERDO CON ESTA DISPOSICION, EL PROCESO DE MAGNETIZACION RESULTANTE DE LA APLICACION DE UN CAMPO MAGNETICO EXCITADOR Y DE LA FUERZA DE TORSION SOBRE EL EJE GIRATORIO PROVOCA MENOR MAGNETIZACION DEBIDO AL DESPLAZAMIENTO DE LA PARED DEL CAMPO MAGNETICO Y CONSTA PRINCIPALMENTE DE ROTACION MAGNETICA REVERSIBLE, CON EL RESULTADO DE UNA HISTERESIS REDUCIDA EN EL PROCESO DE MAGNETIZACION. LA HISTERESIS REDUCIDA PROVOCA MENOS HISTERESIS INVOLUCRADA EN LA DETECCION DE LA FUERZA DE TORSION Y MAYOR SENSIBILIDAD DE DETECCION, RESULTANDO ASI EN UNA ALTA EXACTITUD DE LA DETECCION DE LA FUERZA DE TORSION. ADEMAS, TRABAJANDO LA SUPERFICIE DEL EJE GIRATORIO CON EL PROPOSITO DE FORMAR LAS FINAS MELLAS SOBRE EL MISMO, LOS MICRODEFECTOS PRESENTES SOBRE LA CAPA SUPERFICIAL DEL EJE GIRATORIO SE REDUCEN O ELIMINAN Y ASI PUEDE OBTENERSE UNA HISTERESIS REDUCIDA Y UNA SENSIBILIDAD MEJORADA EN EL PROCESO DE DETECCION DE LA FUERZA DE TORSION.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: KUBOTA, LTD.

Nacionalidad solicitante: Japón.

Dirección: 2-47, SHIKITSUHIGASHI 1-CHOME NANIWA-KU, OSAKASHI OSAKA 556.

Inventor/es: ISHINO, RENSHIRO, SHIBATA, YOSHIO, YOSHIMURA, SHIGEO.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 14 de Abril de 1993.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G01L3/10 SECCION G — FISICA.G01 METROLOGIA; ENSAYOS.G01L MEDIDA DE FUERZAS, TENSIONES, PARES, TRABAJO, POTENCIA MECANICA, RENDIMIENTO MECANICO O DE LA PRESION DE LOS FLUIDOS (pesado G01G). › G01L 3/00 Medida del par, del trabajo, de la potencia o del rendimiento mecánico en general. › que implican medios eléctricos o magnéticos de indicación.
  • H01L41/12 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 41/00 Dispositivos piezoeléctricos en general; Dispositivos electroestrictivos en general; Dispositivos magnetoestrictivos en general; Procedimientos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos, o de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Elementos magnetoestrictivos.
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