UNA ESTRUCTURA DE DIODO-POZO DE POTENCIAL SUBMICROMETRICA PARA EL INTERCAMBIO DE ENERGIA FOTONICA Y ENERGIA ELECTRONICA.
ESTRUCTURA DE DIODO-POZO DE POTENCIAL SUBMICROMETRICA PARA EL INTERCAMBIO DE ENERGIA FOTONICA Y ENERGIA ELECTRONICA.
CONSTA DE UN PRIMER CILINDRO (1) HECHO DE UN DETERMINADO METAL; DE UN SEGUNDO CILINDRO (2) HECHO A PARTIR DE UN SEGUNDO METAL; DE UN SUSTRATO AISLANTE (3) SITUADO ENTRE AMBOS CILINDROS COAXIALES; Y DE DOS TERMINALES (6, 7) A TRAVES DE LOS CUALES SE APLICA UNA CORRIENTE ALTERNA. LOS CITADOS PRIMER Y SEGUNDO CILINDROS ESTAN DEPOSITADOS SOBRE UNA SUPERFICIE ADECUADA. EN EL PRIMER CILINDRO EXISTEN MEDIOS PARA PRODUCIR UN PRIMER ELECTRON ENERGETICO, EL CUAL SE DESPLAZA A LO LARGO DEL EJE DE DICHO CILINDRO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: DR.ALVIN M.MARKS.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: BIGELOW ROAD,ATHOL,MASSACHUSETTS 01331.
Fecha de Solicitud: 2 de Agosto de 1985.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 12 de Enero de 1987.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/101 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta.
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