PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO.
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO OPTICO.CONSISTE EN MORDENTAR UNA PARTE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO ELEGIDO ENTRE HAP,
GAAS, ALAS, ALP Y OTROS PARA PRODUCIR UNA SUPERFICIE DE CALIDAD OPTICA, LLEVADO A CABO MEDIANTE UN FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO EN EL CUAL SE PASA CORRIENTE ELECTRICA A TRAVES DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO, SOLUCION ELECTROLITICA CON UNA CONDUCTIVIDAD SUPERIOR A 0,0001 MHOS/CM Y UN CATODO. LA SOLUCION ELECTROLITICA ESTA COMPUESTA POR ACIDO FLUORHIDRICO ACUOSO EN CONCENTRACION ENTRE 0,01 A 5 MOLAR REALIZANDOSE EL FOTOMORDENTADO ELECTROQUIMICO POR APLICACIONDE UN POTENCIAL AL COMPUESTO SEMICONDUCTOR EN LA SOLUCION ELECTROLITICA Y EL POTENCIAL MINIMO DE LA BANDA DE CONDUCCION DEL SEMICONDUCTOR EN LA SOLUCION ELECTROLITICA. POSTERIORMENTE SE ILUMINA LA PARTE DE LA SUPERFICIE DEL SEMICONDUCTOR COMPUESTO A MORDENTAR CON RADIACION DE SUFICIENTE ENERGIA PARA PRODUCIR HUECOS EN LA BANDA DE VALENCIA.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC..
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 222 BROADWAY NEW YORK N Y 10038 ESTADOS UNIDOS.
Fecha de Solicitud: 8 de Septiembre de 1983.
Fecha de Publicación: .
Fecha de Concesión: 23 de Abril de 1984.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C25F3/12 QUIMICA; METALURGIA. › C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS. › C25F PROCESOS PARA LA ELIMINACION ELECTROLITICA DE MATERIA EN OBJETOS; SUS APARATOS (tratamiento del agua, agua residual o de alcantarilla por procesos electroquímicos C02F 1/46; protección anódica o catódica C23F 13/00). › C25F 3/00 Grabado o pulido electrolítico. › de materiales semiconductores.
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