LASER DE CAVIDAD VERTICAL Y DE EMISION POR SUPERFICIE.

Una estructura de dispositivo láser de cavidad vertical y emisión en superficie

(VCSEL) (10) que comprende una estructura de material semiconductor de cavidad activa (14) intercalada entre pilas de reflectores de Bragg distribuidos (DBR) superior e inferior (12a, 12b), incluyendo el DBR superior (12b) al menos una capa de semiconductor de tipo n, y que define una región activa para generar luz en respuesta a la aplicación de un voltaje continuo a contactos del dispositivo (15) en la que: dicho material de la cavidad activa comprende una pila de capas de pozos cuánticos múltiples (18) intercalada entre regiones separadoras inferior y superior (16a y 16b), terminando la región separadora superior (16b) con una capa p (20) y una unión de túnel p++/n++ sobre la parte superior de dicha capa p, presentando cada una de las capas p++ y p una capa de tipo p, siendo al menos la capa n++ superior de la unión de túnel una mesa (22) que emerge de la capa de tipo p subyacente, estando formada una superficie estructurada (14b) del material de la cavidad activa (14) por una superficie superior de la mesa (22) y una superficie superior de la capa de tipo p por fuera de la mesa (22). dicha región activa está definida por una abertura de corriente (25) que incluye la mesa (22) rodeada por una separación de aire (24) entre la superficie estructurada fusionada del material de la cavidad activa (14) y la superficie de la capa de semiconductor de tipo n de la pila de DBR superior (12b).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE.

Nacionalidad solicitante: Suiza.

Dirección: ECUBLENS,CH-1015 LAUSANNE.

Inventor/es: KAPON, ELYAHOU, IAKOVLEV, VLADIMIR, SIRBU, ALEXEI, RUDRA, ALOK.

Fecha de Publicación: .

Fecha Solicitud PCT: 8 de Marzo de 2002.

Fecha Concesión Europea: 4 de Mayo de 2005.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • SECCION H — ELECTRICIDAD > ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS > DISPOSITIVOS QUE UTILIZAN LA EMISION ESTIMULADA > Láseres de semiconductor > H01S5/183 (que tienen una cavidad vertical [láseres-VCSE])

Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Oficina Europea de Patentes, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania, Emiratos Árabes Unidos, Antigua y Barbuda, Armenia, Australia, Azerbayán, Bosnia y Herzegovina, Barbados, Bulgaria, Brasil, Bielorusia, Belice, Canadá, China, Colombia, Costa Rica, República Checa, Dominica, Argelia, Ecuador, Estonia, Granada, Georgia, Ghana, Gambia, Croacia, Hungría, Indonesia, Israel, India, Islandia, Japón, Kenya, Kirguistán, República de Corea, Kazajstán, Santa Lucía, Sri Lanka, Liberia, Lesotho, Marruecos, República del Moldova, Madagascar, Mongolia, Malawi, México, Mozambique, Noruega, Nueva Zelanda, Polonia, Federación de Rusia, Sudán, Singapur, Eslovaquia, Sierra Leona, Tayikistán, Turkmenistán, Turquía, Trinidad y Tabago, República Unida de Tanzania, Ucrania, Uganda, Estados Unidos de América, Urbekistán, Yugoslavia, Sudáfrica, Zimbabwe, Viet Nam, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Cuba, República Popular Democrática de Corea, Omán, Filipinas, Túnez, Zambia, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Guinea Ecuatorial, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.

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