Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio mediante la recuperación de semillas en un horno de solidificación dirigida.
Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio por recuperación de semillas en un horno de solidificación dirigida,
que comprende al menos las etapas que consisten en:
(i) disponer de un crisol (1) de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento de semillas (2) de silicio monocristalino de forma en prisma recto, estando el pavimento formado:
- de una o varias semillas centrales Gc; y
- de unas o varias semillas periféricas Gp, contiguas a las semillas Gc; y
(ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recuperación de semillas, según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z);
caracterizado por que una semilla Gp presenta una red cristalina simétrica de la red cristalina de la semilla Gc contigua, con respecto al plano P definido por la frontera (3) entre dichas semillas Gp y Gc;
en la etapa (ii), se procede a la solidificación dirigida con un frente de solidificación especial o temporalmente cóncavo;
dicha o dichas semillas Gp presentan, en un plano vertical de corte, un ancho (lp) estrictamente inferior al ancho total (lu) de dicha o dichas semillas centrales; y
las semillas periféricas Gp están dimensionadas de manera que:
con:
- d que verifica: d ≥ H.tan θmax con θmax el valor máximo del ángulo θ del frente de solidificación del horno utilizado; y H la altura, medida según el eje (Z), del lingote de silicio deseado; y
- b=0 para un crisol de ángulos rectos, y b=Rinterno crisol, con Rinterno crisol el tamaño del bisel para un crisol de aristas redondeadas.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2014/061722.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: Bâtiment "Le Ponant D", 25, rue Leblanc 75015 Paris FRANCIA.
Inventor/es: Camel,Denis, Marie,Benoît, JOUINI,ANIS, PIHAN,ETIENNE, FORTIN,GAUTIER, AMARAL DE OLIVEIRA,VANESSA, CHAVRIER,DENIS, PLASSAT,NELLY.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B28D5/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B28 TRABAJO DEL CEMENTO, DE LA ARCILLA O LA PIEDRA. › B28D TRABAJO DE LA PIEDRA O DE MATERIALES SIMILARES A LA PIEDRA (máquinas o procedimientos de explotación de minas o canteras E21C). › Trabajo mecánico de las piedras finas, piedras preciosas, cristales, p. ej. de materiales para semiconductores; Aparatos o dispositivos a este efecto (trabajo con muela o pulido B24; con fines artísticos B44B; por procedimientos no mecánicos C04B 41/00; postratamiento no mecánico de monocristales C30B 33/00).
- C30B11/14 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00). › caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.
- C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
PDF original: ES-2702900_T3.pdf
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