Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio dotado de juntas de grano simétricas.

Procedimiento de fabricación de un lingote de silicio (5), dotado de juntas de grano (6) simétricas,

que comprende al menos las etapas que consisten en:

(i) disponer de un crisol (1) de eje (Z) longitudinal, cuyo fondo comprende un pavimento formado de gérmenes (2) de silicio monocristalino de forma de adoquín recto de base cuadrada o rectangular y dispuestos de manera aneja, estando dicho pavimento visto según el eje (Z) en forma de una cuadrícula de direcciones ortogonales (x) y (y) paralelas a las aristas de los gérmenes; y

(ii) proceder a la solidificación dirigida de silicio por recogida en gérmenes según una dirección de crecimiento colineal al eje (Z);

caracterizado por que el pavimento en la etapa (i) se realiza a partir de gérmenes de silicio idénticos, siendo dos gérmenes contiguos según la dirección (x) similares el uno del otro por vuelco de eje (y) y siendo dos gérmenes contiguos según la dirección (y) similares el uno del otro por vuelco de eje (x) y siendo la desorientación 2θ entre las redes cristalinas de dos gérmenes contiguos superior a 4°.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2014/061724.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: Bâtiment "Le Ponant D", 25, rue Leblanc 75015 Paris FRANCIA.

Inventor/es: Camel,Denis, PIHAN,ETIENNE, FORTIN,GAUTIER, AMARAL DE OLIVEIRA,VANESSA.

Fecha de Publicación: 23 de Enero de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

B28D5/04 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B28 TRABAJO DEL CEMENTO, DE LA ARCILLA O LA PIEDRA. › B28D TRABAJO DE LA PIEDRA O DE MATERIALES SIMILARES A LA PIEDRA (máquinas o procedimientos de explotación de minas o canteras E21C). › B28D 5/00 Trabajo mecánico de las piedras finas, piedras preciosas, cristales, p. ej. de materiales para semiconductores; Aparatos o dispositivos a este efecto (trabajo con muela o pulido B24; con fines artísticos B44B; por procedimientos no mecánicos C04B 41/00; postratamiento no mecánico de monocristales C30B 33/00). › por herramientas que no sean rotativas, p. ej. por herramientas animadas de movimiento alternativo.
C30B11/14 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 11/00 Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00). › caracterizado por el germen, p. ej. por su orientación cristalográfica.
C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.

PDF original: ES-2697325_T3.pdf

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