Crisol reutilizable para la fabricación de material cristalino.
Crisol (1) para la fabricación de un lingote de silicio por solidificación que comporta un fondo (2) y paredes laterales (3) formadas al menos parcialmente por un material refractario,
caracterizado porque:
- el material refractario es grafito que presenta un coeficiente de dilatación térmica medio, en un rango de temperatura comprendido entre la temperatura ambiente y la temperatura de fusión del silicio, superior o igual al coeficiente de dilatación térmica de dicho silicio en dicho rango de temperatura;
- las paredes laterales (3) del crisol (1) están al menos en parte recubiertas por una capa impermeable al aire a base de carburo de silicio;
- y el crisol comporta un sistema de apriete (4) que conecta dos paredes laterales (3) adyacentes, el sistema de apriete (4) está configurado para autorizar la separación de las dos paredes laterales (3) adyacentes si se aplica una tensión umbral sobre el sistema de apriete (4), el sistema de apriete (4) comporta un elemento deformable comprimido, que autoriza el desplazamiento de las dos paredes por deformación del elemento deformable.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/078424.
Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 25, rue Leblanc, Bâtiment "Le Ponant D" 75015 Paris FRANCIA.
Inventor/es: Camel,Denis, TESTARD,JOHANN, RAYMOND,OLIVIER, THUMMEN,FRÉDÉRIC.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B11/00 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › Crecimiento de monocristales por simple solidificación o en un gradiente de temperatura, p. ej. método de Bridgman-Stockbarger (C30B 13/00, C30B 15/00, C30B 17/00, C30B 19/00 tienen prioridad; bajo un fluido protector C30B 27/00).
- C30B29/06 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
- C30B35/00 C30B […] › Aparatos no previstos en otro lugar, especialmente adaptados para la ejecución de los procesos de crecimiento, producción o tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada.
PDF original: ES-2744204_T3.pdf
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