Dispositivo magnético multicapas, procedimiento para su realización, sensor de campo magnético, memoria magnética y puerta lógica que implementa un dispositivo de este tipo.

Dispositivo magnético multicapas, que incluye, sobre un substrato,

una alternancia de capas metálicas magnéticas M y de óxidos, de hidruros o de nitruros O, caracterizado:

&bull: por que el número de capas M es al menos igual a dos,

&bull: por que las capas de óxidos, de hidruros o de nitruros O presentan un espesor al menos igual a 0,3 nanómetro y están realizadas a base de elementos elegidos en el grupo que comprende Al, Mg, Ru, Ta, Cr, Hf, Ti, V, Si, Cu, W o sus aleaciones, de tal modo que se formen unos óxidos, hidruros o nitruros estables,

&bull: por que las capas M son continuas, presentan un espesor inferior o igual a 5 nanómetros y tendrían su imantación paralela al plano de las capas en ausencia de las capas O,

&bull: y por que existe, para una gama de temperatura igual o superior a la temperatura ambiente, una anisotropía magnética interfacial perpendicular al plano de las capas en las interfaces M/O y O/M, adecuada para orientar la imantación de las capas M sustancialmente de manera perpendicular al plano de las capas.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/FR2007/052602.

Solicitante: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: BATIMENT "LE PONANT D" 25, RUE LEBLANC 75015 PARIS FRANCIA.

Inventor/es: RODMACQ, BERNARD, DIENY, BERNARD, AUFFRET,STÉPHANE, MORITZ,JÉRÔME.

Fecha de Publicación: 25 de Abril de 2018.

Clasificación Internacional de Patentes:

B82Y25/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS. › Nano magnetismo, p. ej. magnetoimpedancia, magnetorresistencia anisotrópica, magnetorresistencia gigante o magnetorresistencia de tunelización.
B82Y40/00 B82Y […] › Fabricación o tratamiento de nanoestructuras.
G01R33/032 FISICA. › G01 METROLOGIA; ENSAYOS. › G01R MEDIDA DE VARIABLES ELECTRICAS; MEDIDA DE VARIABLES MAGNETICAS (indicación de la sintonización de circuitos resonantes H03J 3/12). › G01R 33/00 Dispositivos o aparatos para la medida de valores magnéticos. › utilizando dispositivos magnetoópticos, p. ej. por efecto Faraday.
G01R33/07 G01R 33/00 […] › dispositivos de efecto Hall.
G01R33/09 G01R 33/00 […] › dispositivos magnetorresistivos.
G11C11/18 G […] › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan dispositivos de efecto Hall.
G11C11/56 G11C 11/00 […] › utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia.
H01F10/30 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01F IMANES; INDUCTANCIAS; TRANSFORMADORES; EMPLEO DE MATERIALES ESPECIFICOS POR SUS PROPIEDADES MAGNETICAS. › H01F 10/00 Películas magnéticas delgadas, p. ej. de estructura de un dominio. › caracterizadas por la composición de las capas intermedias.
H01F10/32 H01F 10/00 […] › Multicapas acopladas por cambio de spin, p. ej. superredes con estructura nanométrica.
H01F41/18 H01F […] › H01F 41/00 Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación o al montaje de imanes, inductancias o transformadores; Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación de materiales caracterizados por sus propiedades magnéticas. › por pulverización catódica.
H01F41/30 H01F 41/00 […] › para aplicar nanoestructuras, p. ej. utilizando la epitaxia por haces moleculares (MBE).
H01L43/06 H01 […] › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 43/00 Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formado en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Dispositivos con efecto Hall.
H01L43/10 H01L 43/00 […] › Selección de materiales.
H01L43/14 H01L 43/00 […] › para dispositivos con efecto Hall.

PDF original: ES-2679669_T3.pdf

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