PROCEDIMIENTO PARA LA TRANSFERENCIA DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR UTILIZANDO TECNOLOGIA DE SILICIO SOBRE UN AISLANTE (SOI).
SE DESVELA UN PROCESO NOVEL PARA PRODUCIR UN ARTICULO SEMICONDUCTOR QUE COMPRENDE LAS ETAPAS DE PREPARAR UN PRIMER SUSTRATO CONSTITUIDO POR UN SUSTRATO DE SILICIO,
UNA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA CONFORMADA SOBRE EL SUSTRATO DE SILICIO, Y UNA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES CONFORMADA EN AL MENOS UNO DE LOS SUSTRATOS DE SILICIO Y EN LA CAPA SEMICONDUCTORA NO POROSA; LA UNION DEL PRIMER SUSTRATO AL SEGUNDO SUSTRATO PARA OBTENER UNA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES CON LA CAPA SEMICONDUCTORA POROSA SITUADA EN SU INTERIOR; LA SEPARACION DE LA ESTRUCTURA DE CAPAS MULTIPLES POR LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES; Y LA RETIRADA DE LA CAPA DE IMPLANTACION DE IONES QUE PERMANECE SOBRE EL SEGUNDO SUSTRATO SEPARADO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU,TOKYO.
Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, SAKAGUCHI, KIYOFUMI.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 23 de Enero de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
- H01L21/304 H01L 21/00 […] › Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.
- H01L21/762 H01L 21/00 […] › Regiones dieléctricas.
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